公开(公告)号：CN114773049A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210403517.X

申请日：2022-04-18

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 涂兵田 ,  涂广升 ,  王皓

IPC: C04B35/443 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可见‑红外透明陶瓷及其制备方法。所述透明陶瓷材料基体化学计量式为Mg(AlxGa1‑x)2O4，其中0﹤x﹤1；它以Mg(AlxGa1‑x)2O4粉末或MgO、Al2O3、Ga2O3按化学计量比形成的混合粉末为原料，经成型和烧结制备而成。本发明所得Mg(AlxGa1‑x)2O4透明陶瓷的透光范围在300～7500nm之间，尤其在3～5μm红外波段具有>81.5％的光学透过率，同时具有较高的硬度、弹性模量等机械性能，适用于激光通讯、红外夜视、红外传感器窗口或头罩等领域；且涉及的制备方法较简单，操作方便，适合推广应用。

公开(公告)号：CN111704445A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010331700.4

申请日：2020-04-24

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王皓 ,  陈亮 ,  宗潇 ,  涂兵田

IPC: C04B35/115 ,  C04B35/117 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种宽光学透过域的高镁含量MgAlON透明陶瓷及其制备方法。其为单相尖晶石型结构，结构式为 其中6≤x≤7.5，0.2≤y≤1.7、且x+y

公开(公告)号：CN108380892B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201810290496.9

申请日：2018-04-03

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 季伟 ,  孙宇宸 ,  傅正义 ,  王为民 ,  王皓 ,  王玉成 ,  张金咏 ,  张帆

IPC: B22F7/04 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷/高熵合金叠层材料及其制备方法。该叠层材料包括陶瓷面板和与陶瓷面板叠放的高熵合金层，陶瓷面板和高熵合金层叠放的区域具有陶瓷金属界面层，陶瓷面板材料为氧化物、硼化物、氮化物、碳化物或硅化物中的一种单相陶瓷材料或者两种以上组合的复相陶瓷材料，高熵合金层由Co、Cr、Fe、Ni、Al、Mn、Mo、Ti、Cu、Zn、Si、Sn、W、Ga或Sr中的四种或四种以上元素形成。本发明制备的陶瓷/高熵合金叠层材料与传统的粘接方法制备的叠层结构材料相比，在相同的面密度下，抗高能冲击性能和抗二次冲击能力均大大提高。

公开(公告)号：CN108687351A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810419911.6

申请日：2018-05-04

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 季伟 ,  柯博仁 ,  傅正义 ,  王为民 ,  王皓 ,  王玉成 ,  张金咏 ,  张帆

IPC: B22F7/02 ,  B22F3/105 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明涉一种B4C‑HEAs梯度材料及其制备方法。该梯度材料由N层材料烧结为一体结构，其中N≥5，N层材料自上而下由富陶瓷层通过多个中间层逐步过渡到富金属层，每层的HEAs质量呈梯度上升变化，所述HEAs是由机械合金方法制备的合金粉末，所述富陶瓷层的HEAs含量为1wt％～50wt％，硅的含量为0wt％～5wt％，其余为B4C；所述富金属层的HEAs含量为50wt％～100wt％，硅的含量为0wt％～5wt％，其余为B4C。本发明的制备方法包括混料步骤、分段烧结步骤和连接步骤。本发明分段烧结梯度材料，每层都具有高致密度，再将几段少层梯度材料连接成多层梯度材料，材料整体梯度结构更加丰富，显著降低烧结温度，减少烧结成本；所制备的材料整体强度高、各层致密度高、界面连接好且具有明显梯度形貌和性质变化。

公开(公告)号：CN108640672A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810580194.5

申请日：2018-06-07

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王皓 ,  郭胜强 ,  王为民 ,  傅正义

IPC: C04B35/443 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种镁铝尖晶石透明陶瓷MgO·nAl2O3的制备方法，其中1≤n≤2，具体包括以下步骤：1)将氧化镁粉体和α-氧化铝粉体加入混合球磨，然后除去溶剂，过筛，再经高温固相反应，过筛得到镁铝尖晶石粉体；2)将镁铝尖晶石粉体放入石墨模具中，再置于放电等离子烧结设备中进行成型与预烧结，得到预烧结体；3)将预烧结体置于马弗炉中进行再次烧结，然后自然冷却，得到开气孔封闭的烧结体；4)将开气孔封闭的烧结体经热等静压烧结处理，烧结后所得样品再经抛光处理后得到镁铝尖晶石透明陶瓷。该方法有利于控制样品组成且无需通过添加烧结助剂即可获得高的致密度，采用无压空气中烧结可以进行大规模工业生产，降低生产成本。

公开(公告)号：CN108484156A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810330151.1

申请日：2018-04-12

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王皓 ,  张和 ,  王为民 ,  傅正义

IPC: C04B35/443 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632

Abstract: 本发明涉及一种基于粉体抗水解处理及凝胶注模成型的尖晶石固溶体透明陶瓷制备方法。它包括如下步骤：1)单相MgO·nAl2O3粉体用硬脂酸改性得到硬脂酸改性粉体T-MgO·nAl2O3；2)配置料浆：事先配置pH为11～12的先后加有两性表面活性剂、单体、交联剂、分散剂的水溶液，将步骤1)中所得的改性粉体T-MgO·nAl2O3加入以上预混液中搅拌制得陶瓷料浆，然后再加入引发剂，真空除泡；3)固化注模；4)将步骤3)中脱模所得的陶瓷生坯先后进行冷等静压和排胶处理后制备得到形状完好的MgO·nAl2O3透明陶瓷素坯，烧结得到样品。该方法条件易控，制备得到的MgO·nAl2O3透明陶瓷素坯形状完好、显微结构均匀，烧结得到的一系列组成的MgO·nAl2O3透明陶瓷样品光学透过性好。

公开(公告)号：CN107686098A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710666118.1

申请日：2017-08-07

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 傅正义 ,  王恒 ,  解晶晶 ,  平航 ,  王为民 ,  王皓

IPC: C01B21/064 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域，具体涉及一种层数可控的六方氮化硼纳米片及其制备方法。所述方法包括：在去离子水中依次加入硼源和氨水，置于恒温水浴锅中磁力搅拌条件下，逐滴加入钙盐、恒温搅拌，然后进行热处理，得到含钙离子的硼前驱体；将所得前驱体置于真空管式炉中，在氨气气氛下升温至一定温度进行热处理反应，随后自然冷却至室温，得到层数可控的六方氮化硼纳米片。本发明方法首次使用钙离子催化合成层数可控的高质量六方氮化硼纳米片，并且具有工艺简单、可重复性好、产率高等优点，可以满足不同领域对氮化硼纳米片层数不同的要求，更好地推动氮化硼纳米片在功能性复合材料领域的应用。

公开(公告)号：CN107602109A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710307882.X

申请日：2017-05-04

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王皓 ,  左文杰

IPC: C04B35/443 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种Cr3+掺杂富铝镁铝尖晶石荧光透明陶瓷及其制备方法。其为单相镁铝尖晶石结构，结构式为Mg8-3yAl16-2x+2yCr2x□yO32，其中0.0005≤x≤0.01、0.3≤y≤1.5，□为八面体空位数。制备：首先通过低温预烧结制备MgAl2O4:Cr3+单相陶瓷粉体，然后以MgAl2O4:Cr3+和Al2O3粉末为原料预烧制备得到与富铝镁铝尖晶石荧光透明陶瓷化学组成相同的MgAl2O4:Cr3+/Al2O3复相、气孔封闭致密的烧结体，再在单相富铝镁铝尖晶石形成温度以上进行热等静压处理，在此处理过程中MgAl2O4和Al2O3进一步发生固相反应制得。本发明在保证透明陶瓷透过率的前提下，通过基体的变化实现对材料荧光性能的调控，提高材料的显色性。使用荧光透明陶瓷块体材料代替有机胶封装粉体的方式，有助于解决散热与光效率转换的问题，有望提高LED器件的稳定性。

公开(公告)号：CN105884370A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610450008.7

申请日：2016-06-20

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 傅正义 ,  顾俊峰 ,  王为民 ,  王皓 ,  张帆

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/58078 ,  C04B35/626 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/422

Abstract: 本发明涉及一种二硼化锆陶瓷粉体的制备方法，属于非氧化物陶瓷粉体制备领域。一种二硼化锆粉体的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)选取二氧化锆粉、无定形硼粉、无定形碳粉和碳化硼粉；球磨、旋转蒸发，后研磨过筛，得到均匀的混合粉末；2)粉体的合成与后处理：将混合粉末置入大电流反应合成装置，以50?500℃/min的升温速度快速加热到1300?1500℃，保温时间为3?10分钟，得粉末样品，水洗、干燥，即得到高纯的ZrB2粉体。该方法可在几分钟内获得纯度高(≥95wt％)，粒径小(≤500nm)的ZrB2粉体。

公开(公告)号：CN105449235A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510763082.X

申请日：2015-11-10

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 傅正义 ,  谭铁宁 ,  谢浩 ,  王为民 ,  王皓

IPC: H01M4/92 ,  B01J23/52

CPC classification number: H01M4/921

Abstract: 本发明涉及一种表面成分可控的Au@Pt-Au核壳纳米粒子的光辅助制备方法，其包括以下步骤：1)向Au纳米溶胶中先后加入抗坏血酸溶液和H2PtCl6溶液，得到混合溶液，随后将该混合溶液置于氙灯下室温照射2～4h得到含Au@Pt核壳纳米粒子的溶胶；2)将溶胶置于氙灯下逐滴加入HAuCl4溶液，室温照射1～2h，经后处理得到Au@Pt-Au核壳纳米粒子。本发明通过光辅助方法在室温条件下制备出表面成分可控的Au@Pt-Au核壳纳米粒子，操作简单，重复性好，并且所制备的核壳纳米粒子尺寸较为均匀，纳米粒子表面Pt和Au的面积比为24～84：16～76。