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公开(公告)号：CN111582309B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202010261917.2
申请日：2020-04-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06V10/762 , G06V10/774 , G06V10/771
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种生成设计版图坏点检测模型的方法及检测坏点的方法，该生成设计版图坏点检测模型的方法包括：基于已知版图中已标记的坏点位置，获得潜在坏点的规律；基于潜在坏点的规律，从已知版图的坏点位置中提取第一切片图形并对第一切片图形进行扩充，获得坏点样本集合；从已知版图中除坏点位置之外的其他版图位置中，提取第二切片图形并对第二切片图形进行筛选，获得非坏点样本集合；对坏点样本集合和非坏点样本集合进行特征提取，获得第一特征向量；将第一特征向量作为训练数据，输入分类器模型中进行训练，得到对坏点和非坏点进行分类的坏点分类模型，通过训练好的坏点分类模型辨别出坏点图形，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN111399335B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202010079423.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种掩模版缺陷修复方法及装置，涉及光刻技术领域，以快速准确的修复各种图形的掩模版的缺陷，使得掩模版缺陷的修复方式具有普适性。所述掩模版缺陷修复方法包括：接收掩模版的几何结构信息；根据所述掩模版的几何结构信息对掩模版图形进行分段编码，获得图形分段编码；所述图形分段编码包括至少一种图形特征分段编码；采用遗传算法对所述图形分段编码进行优化，获得图形分段编码的优化结果；根据所述图形分段编码的优化结果修复所述掩模版图形的缺陷。所述装置应用于上述技术方案所提的掩模版缺陷修复方法。本发明提供的掩模版缺陷修复方法用于修复掩模版缺陷。
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公开(公告)号：CN116819897A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310622951.1
申请日：2023-05-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种参数预算范围的确定方法、装置、存储介质及计算机设备，涉及高分辨成像系统预算分解技术领域，应用于光刻系统。其中方法包括：获取测试光刻参数，其中，测试光刻参数包括线宽参数以及周期参数；将线宽参数以及周期参数输入到预训练的分类模型中，确定分类模型输出的负结果中，距离分类模型的分类边界最远的目标负结果，并确定目标负结果对应的线宽参数以及所述周期参数；根据目标负结果对应的线宽参数、周期参数以及分类模型，确定光刻系统的参数预算范围。上述方法能够显著提高光刻系统的参数预算范围的确定精度。
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公开(公告)号：CN116819896A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310621348.1
申请日：2023-05-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种光刻参数预算的确定方法、装置、存储介质及计算机设备。其中方法包括：确定光刻系统对应的光刻参数的参数权重，并基于实验参数进行曝光实验得到实验曝光结果；在光刻参数中确定出参数组合，并基于实验参数、实验曝光结果以及参数权重，确定参数组合相对于实验参数的目标加权归一化和；针对目标加权归一化和以及曝光结果建立解析模型，利用目标加权归一化和以及曝光结果对解析模型进行模型拟合，得到拟合模型；计算拟合模型的反函数，基于预设的曝光结果范围以及拟合模型的反函数计算预算加权归一化和的取值范围，并将取值范围确定为光刻系统的光刻参数的取值范围。上述方法能提高光刻参数预算范围的计算精度。
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公开(公告)号：CN116594262A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310396852.6
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种基于表面等离子体灰度光刻系统的三维微纳结构制造方法及装置，涉及半导体制造领域。方法包括：获取表面等离子体灰度光刻系统在蝴蝶结纳米孔径开口处的场强空间分布特性；基于所述场强空间分布特性确定所述场强空间分布特性和蝴蝶结纳米孔径间隙大小的对应关系；基于所述场强空间分布特性和间隙大小的对应关系对所述表面等离子体灰度光刻系统的曝光剂量进行灰度化调控，确定目标三维微纳结构对应的灰度曝光输入图形；将所述灰度曝光输入图形输入至所述表面等离子体灰度光刻系统的光刻成像模型和光刻胶成像模型进行曝光处理，确定曝光图形对应的图形质量参数，能够极大地提高三维微纳结构的曝光质量，具有较大的实际应用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116027644A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310111124.6
申请日：2023-02-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F9/00
Abstract: 本申请提供了一种光刻对准结构及其制造方法，该结构包括：第一部分衬底和第二部分衬底；第一部分衬底的厚度不等于第二部分衬底的厚度；位于第一部分衬底一侧的硬掩膜涂层；硬掩膜涂层在第一部分衬底的正投影真包含于第一部分衬底。从而在本申请中设置了三元系光刻对准结构，相较于传统的二元系光刻对准结构来说，提升了衍射效果和衍射质量，对尺寸微调、探测光变化的敏感度降低，从而使得衍射光信号强度和质量均较好，即其对结构和工艺变化的鲁棒性更好，降低二元材料由于某种材料厚度导致的相位相消的影响。
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公开(公告)号：CN115910911A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211332075.0
申请日：2022-10-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，其中化学机械平坦化的方法包括：提供一基底结构，基底结构包括衬底和研磨停止层，基底结构内具有多条不同宽度的隔离槽，隔离槽贯穿研磨停止层并贯穿衬底的上表面；沉积绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，绝缘介质层的表面形成有不同深度的凹槽，每个凹槽位于相应的隔离槽的正上方；沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层，在同等研磨条件下第一分隔层的去除速率低于绝缘介质层的去除速率；在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理，直至去除第一分隔层；对剩余的绝缘介质层进行湿法腐蚀，以在隔离槽内形成浅沟槽隔离结构。本发明使得制备出浅沟槽隔离结构的厚度一致。
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公开(公告)号：CN115830052A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211569433.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种电子扫描显微镜图像的特征提取方法及装置，该特征提取方法设计了一种电子扫描显微镜图像的特征提取方法，通过采用非局部均值滤波方式，对电子扫描显微镜图像进行图像滤波，之后提取出电子扫描显微镜图像中图形的边缘，再进行平滑化处理和物体轮廓检测，获取电子扫描显微镜图像中图形的边缘信息；再根据图形的边缘信息，计算图形的线宽，能够利用计算机快速检测出图形的线宽，并根据图形的线宽确定相邻图形之间的间距。相比人工标注的方式，能够大量减少工作量，且提高标注效率。同时，采用非局部均值滤波方式对图像进行滤波，实际使用效果比高斯滤波更好，能够提高滤波的效果。
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公开(公告)号：CN111430261B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202010435140.7
申请日：2020-05-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本申请实施例提供了一种光刻机工艺稳定性检测方法及装置，可以利用测试掩模进行第一光刻得到待测结构，对待测结构进行扫描得到测试图像，利用测试图像和第一光刻的光刻参数建立图像与光刻参数的关联关系，这样，在实际工艺中，可以利用实际掩模进行第二光刻得到实际结构，而后对实际结构进行扫描得到实际图像，基于前述建立的图像与光刻参数的关联关系，可以确定实际图像对应的预测光刻参数，这里的预测光刻参数是计算得到的理论上能够得到实际图像所利用的光刻参数，基于预测光刻参数与第二光刻的光刻参数可以确定工艺偏差值，作为工艺检测结果，在提高预测准确性的同时，还减少了实际工艺中的计算量，能够高效的实现工艺的准确检测。
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公开(公告)号：CN112015056B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202010746691.5
申请日：2020-07-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种套刻偏差值的修正方法、电子设备及计算机可读存储介质。该方法包括：提供一包含多个曝光区域的晶圆；选择若干曝光区域，从所选的曝光区域中确定若干待测套刻标识；对每一待测套刻标识的图像进行多次计算，获得若干套刻偏差测量值；计算套刻偏差测量值的平均值和标准差，分别以平均值和标准差作为套刻偏差值和测量误差值；根据各测量误差值的大小设置与其呈负相关的权重；利用各测量误差值和设置的权重对各套刻偏差值进行加权赋值修正。本申请的方法将套刻偏差测量值的平均值和标准差分别作为套刻偏差值和测量误差值，基于测量误差值对套刻偏差进行了修正，在计算套刻修正参数时充分考虑测量误差的影响，提升了套刻修正准确性。
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