公开(公告)号：CN1533579A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN02814520.8

申请日：2002-07-18

Applicant: 索尼公司

Inventor： 八木贵郎 ,  岛村敏规

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 冷阴极场致电子发射部件由以下部分构成：设置于支持体10上的阴电极11；形成于支持体10和阴电极11之上的绝缘层12；形成于绝缘层12上的栅电极13；形成于栅电极13和绝缘层12的开口部14A、14B；在位于开口部14B底部的阴电极11部分之上所形成的电子发射部15。电子发射部15由基质21和以前端部突出的状态埋置于该基质21中的碳纳米管结构体20构成。

公开(公告)号：CN1532869A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03114070.X

申请日：2003-03-26

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 胡昭复 ,  陈丕瑾 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J9/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种场发射显示器的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底上沉积阴极电极，并形成场发射点阵；选择金属板材光刻出与场发射显示点阵相对应的阴罩；在阴罩表面沉积绝缘材料形成阻隔壁；在阻隔壁表面沉积栅极电极；将阻隔壁固定在基底上；将荧光屏与基底封接。该场发射显示器的制备方法利用阴极射线管中非常成熟的阴罩制备工艺，通过在其表面沉积绝缘材料而形成高精度的阻隔壁，可实现具有耗时少，无污染，高精度且适用于大面积制备的阻隔壁的场发射显示器的制备。

公开(公告)号：CN1518047A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN03155198.X

申请日：2003-08-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李受贞 ,  金薰英

IPC: H01J31/12 ,  H01J9/20

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种平板显示设备，包括：第一基板、形成在第一基板上的电子发射装置、被设置在离开所述第一基板预定距离处并且与所述第一基板组成一个真空装置的第二基板、以及形成在第二基板上的发光装置，该发光装置被从电子发射装置中发射出来的电子点亮。该发光装置包括形成在第二基板面向第一基板的表面上的至少一个阳极电极、以预定样式形成在该至少一个阳极电极上的荧光层、以及在荧光层上由碳基材料形成的导电层。

公开(公告)号：CN1447978A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01811636.1

申请日：2001-06-19

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： R·J·布查德 ,  L·-T·A·程 ,  J·G·拉文 ,  D·H·罗奇

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法，包括对场致电子发射体的表面施加力，其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉，从而形成新的场致电子发射体表面。

公开(公告)号：CN1421378A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02107444.5

申请日：2002-03-15

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 岸健太郎 ,  吉沢久江 ,  渡边浩之 ,  长谷川真史 ,  山田宏一 ,  渡边美穗

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/04

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 空心石墨片结构具有以连续形状设置的至少一对空心石墨片材料，其中该对空心石墨片材料的相邻端以一个间隙彼此相对。

公开(公告)号：CN1417830A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02150222.6

申请日：2002-11-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 日高贵志夫 ,  沼田义道 ,  林原光男 ,  本田光利 ,  内藤孝 ,  儿玉英世

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明的目的在于提供与占空驱动对应的电场发射电子源和其每个元件的尺寸为50纳米以下的电极器件和电极器件的制造方法。本发明的电极器件和电极器件的制造方法的特征在于：通过在基板上对成为碳纳米管生成的催化剂的玻璃进行成膜，可进行纳米级的金属催化剂的形成和离散性控制，一边进行离散控制，一边在其上生成碳纳米管，通过在该纳米管上进行金属覆盖，提高了电脉冲的响应特性。

公开(公告)号：CN1395270A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02141076.3

申请日：2002-03-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 河手信一 ,  塚本健夫

IPC: H01J1/30 ,  B01J23/44 ,  H01M4/58

CPC classification number: H01J9/025 ,  B01J23/44 ,  B01J23/63 ,  B01J23/89 ,  B01J23/8913 ,  B01J23/892 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/347 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  D01F9/127 ,  D01F9/1273 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/724 ,  Y10S977/749

Abstract: 一种用于促进碳纤维生长的催化剂，该碳纤维能在低温下令人满意地生长而不需要复杂的过程，而且适用于例如电子发射装置。用于碳纤维生长的催化剂包含Pd和选自Fe，Co，Ni，Y，Rh，Pt，La，Ce，Pr，Nd，Gd，Tb，Dy，Ho，Er和Lu中的至少一种元素，其中所包含的被选择的至少一种元素与Pd的比率为20－80atm％(原子百分比)。

公开(公告)号：CN1375451A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02118355.4

申请日：2002-03-12

Applicant: 双叶电子工业株式会社 ,  滝川浩史

Inventor： 滝川浩史 ,  日比美彦 ,  伊藤茂生

IPC: C01B31/02 ,  H01T19/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B01J19/088 ,  B01J2219/082 ,  B01J2219/0839 ,  B01J2219/0869 ,  B01J2219/0875 ,  B01J2219/0879 ,  B01J2219/0892 ,  B01J2219/0894 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/152 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  H01J37/32055 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2209/022 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/483 ,  H05H2245/124 ,  Y10S977/844 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供一种制备纳米碳的方法,该方法包括通过电弧放电,蒸发一种以碳作为主要成分的产生电弧的材料,该方法不需要加工容器等,但是需要一种设备,该设备有焊接电弧焊炬或类似结构,从而生成烟炱。提供一种以该烟炱制备电子发射源的方法和设备。作为第一电极的电弧焊炬1的焊炬电极10放置在使用石墨作为第二电极的产生电弧的材料的对面。在焊炬电极10和产生电弧的材料的边缘部分提供电压,产生电弧放电,从而蒸发暴露在电弧放电区域的产生电弧的材料的边缘,生成烟炱。生成的烟炱通过一个具有图案开孔的掩模版沉积在衬底上面,该衬底放置在电弧放电区域的对面。

公开(公告)号：CN1354130A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01133899.7

申请日：2001-11-21

Applicant: 滝川浩史 ,  双叶电子工业株式会社

Inventor： 滝川浩史 ,  日比美彦

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: B01J19/088 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/082 ,  B01J2219/0822 ,  B01J2219/083 ,  B01J2219/0839 ,  B01J2219/0886 ,  B01J2219/0892 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/844

Abstract: 一种能够因电弧放电而使主要包括石墨的电弧处理材料的表面瞬间形成纳米管的方法和装置,该电弧放电利用类似焊接电弧焊炬等的单元进行,而无需处理容器,这形成用于电子发射源的纳米管。用作第一电极的焊炬电极与由石墨制成且用作第二电极的电弧处理材料彼此相对设置。将电压加载到两个电极之间,以在其间产生电弧放电。将具有开口图案的掩膜设置在电弧处理材料上,使得仅位于电弧处理材料表面上与掩膜开口相对应的部分上的石墨暴露给电弧,从而形成纳米管。

公开(公告)号：CN105448623B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410269167.8

申请日：2014-06-17

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/939

Abstract: 本发明涉及一种场发射体的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面；在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层断开，在断开处形成多个电子发射端。