公开(公告)号：CN113168695B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201980079469.X

申请日：2019-12-06

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： S·巴塔查里亚 ,  J·乔治 ,  S·帕拉马西万 ,  M·普利哈尔

IPC分类号： G06T7/00 ,  G06T5/20 ,  G06T7/11 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本发明公开一种用于缺陷重检及分类的系统。所述系统可包含控制器，其中所述控制器可经配置以接收样品的一或多个训练图像。所述一或多个训练图像包含多个训练缺陷。所述控制器可进一步经配置以将多个差值滤波器应用到所述一或多个训练图像，且接收指示所述多个差值滤波器的至少一部分的差值滤波器有效性度量的分类的信号。所述控制器可进一步经配置以基于所述所接收分类及所述多个训练缺陷的属性而生成深度学习网络分类器。所述控制器可进一步经配置以提取所述深度学习网络分类器的卷积层滤波器，且基于所述所提取的卷积层滤波器而生成一或多个差值滤波器配方。

公开(公告)号：CN111684563B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201980011542.X

申请日：2019-02-11

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： G·德尔加多 ,  R·加西亚 ,  K·艾奥凯密迪 ,  Z·马克斯 ,  G·洛佩兹 ,  F·希尔 ,  M·罗梅洛

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J37/063

摘要： 所述系统包含光电阴极电子源、衍射光学元件及用以聚焦小光束的微透镜阵列。源将辐射光束引导到所述衍射光学元件，所述衍射光学元件产生小光束阵列以与光电阴极表面结合使用以从所述小光束产生电子束阵列。

公开(公告)号：CN114746991A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080083663.8

申请日：2020-12-01

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： S·潘戴夫

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N21/88 ,  G01N21/95 ,  G06T17/00

摘要： 本文中呈现了用于与半导体结构的基于经断层摄影解析的图像的测量相关联的经改进正则化的方法及系统。本文中所描述的正则化基于捕获已知工艺变化的受约束体素模型的测量数据及参数化。基于简化几何模型、工艺模型或者两者来确定所述受约束体素模型，从而表征被测量结构。与未受约束体素模型相比，受约束体素模型具有明显较少自由度。与所述受约束体素模型的每一体素相关联的值取决于相对小数目的自变量。所述自变量的选择由对所述结构及基本制造工艺的了解提供。基于受约束体素模型的正则化使得能够以较少计算工作量更快速地收敛及更精确地重构经测量结构。这使得能够以经减少数据采集要求及经减少测量时间进行半导体测量。

公开(公告)号：CN114746811A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080084015.4

申请日：2020-12-08

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： S·布尔 ,  P·格罗杰 ,  P·落姆查齐尔

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明公开一种晶片曝光方法，其从预定测量位点处的晶片结构获得临界尺寸值。获得用于形成所述晶片结构的曝光工艺的位置相依工艺参数。从所述测量位点处的所述临界尺寸值确定预设模型及至少一个进一步模型的系数。每一进一步模型在至少一项上不同于所述预设模型及其它模型。所述模型估算随至少两个位置坐标变化的所述临界尺寸值、所述工艺参数及/或所述工艺参数的校正值。确定从所述模型获得的估算临界尺寸值与所述测量位点处所获得的所述临界尺寸值之间的残差。从所述预设模型及所述至少一个进一步模型中选择更新模型。所述选择是基于使所述残差、所述模型的项的数目及/或所述模型的阶或项加权的准则。

公开(公告)号：CN114746739A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080083596.X

申请日：2020-12-01

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 刘秀梅

IPC分类号： G01N21/17 ,  G01N21/95 ,  G01N21/88

摘要： 将光束从光源引导于卡盘上的晶片处。从所述晶片反射所述光束朝向2D成像相机。所述光束的路径中的可移动聚焦透镜可独立地改变照明共轭及集光共轭。可使用照明路径中的结构化掩模且可引导所述光束穿过所述结构化掩模中的孔径。使用所述2D成像相机产生晶片在无直接照明的区带中的灰场图像且可使用所述灰场图像确定缺陷在所述晶片上的位置。

公开(公告)号：CN107454980B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201680020114.X

申请日：2016-04-01

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： K·韦尔斯 ,  李晓春 ,  高理升 ,  罗涛 ,  M·胡贝尔

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明提供用于检测晶片上的缺陷的方法和系统。一种系统包含经配置以基于用于印刷在所述晶片上的设计的信息产生呈现图像的一或多个计算机子系统。所述呈现图像是由光学检验子系统针对印刷在所述晶片上的所述设计产生的图像的模拟。所述计算机子系统也经配置用于比较所述呈现图像与由所述光学检验子系统产生的所述晶片的光学图像。使用光罩将所述设计印刷在所述晶片上。另外，所述计算机子系统经配置用于基于所述比较的结果检测所述晶片上的缺陷。

公开(公告)号：CN110313058B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201880009158.1

申请日：2018-01-26

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： K·哈勒尔

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本文中描述用于检测晶片表面上的颗粒缺陷，将所述颗粒转化为光谱活性状态，且通过光谱技术来识别所述经活化的颗粒的材料组成的方法及系统。颗粒缺陷是通过化学处理、热处理、光化学处理或其组合转化，使得经活化的颗粒展现可光谱观察的原子振动带。在一个实施例中，表面检验系统检测晶片表面上颗粒缺陷的存在，活化所述经检测的颗粒中的一或多者中的可观察拉曼带，且通过光谱技术来识别所述经活化的颗粒的所述材料组成。通过在相同检验工具上执行缺陷检测及组成分析两者，无需将晶片转移到不同重检工具或工具组合，以执行沉积在半导体晶片上的颗粒缺陷的组成分析。

公开(公告)号：CN107924850B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201680047524.3

申请日：2016-08-27

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： A·帕克 ,  A·古普塔 ,  J·劳贝尔

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明提供用于确定将对样本执行的过程的参数的方法及系统。一种系统包含经配置用于确定在样本上检测到的缺陷的区域的一或多个计算机子系统。所述计算机子系统还经配置用于将所述缺陷的所述区域与所述样本的设计的信息相互关联且基于所述相互关联的结果确定所述缺陷的所述区域与所述设计的所述信息之间的空间关系。另外，所述计算机子系统经配置用于基于所述空间关系自动产生待在针对所述样本执行的过程期间使用测量子系统测量的所关注区。

公开(公告)号：CN111699431B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN201980011635.2

申请日：2019-02-11

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 许志伟 ,  黄春圣 ,  李晴

IPC分类号： G02B26/06 ,  G02B27/42

摘要： 本发明揭示一种用于光学检验工具的光束成形器，其包含：聚焦透镜，其用以使光束以一倾斜入射角聚焦到目标上；及相位调制器，其用以在所述光束以所述倾斜入射角聚焦到所述目标上时使所述光束的顶部在所述目标的平面中基本上变平。

公开(公告)号：CN109690747B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201780054143.2

申请日：2017-09-21

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： M·尼尔 ,  F·拉斯克

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67

摘要： 本文中呈现用电子束柱阵列来对多个裸片执行测量的方法及系统。沿与安置于晶片上的裸片行平行的方向扫描所述晶片。所述电子束测量柱沿柱对准方向在空间上分隔开。沿相对于所述柱对准方向以倾斜角定向的方向扫描所述晶片，使得在同一晶片通过期间每一电子束柱测量不同裸片上的相同裸片特征行。所述晶片是通过旋转所述晶片、旋转所述电子束柱或其两者而相对于所述电子束柱阵列定向。在其它方面中，使每一测量束偏转以校正每一柱与待测量的所述对应裸片行之间的对准误差且校正由晶片定位系统报告的晶片定位误差。