公开(公告)号：CN107634122A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201710771419.0

申请日：2017-08-31

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,  日地太阳能电力股份有限公司

发明人： 何坚 ,  叶继春 ,  高平奇 ,  凌曌恒 ,  曾俞衡 ,  闫宝杰 ,  肖剑峰 ,  黄志林 ,  夏金才 ,  周建宏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种氧化钛钝化膜的制备方法，步骤为在预处理后的硅片表面利用电子束沉积法沉积一定厚度的金属钛薄膜，后通入氧气气氛退火，再在氮气气氛中冷却即可。利用电子束沉积法沉积金属钛薄膜然后直接对金属钛薄膜进行氧化形成氧化钛薄膜，相比于ALD/CVD工艺，本发明所需的设备要求低，且操作方式和操作流程更加简单，便于调节金属钛薄膜的厚度、氧化工艺以适应不同的硅片钝化需求，同时该氧化钛钝化膜能够很好地与其他钝化介质层形成叠层从而达到更佳的钝化效果；本发明工艺还适用于热蒸镀法、磁控溅射法沉积金属钛薄膜；能够容易地实现沉积微量活性金属，从而实现对最终氧化钛薄膜的掺杂改性。

公开(公告)号：CN107611005A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710696833.X

申请日：2017-08-15

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 闫宝杰 ,  叶继春 ,  曾俞衡 ,  高平奇 ,  廖明墩 ,  王丹 ,  童慧 ,  韩灿

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0368

摘要： 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：(a)沉积非晶硅薄膜；(b)采用脉冲光照射上述非晶硅薄膜，使其晶化。本发明还提供了上述制备方法的产物和包含该产物的太阳能电池。本发明处理温度低，处理时间短，可有效减少非晶硅薄膜中的杂质元素扩散，减少对相邻层材料的破坏和影响，使器件获得较优性能。

公开(公告)号：CN112201757A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011108586.5

申请日：2020-10-16

申请人： 浙江浙能技术研究院有限公司

发明人： 寿春晖 ,  盛江 ,  张永强 ,  赵敏 ,  孙靖淞 ,  闫宝杰 ,  叶继春 ,  丁莞尔

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/48

摘要： 本发明涉及一种基于光下转换材料的半透明钙钛矿太阳电池，包括：银电极、顶层ITO、下转换材料薄膜、空穴传输层、钙钛矿薄膜、SnO2薄膜和底层ITO；所述银电极位于钙钛矿太阳电池顶部，银电极位于顶层ITO上，顶层ITO位于下转换材料薄膜上，下转换材料薄膜位于空穴传输层上。本发明的有益效果是：本发明针对Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池：制备一种用于减少Spiro‑OMeTAD寄生吸收的新型空穴传输层，将Spiro‑OMeTAD吸收的近紫外波段的光转换为可见光，可采用旋涂、刮涂或喷涂等工艺制备，通过在氮气气氛中，低温热处理形成高质量空穴传输薄膜。Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层的寄生吸收明显减少，隔绝了空气中水分子对钙钛矿薄膜的影响，显著提升所制备器件的稳定性。

公开(公告)号：CN111540834A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010301221.8

申请日：2020-04-16

申请人： 浙江浙能技术研究院有限公司

发明人： 寿春晖 ,  盛江 ,  杨伟创 ,  丁莞尔 ,  黄绵吉 ,  张永强 ,  闫宝杰 ,  叶继春

IPC分类号： H01L51/48 ,  H01L51/44

摘要： 本发明涉及一种钙钛矿太阳电池阳极修饰方法，包括步骤：S1、清洗透明导电玻璃；S2、在透明导电玻璃上制备厚度为1～300nm的电子传输层。本发明的有益效果是：该种钙钛矿太阳电池的阳极修饰方法克服了银等背电极材料在正置结构钙钛矿太阳电池中的功函不匹配和寿命不长的问题，提升电池在工作条件下的电流和电压，提高光电转化效率，实现采用银等背电极的钙钛矿电池的高效率；阻挡钙钛矿自身的卤素与银电极的反应，提高器件稳定性，延长电池的使用寿命。针对插入层的材料、厚度以及制备方法等问题进行工艺优化；该方法与原有电池制备工艺兼容，有助于提高钙钛矿太阳电池效率，降低生产成本，利于推进钙钛矿太阳电池的商业化。