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公开(公告)号：CN115391975A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210790508.0
申请日：2022-07-05
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/02
摘要： 本发明公开一种基于TCAD的NBTI效应恢复阶段仿真方法，其实现步骤为：在TCAD仿真软件中生成目标器件结构并定义模型，对目标器件进行退化仿真，对退化后的目标器件进行恢复仿真，分别计算退化后的目标器件以及不同恢复时刻的目标器件在沟道区域和栅极氧化层界面处ABDWT模型带电状态比率的平均值，计算每个恢复时刻带电状态比率的比值，最终与退化后的目标器件的阈值电压退化量相乘得到每个恢复时刻的阈值电压退化量。本发明具有完全基于TCAD仿真工具开发，操作及计算简便，能反应微观粒子真实行为，数据误差小的优点。
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公开(公告)号：CN115354279A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211020243.2
申请日：2022-08-24
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/32 , C23C4/073 , C23C4/134 , C23C4/129 , C23C14/16 , C23C14/35 , C23C4/18 , C23C14/58 , C23C28/00 , C23C14/02
摘要： 一种应用于单晶镍基合金与表面热障涂层间的扩散屏蔽层及其制备方法，先对单晶镍基合金表面进行预处理及离子刻蚀；再在单晶镍基合金表面喷涂ZrN扩散屏蔽层；然后在ZrN扩散屏蔽层外侧喷涂MCrAlY金属粘结层；最后对单晶镍基合金表面沉积的材料进行高温淬火热处理，得到涂层与基体间具有纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层；利用在热障涂层与单晶镍基合金基体之间制备具有纳米孪晶结构的ZrN扩散屏蔽层以抑制热障涂层与基体之间的元素互扩散行为，具有优异的扩散屏蔽作用；对ZrN扩散屏蔽层进行淬火热处理生成纳米孪晶结构，起到增韧ZrN的效果，提高ZrN与内侧单晶基体及外侧热障涂层间的结合性能。
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公开(公告)号：CN113791404A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111081641.0
申请日：2021-09-15
申请人： 电子科技大学长三角研究院(衢州)
摘要： 本发明公开了一种基于正交频分信号的雷达解模糊及遮挡的方法，涉及雷达领域，解决了现有技术中距离模糊和遮挡、速度模糊的问题。本发明包括根据雷达最远探测距离所对应的最大时长和脉冲重复时间间隔PRI，确定在最大探测距离所对应的时间内，采用高重频模式发射正交LFM脉冲信号的个数；对得到的回波矩阵R配合发射脉冲LFM信号进行频域脉冲压缩处理得到处理后的新回波矩阵，并对回波矩阵做MTD处理。本发明同时解决距离遮挡、距离模糊、速度模糊问题。
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公开(公告)号：CN113031448A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110314998.2
申请日：2021-03-24
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G05B13/04
摘要： 本发明提出了一种基于神经网络的飞行器上升段轨迹优化方法，用于解决现有技术中存在的实时性和适应性较差的技术问题，包括以下步骤：步骤一：建立发射惯性系下飞行器上升段连续最优控制问题；步骤二：获取发射惯性坐标系下飞行器真空飞行段的连续两点边值问题；步骤三：获取飞行器的标称参数和非标称参数；步骤四：对发射惯性坐标系下飞行器上升段连续最优控制问题进行离线求解；步骤五：对发射惯性坐标系下飞行器真空飞行段的连续两点边值问题进行离线求解；步骤六：构建神经网络并对其进行离线训练；步骤七、在线获取飞行器上升段的轨迹优化结果。
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公开(公告)号：CN109959696B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910224882.2
申请日：2019-03-24
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 本发明公开了一种基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器，主要解决常规半导体生物传感器无法辨别中性生物分子，检测敏感精度低的问题，其包括：SOI衬底(1)和互连金属(9)；SOI衬底的两侧设有隔离槽(2)，SOI衬底的上表面设有源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)；沟道区的表面设有栅介质层(5)；栅介质层的上表面设有栅极金属(7)；栅介质层的左侧设有生物填层(8)。其中，源区采用锗材料；沟道区和栅介质层均采用L形结构；沟道区采用非均匀掺杂，水平沟道区(41)用本征掺杂，垂直沟道区(42)用浓度为1017～1018cm‑3的N型掺杂。本发明能检测电中性的生物分子，提高检测敏感精度，降低实现成本。
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公开(公告)号：CN108538911B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201810398738.6
申请日：2018-04-28
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/08
摘要： 本发明公开了一种优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅极区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅极区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)采用锗半导体材料，栅极区(5)采用异质栅介质结构，且靠近源区一侧采用高K栅介质材料，靠近漏区一侧采用低K栅介质材料；漏区(6)与栅极区(5)的右边界设有间隔S。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。
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公开(公告)号：CN109586696B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201811450107.0
申请日：2018-11-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H03K5/24
摘要： 本发明公开了一种用于动态比较器的失调电压校正电路，主要解决现有技术未能直接对比较器输入支路进行电流补偿的问题，其包括校正启动电路，相位探测器，计数器、多倍率开关电流源及比较器。比较器通过相位探测器与计数器连接，触发信号产生电路连接在相位探测器的输入端，多倍率开关电流源连接在比较器与计数器之间。在外界信号作用下，触发信号产生电路启动相位探测器控制计数器工作，计数器输出信号改变多倍率开关电流源对比较器输入支路进行补偿的电流值以降低失调电压。本发明直接对比较器输入支路进行电流补偿，提高了校正电路线性度，降低校正电路功耗和面积。
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公开(公告)号：CN106385302B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201610167517.9
申请日：2016-03-22
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H04L1/00
摘要： 本发明公开了一种基于OOK调制的非对称信道下的优化LDPC码度分布联合搜寻方法，这种方法根据OOK调制下的光电二极管精确的光电转换模型来计算LDPC码度分布初始变量消息空间的密度分布，进行LDPC码度分布的迭代密度进化，因此能够更准确的评估LDPC码在该信道下的编译码性能；采用联合进化更新方法，同时使用遗传进化、差分进化、粒子群进化、模拟退火算法进行优化搜索，通过考虑了各种算法的权重配比，并定期进行打乱种群和插入优异个体的操作，从种群规模和迭代更新次数两方面调整各种算法的权重，能够发挥联合搜索的全局优势，规避单种算法的局限性，提高搜索效率。增强了搜索算法全局性与稳健性；限制了搜索空间，使得搜索得以有效进行。
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公开(公告)号：CN109887998A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910170536.0
申请日：2019-03-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739
摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有折叠槽栅的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用非等深介质槽及折叠槽栅。正向耐压时，非等深介质槽调制横向电场，使均匀掺杂的漂移区承受高压；正向导通时，介质槽阻碍空穴流入发射极，提升发射极附近漂移区的空穴浓度，实现电子注入增强效应降低器件导通压降；漂移区均匀掺杂使靠近集电极一侧漂移区浓度远低于传统薄SOI层线性掺杂器件的集电极一侧漂移区浓度，使集电极注入效率提升；器件电导调制效应增强，正向导通压降减小。折叠槽栅增大沟道密度，极大提升了器件饱和电流能力。本发明的有益效果为，相对于传统薄SOI LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降以及更高的饱和电流能力，Von-Eoff折中更佳。
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公开(公告)号：CN105490775B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510848143.2
申请日：2015-11-30
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H04L1/00
摘要： 本发明公开了一种基于M‑QAM信号的比特对数似然比值的量化方法，包括以下步骤：S10:根据M‑QAM(M＝2m)技术的映射关系，计算得到每一个调制符号比特位bk的对数似然比值LRp(bk),对同一符号不同比特位bk的对数似然比值LRp(bk)采用不同的量化阶数和量化门限；S20:通过对数压缩器获得对数似然比值LRp(bk)对应的压缩数值x′k；S30:对压缩数值x′k进行中平型均匀量化，获得均匀量化结果Iu(x′)；S40:将均匀量化结果Iu(x′)输入指数扩张器进行非均匀量化，得到相应比特bk的归一化的非均匀量化输出结果x'k,nuq。相对于现有的量化译码方案，本发明的方法引入基于压扩律的非均匀量化法，在保证量化精度的同时降低了系统量化阶数，使得大量的弱信号信息能被有效表示，并参与迭代译码，提高译码器的译码性能。
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