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公开(公告)号：CN110849843A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911073728.6
申请日：2019-11-06
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明提出了一种基于级联U型波导嵌套微环的硅基折射率传感器，自下而上依次由层叠的硅衬底层、二氧化硅下包层、单晶硅芯层、二氧化硅上包层构成，所述的单晶硅芯层中的第一直波导的输出与第一U型波导的输入相连，第一U型波导的输出与第二直波导的输入相连，第二直波导的输出与第二U型波导的输入相连，第二U型波导的输出与第三直波导的输入相连；第一微环谐振腔位于第一U型波导内侧的第一直波导与第二直波导之间，第二微环谐振腔位于第二U型波导内侧的第二直波导与第三直波导之间。与同尺寸级联微环型传感器相比，所述结构能够在提高传感灵敏度的基础上，将传感检测范围提高一倍。具有灵敏度高，传感范围大，利于片上集成等优点。
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公开(公告)号：CN110308573A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910641184.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于加载条形结构的硅/PLZT混合波导的马赫曾德尔电光调制器，包括硅芯层和铁电薄膜下包层，二氧化硅上包层结构的波导；以及基于MMI的马赫曾德尔干涉仪结构；为实现高速电光调制而设计的共面波导电极结构。本调制器从上至下依此为共面波导电极，二氧化硅上包层，硅波导层，PLZT下包层，NST基底。其中共面电极可以加载射频信号，将射频信号加载到光波中，实现电光调制。本发明可以实现高调制深度、低传输损耗、高调制带宽，可以应用在集成高速微波光网络中。
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公开(公告)号：CN109001158A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810651989.0
申请日：2018-06-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/41
CPC classification number: G01N21/4133
Abstract: 本发明公开了一种基于双内齿轮环形腔的纳米传感器，包括基底和分布在所述基底上的纳米金属结构，所述纳米金属结构包括：内齿轮环形耦合腔以及耦合腔下的直波导；内齿轮环形耦合腔包括环形及环形内部的四个突出的齿形结构；可通过改变齿高、环形半径等参数来改变谐振波长的位置，从而扩大使用范围。本发明是利用金属表面等离激元效应原理，使用金属-介质-金属波导结构进行设计的基于双内齿轮环形腔的纳米传感器，结构相对简单、折射率敏感度高、制备方便，可应用于生物传感器、化学传感器等。
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公开(公告)号：CN105388637B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510953020.5
申请日：2015-12-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关，包括一个硅脊型直波导，作为SOI基1×2热光开关与外接单模光纤的接口；一个拉锥型的硅脊型波导Y分支，作为1×2热光开关的3‑dB光学分束器，用于将输入光波等量的分成两束；六个S形硅脊型弯曲波导，分别用于Y分支与两侧调制臂以及调制臂与定向耦合器的连接，并且将经过定向耦合器调制后的光输出；两个介质沉积型表面等离子波导，位于1×2热光开关的两侧调制臂上，用于MZI结构的相位调制；一个硅脊型波导的定向耦合器，用于对相位调制后的两束光进行多模干涉，将相位调制转化为强度调制。本发明具有响应快、集成化程度高、开关功耗低等特性。
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公开(公告)号：CN105388637A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510953020.5
申请日：2015-12-17
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G02F1/0147 , G02B6/122 , G02B6/125 , G02B6/2813 , G02B6/355 , G02F1/011 , G02F1/3132 , G02F1/3137 , G02F2001/0113
Abstract: 本发明公开了一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关，包括一个硅脊型直波导，作为SOI基1×2热光开关与外接单模光纤的接口；一个拉锥型的硅脊型波导Y分支，作为1×2热光开关的3-dB光学分束器，用于将输入光波等量的分成两束；六个S形硅脊型弯曲波导，分别用于Y分支与两侧调制臂以及调制臂与定向耦合器的连接，并且将经过定向耦合器调制后的光输出；两个介质沉积型表面等离子波导，位于1×2热光开关的两侧调制臂上，用于MZI结构的相位调制；一个硅脊型波导的定向耦合器，用于对相位调制后的两束光进行多模干涉，将相位调制转化为强度调制。本发明具有响应快、集成化程度高、开关功耗低等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104865223A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510280048.7
申请日：2015-05-27
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅波导布拉格光栅折射率传感芯片。包括基底、下包层、上包层、芯层；下包层在基底的上表面；芯层在下包层的上表面；芯层上表面以及芯层周侧的下包层上表面均与上包层的下表面贴合；波导芯层中心区域的宽度呈周期性变化构成波导布拉格光栅；挖空覆盖于波导布拉格光栅的上包层形成凹槽；凹槽中的待测液体与芯层接触；通过检测波导布拉格光栅中心波长的偏移量实现折射率传感。本发明还提供了该芯片的制备方法：在基底上制作二氧化硅下包层，在下包层上制作氮化硅芯层，在芯层上制作矩形波导和波导布拉格光栅结构，然后制作二氧化硅上包层，最后挖空上包层中心区域形成凹槽。该传感器芯片在生化传感领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102914881B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110418738.6
申请日：2011-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双电极温度调谐聚合物波导Bragg双面光栅滤波器，包括恒温板、硅基板、下包层、下电极、波导双面光栅、上包层和上电极，所述恒温板、硅基板、下包层、下电极、波导双面光栅、上包层和上电极从下往上依次叠合在一起；所述下电极和上电极均设有电极引线，并通过该电极引线与电流源连接组成升温装置；所述波导双面光栅包括下光栅、直波导和上光栅，并由所述下光栅、直波导和上光栅从下至上依次叠合构成。本发明在波导双面光栅两侧均刻有光栅结构，从而使周期波导有效折射率的差值会随之增大，反射率也会增大；同时调谐速率更快，反射谱参数更稳定，实现很好的反射、调谐效果，可有效减小光栅的长度，做到利于器件集成的效果。
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公开(公告)号：CN104849878A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510298938.0
申请日：2015-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0147 , G02F2201/06 , G02F2202/10
Abstract: 本发明公开了一种基于马赫-曾德结构的氮化硅波导热光开关阵列芯片及其制作方法，该波导热光开关阵列芯片由多个级联的1×2马赫-曾德型氮化硅波导热光开关单元构成，其中每个1×2马赫-曾德型氮化硅波导热光开关单元包括一根输入光波导、一个1×2分支光波导、一根参考臂光波导、一根干涉臂光波导、一个3dB定向耦合器、两根输出光波导。该氮化硅波导热光开关阵列芯片器件尺寸小、损耗低、加工工艺简单、与半导体CMOS工艺兼容、成本低廉、易于集成，在光通信与片上光互连领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114975622B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210617969.8
申请日：2022-06-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/205 , H01L29/06
Abstract: 本发明的一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管，包括由下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层和电子阻挡层；在电子阻挡层上表面设置有依次排列的GaN沟道层、p‑GaN通道区、n‑GaN漂移区、p+‑GaN集电区；在所述GaN沟道层上表面设置有Alx1Ga1‑x1N势垒层；在所述p‑GaN通道区和n‑GaN漂移区上表面设置绝缘层；在p+‑GaN集电区上表面设置有阳极。在Alx1Ga1‑x1N势垒层上表面设置阴极，在所述绝缘层上设置栅极，栅极所在区域与p‑GaN通道区相对应。本发明的绝缘栅双极型晶体管高频响应特性更优，可彻底消除存在于传统IGBT中的闩锁效应。
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公开(公告)号：CN114488409B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210120499.4
申请日：2022-02-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可调耦合器级联耦合共振光波导的可重构光学滤波器芯片，包括两个光输入端口、可调耦合器1、移相器1、移相器2、耦合共振光波导、两个光输出端口。所述可调耦合器包括左上输入端、左下输入端、右上输出端、右下输出端四个端口，两个分光比为50:50的耦合器和移相器。所述耦合共振光波导结构由可调耦合器2、可调耦合器3和可调耦合器4与四个弯曲光波导相互连接构成，包含左上输入端、左下输入端、右上输出端、右下输出端四个端口。通过调节所述可调耦合器中的移相器可以改变可调耦合器两个输出端口的分光比。本发明具有灵活的可重构性、集成度高、功能多样，可以应用于集成光子滤波和微波光子信号处理领域中。
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