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公开(公告)号：CN110168328A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201880005792.8
申请日：2018-03-15
申请人： 宝马股份公司
发明人： G·韦尔夫尔
IPC分类号： G01K7/01
摘要： 本发明涉及一种用于借助温度测量电路确定至少一个电子开关元件(16)的温度的方法。首先，阻断电子模块(12)的第一电子开关元件(14)并且导通电子模块(12)的第二电子开关元件(16)。然后，将电压测量单元(20)与电子模块(12)耦联并且测量第二电子开关元件(16)上的电压降。另外，确定流过第二电子开关元件(16)的电流的电流强度并且通过考虑测量的电压降和确定的电流强度确定第二电子开关元件(16)的温度。此外，还描述了一种用于确定至少一个电子开关元件(16)的温度的电子组件(10)。
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公开(公告)号：CN110068394A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910276107.1
申请日：2019-04-08
申请人： 上海艾为电子技术股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种芯片温度检测电路和音频功率放大器，包括温度采样单元、第一控制单元、第一缓冲单元、第二缓冲单元、第二控制单元和比较放大单元，从而可以通过温度采样单元、缓冲单元和比较放大单元获得温度采样电压，以根据温度采样电压获得芯片的温度，消除温度变化对喇叭电流检测的影响；通过在第一状态下和第二状态下交替运行的第一控制单元和第二控制单元，消除缓冲单元的工艺偏差产生的失调电压对温度采样电压的影响，提高芯片温度检测结果的准确度。
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公开(公告)号：CN109855750A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910261701.3
申请日：2019-04-02
申请人： 深圳市思坦科技有限公司
IPC分类号： G01K7/01
摘要： 本发明实施例公开了一种温度测量装置及测量方法。其中温度测量装置包括恒流电路、Micro-LED以及电压检测电路；恒流电路与Micro-LED电连接，用于向Micro-LED输入恒定的第一电流，其中，第一电流小于Micro-LED发光时的电流阈值；电压检测电路与Micro-LED电连接，用于测量Micro-LED的两个电极之间的电压，并输出检测温度。本发明实施例的技术方案，解决温度测量的问题，实现快速高精度的温度测量。
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公开(公告)号：CN109813455A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910281118.9
申请日：2019-04-09
申请人： 杭州万高科技股份有限公司
IPC分类号： G01K7/01
摘要： 本发明公开了一种CMOS温度传感器，包括：压控电流源使得第一支路和第二支路的电压降相等并向这两支路提供偏置电流IBIAS，向第一状态的模数转换电路输出IPTAT＝a·IBIAS；在模数转换电路处于第二状态时向第三三极管输出IPTAT2＝b·IBIAS；第一支路中的第一三极管与第一电阻串联，第二支路中的补偿电阻与第二三极管的集电极及基极连接；第一开关电路与补偿电阻并联，在模数转换电路处于第一状态时导通，第二状态时关断。电压电流转换电路在模数转换电路处于第二状态时产生与VBEQ3线性相关的ICTAT；模数转换电路利用IPTAT以及ICTAT输出与温度线性相关的X以确定环境温度；第一三极管与第二三极管的面积比为P:1，第一电阻的阻值与补偿电阻的阻值相等。本申请避免了电流增益β降低导致的测试精度降低的情况。
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公开(公告)号：CN107275171B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710581093.5
申请日：2015-03-17
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本发明的各个实施例涉及集成真空微电子结构及其制造方法。描述了一种集成真空微电子结构，该结构包括：高掺杂半导体衬底；置于所述掺杂半导体衬底上方的第一绝缘层；置于所述第一绝缘层上方的第一导电层；置于所述第一导电上方的第二绝缘层；形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层内的真空沟槽，该真空沟槽延伸至高掺杂半导体衬底；置于所述真空沟槽上方的第二导电层，其作为阴极；置于所述掺杂半导体衬底下的第三金属层，其作为阳极；将所述第二导电层置于与所述真空沟槽的上边缘相邻，其中所述第一导电层被所述第二绝缘层的部分与所述真空沟槽分隔开，并且该第一导电层与所述第二导电层电接触。
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公开(公告)号：CN109556748A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811602863.0
申请日：2018-12-26
申请人： 西安邮电大学
发明人： 陈海峰
IPC分类号： G01K7/01
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，包括：测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的最大电流Igemax；根据最大电流Igemax在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度。依据本申请的基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，由于在漏极电压Vd的作用下使得PN结反偏且MOSFET的源极悬浮时，此时栅极电压Vg使得栅底下的沟道进入到耗尽状态，此时MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的电流Ige非常小，因此Ige对温度的变化异常敏感因此更易探测出温度的变化，同时探测范围大，经过测试可以探测到250K~400K的温度范围；另外，在进行温度测试时由于是直流测试，因此具有对器件要求较低。
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公开(公告)号：CN109323773A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710637412.X
申请日：2017-07-31
申请人： 惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种车内温度传感器结构，包括支架以及温度传感器，支架包括传感器安装部、锁定部以及定位部；传感器安装包括连接座以及沿连接座底部向后端延伸而出的连接孔；锁定部设置在传感器安装部后端，定位部设置在锁定部的至少一侧；温度传感器固定在连接座上，并且其引脚穿过连接孔后在后端形成直接与电路板连接的连接脚。本发明的所起到的有益效果包括：1）直接以集成温度传感器来料状态，将传感器放入塑胶注塑模具中，镶嵌注塑，实现高精度封装；同时以来料状态直接使用，不用剪管脚，不用折弯，省去了来料加工工序。2）集成温度传感器的管脚直接当做连接器PIN脚与主板实现电气连接，不用采用PCB过渡连接，也不用另外采用专用连接器。
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公开(公告)号：CN105980006B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201580007121.1
申请日：2015-01-22
申请人： 波士顿科学神经调制公司
发明人： 伊曼纽尔·费尔德曼 , 戈兰·N·马恩费尔特
摘要： 公开了用于植入式医疗装置(IMD)的温度感测电路，其可以被集成到IMD中的集成电路中且吸取非常少的功率，因此使得能够在没有过度的电池消耗的情况下实现连续的温度监视。温度传感器和阈值设置电路产生指示感测到的温度和至少一个温度阈值的模拟电压信号。此类电路采用Ptat电流参考级和附加级，该级包括基于期望温度阈值而设置的且将设置感测到的温度的电压范围的电阻。这些模拟电压在温度阈值检测电路处被接收到，其产生指示感测到的温度是否已超过温度阈值的数字信号。该数字信号然后被提供给IMD中的数字电路，在那里，其可以被作为时间的函数而存储以供稍后检查，或者立即用来控制IMD操作。
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公开(公告)号：CN108827479A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810369041.6
申请日：2018-04-23
申请人： 重庆市智权之路科技有限公司
发明人： 刘玉蓉
摘要： 本发明提出了一种远程实时获取大数据中温度信息的工作系统，包括：第一温度传感器、第二温度传感器、转换解码电路、处理器和参考信号电路；第一温度传感器信号发送端连接转换解码电路第一信号接收端，第二温度传感器信号发送端连接转换解码电路第二信号接收端，转换解码电路信号发送端连接处理器信号接收端，参考信号电路信号发送端连接转换解码电路参考信号接收端。该模块功耗低、采样精度高、可靠性好、接口简便，通过第一温度传感器和第二温度传感器分别对试验温度数据进行采集，从而传输到计算机进行远程监控。
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公开(公告)号：CN108445654A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810297861.9
申请日：2018-03-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
CPC分类号： G02F1/1309 , G01K7/01 , G01K2215/00
摘要： 本公开提供了一种阵列基板、显示装置、温度检测方法及装置，属于显示领域。阵列基板包括若干个像素单元、多条栅线、多条数据线和至少一条温度感测线，每个像素单元内均设有像素电极和像素电路，像素电路包括第一极与所在像素单元内的像素电极相连的第一晶体管，若干个像素单元中包括至少一个感温像素单元；每个第一晶体管的栅极与多条栅线中的一条相连；每个像素电路与多条数据线中的一条相连；每个感温像素单元内的第一晶体管的第二极与一条温度感测线相连，每个感温像素单元内的像素电路还包括开关模块，其被配置为在数据线上为有效电平时将该数据线与第一晶体管的第二极电连接。本公开能够以一种简单的方式在显示屏内部实现温度检测。
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