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公开(公告)号：CN102522362A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110418276.8
申请日：2011-12-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/263
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26533 , H01L21/31155 , H01L21/324 , H01L21/7624
摘要： 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法，该方法包括以下步骤：对所述SOI结构进行质子、中子和γ射线等高能粒子注入，并执行退火操作。本发明通过利用高能粒子注入在埋氧层中引入位移损伤，以此来提高SOI结构抗辐照的性能。
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公开(公告)号：CN102521460A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110427611.0
申请日：2011-12-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明通过光刻仿真、电路网表提取、电路仿真、电路节点延时极限、光刻畸变情形下等效电学参数计算、极限寄生电容计算、约束条件下的哑金属填充实现了考虑光刻畸变的哑金属填充，在寄生估算和冗余哑金属填充过程中考虑光刻畸变对寄生电阻和寄生电容的影响，确保冗余哑金属填充引起的寄生电阻和寄生电容变化对电路设计性能的影响在预定范围之内，最大化地提高电路各部分金属互连线的平整度，从而提高集成电路设计的可制造性。
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公开(公告)号：CN102468333A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010532003.1
申请日：2010-10-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78684
摘要： 本发明公开了一种石墨烯器件结构及其制造方法，所述器件结构包括：石墨烯层；形成于石墨烯层上的栅极区；形成于栅极区一侧的、与石墨烯层相接触的半导体掺杂区；其中所述半导体掺杂区为所述器件结构的漏极区，位于所述栅极区另一侧的石墨烯层为所述器件结构的源极区。通过所述半导体掺杂区来提高石墨烯器件的开关比，而不必增大石墨烯材料本身的带隙亦即不牺牲材料的迁移率和器件的速度，从而使石墨烯材料在CMOS器件中的得到更好的应用。
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公开(公告)号：CN102376348A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010258768.0
申请日：2010-08-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C11/4063
摘要： 本发明涉及一种低功耗的动态随机存储器，属于集成电路设计技术领域。所述动态随机存储器包括地址输入缓冲寄存器、行地址译码器、列地址译码器、存储阵列分组、灵敏放大器、读写控制电路、输入缓冲器、输出锁存器、输出缓冲器、刷新控制电路、时钟发生器、存储阵列分组加电/断电状态控制寄存器和存储阵列分组加电/断电电路。本发明低功耗的动态随机存储器在芯片加电时，存储阵列分组、灵敏放大器并不全是处于工作状态，而是受到存储阵列分组加电/断电状态控制寄存器的控制，从而可以实现动态随机存储器的低功耗。
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公开(公告)号：CN102364482A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110344322.4
申请日：2011-11-03
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明实施例公开了一种冗余哑金属的填充方法，包括：根据物理版图对应的电路网表的瞬态分析结果，计算多个线网的延时极限及其等效电学信息，其中所述电路网表包含寄生元器件；根据每个所述线网的延时极限及其等效电学信息，计算该线网可以承载的因冗余哑金属填充而给该线网引入的极限寄生电容，即该线网可以承载的额外极限寄生电容；以每个所述线网可以承载的额外极限寄生电容为上限作为约束条件优化填充冗余哑金属。从而实现了有针对性的设定各线网因哑金属填充而引入的寄生电容极限值，提高了电路中各部分金属互连线的平整度，而且保证了各线网的额外极限寄生电容对电路各部分性能的影响均在可接受的范围内，提高了集成电路设计的可制造性。
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公开(公告)号：CN101329291B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710117612.9
申请日：2007-06-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种气敏传感器，包括单晶硅衬底，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层，加热测温电极、叉指电极，加热测温电极和叉指电极之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点、加热测温电极引出线压焊点和气体敏感层；所述电绝缘层在所述加热测温电极形成后淀积在所述加热测温电极上，所述叉指电极形成于所述电绝缘层上，所述气体敏感层淀积在所述叉指电极上。利用本发明，提高了器件被加热的工作区域部分与周围的热绝缘，降低了器件功耗，简化了器件中加热和测温部分的结构，有利于器件的大量生产以及和信号采集处理电路的集成。
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公开(公告)号：CN102130096A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010300344.6
申请日：2010-01-15
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种对集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法。在集成电路制造过程中，为改善平坦化效果往往会在版图中进行冗余金属填充，而冗余金属对耦合电容存在着很大影响。在兼顾到这一点的情况下，本发明提供了一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和应用该测试结构的测试方法。所述测试结构包括由介质、待测铜线阵列、外围引线、测试引脚组成的测试金属层，通过在耦合电容实测结构中加入了为改善CMP效果而设计的金属冗余填充物，同时通过选取合适的测试结构尺寸和设计特殊的引脚引线结构，不但能有效完成含有金属冗余填充物的多层测试结构耦合电容的测量，而且可以就不同类型金属冗余填充结构对耦合电容的影响进行比较，同时该版图结构也可以简化多层互连线的测量。
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公开(公告)号：CN102115028A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244521.0
申请日：2009-12-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 本发明公开了一种制备硅基纳米柱阵列的方法，用以提高晶体硅太阳能电池效率和制造硅异质结太阳能电池，该方法包括：A、配置氢氟酸基腐蚀液；B、利用该腐蚀液对硅衬底进行腐蚀；C、利用酸溶液清洗硅片，去除表面银颗粒；D、利用氢氟酸对硅片进行漂洗，形成纳米柱阵列。本发明提供的这种制备硅基纳米柱阵列的方法，利用湿法化学腐蚀形成硅基纳米柱阵列，能够极大降低因干法刻蚀所造成的损伤，减少最终的纳米柱阵列的缺陷，从而提高其最终硅基纳米柱阵列非晶硅薄膜异质结太阳能电池的转化效率。另外，本发明与气-液-固三相生长的硅基纳米柱相比，可规则的形成硅基纳米柱阵列结构，其工艺过程简单，成本低，能够大面积制作规则的纳米柱阵列。
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公开(公告)号：CN101276705B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200710064876.2
申请日：2007-03-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及射频微机电系统技术领域，公开了一种双稳态单晶硅梁射频微机电系统开关，该射频微机电系统开关包括电磁驱动部分和悬臂梁可动部分，电磁驱动部分和悬臂梁可动部分采用对准键合方式结合在一起；电磁驱动部分具有铁心铁壳和永磁体，通过在平面线圈加电流产生的磁场与永磁体的磁场相叠加来改变整体磁场的方向，从而使悬臂梁可动部分动作，实现触点通断。利用本发明，该射频微机电系统开关工作电压比较低，驱动力大，工作次数高，功耗比较低，接触电阻小隔离度高，控制电路简单，适用于较大功率射频通讯电路。
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公开(公告)号：CN101447485B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710178321.0
申请日：2007-11-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，该结构由GaAs基PHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层AlAs隔开；所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Ga0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；所述N型高掺杂腐蚀截止层AlAs在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层AlAs上依次分子束外延生长的N型高掺杂层GaAs、不掺杂层GaAs、P型掺杂层GaAs构成。本发明将GaAs基PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管。
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