公开(公告)号：CN106298921B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201510293006.7

申请日：2015-06-01

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 谢欣云 ,  周鸣

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/845 ,  H01L23/367 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供一种半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法。所述鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的鳍部，和位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部，所述绝缘层的材料为掺氮的氧化硅。所述鳍式场效应晶体管中，在栅极和鳍部的下方形成绝缘层，从而在使用过程中，抑制器件短沟道效应，减少源极和漏极的漏电流，提高鳍式场效应晶体管的性能；此外以掺氮的氧化硅为所述绝缘层材料，可有效提高绝缘层的散热功效，从而提高鳍式场效应晶体管的散热功效，进而提高鳍式场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN109477936A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780042757.9

申请日：2017-07-13

申请人： 洛克利光子有限公司

发明人： A.齐尔基 ,  A.里克曼 ,  D.勒罗斯

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/43 ,  G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  H01L21/762 ,  H01S5/026 ,  H01L25/16 ,  H01S5/343 ,  G02B6/132 ,  G02B6/134 ,  H01L27/12 ,  G02B6/42 ,  G02B6/136

CPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1223 ,  G02B6/131 ,  G02B6/132 ,  G02B6/1347 ,  G02B6/136 ,  G02B6/42 ,  G02B2006/12038 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12147 ,  G02B2006/12152 ,  G02B2006/12176 ,  G02B2006/12178 ,  G02B2006/12195 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0216

摘要： 一种用于使用具有CMOS线和光子线的制造系统制造集成结构的方法，包括以下步骤：在所述光子线中，在硅晶片中制造第一光子部件；将所述晶片从所述光子线转移到所述CMOS线；以及在所述CMOS线中，在所述硅晶片中制造CMOS部件。另外，一种单片集成结构包括其中形成有波导和CMOS部件的硅晶片，其中所述波导结构包括远离所述硅晶片的上表面而延伸的隆脊。还提供一种单片集成结构，所述单片集成结构具有形成于其中的光子部件和CMOS部件，所述光子部件包括宽度为0.5μm至13μm的波导。

公开(公告)号：CN108695232A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710225968.8

申请日：2017-04-08

申请人： 沈阳硅基科技有限公司

发明人： 柳清超 ,  李捷 ,  高文琳 ,  刘洋

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/7624 ,  H01L21/76254

摘要： 一种基于高温注入技术的SOI硅片的制备方法，包括氧化步骤、注入步骤、键合步骤、裂片步骤，所述氧化步骤、注入步骤、键合步骤、裂片步骤依次进行，在所述氧化步骤中，对硅片的表面进行氧化，获得氧化层硅片，注入步骤中，在氧化层硅片中注入高温氢离子，获得注入氧化硅片，在键合步骤中，用另外一片键合硅片与所述注入氧化硅片进行键合，获得键合片，在裂片步骤中，对键合片进行微波裂片，获得SOI硅片。其有益效果是：硅片表面温度不同，高温注入H+起到了高温退火的作用，减少了注入带来的损伤，使H+分布更均匀。粗糙度可以达到0.08nm，后续可以省略CMP工艺，从而节省了企业成本，提高了流程的工作效率，适合工业化生产，可批量产出。

公开(公告)号：CN108028269A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052786.9

申请日：2016-08-01

申请人： 高通股份有限公司

发明人： D·D·金 ,  D·F·伯蒂 ,  J-H·J·兰 ,  C·H·尹 ,  J·金

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L27/08 ,  H01L29/93 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/0808 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/78 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66174 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/93

摘要： 对称变容管结构可以包括第一变容管组件。第一变容管组件可以包括作为区域调节电容器的第二极板操作的栅极、作为介电层操作的栅极氧化层、以及作为区域调节电容器的第一极板操作的本体。另外，掺杂区可以围绕第一变容管组件的本体。第一变容管组件可以在背侧由隔离层支撑。对称变容管结构还可包括第二变容管组件，其通过背侧导电层来电耦合到第一变容管组件的背侧。

公开(公告)号：CN107548521A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201580076511.4

申请日：2015-02-18

申请人： 华威大学

发明人： P·甘蒙 ,  C·W·陈

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66681 ,  H01L21/7602 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

摘要： 描述了功率半导体器件。所述器件包括碳化硅衬底(2)以及具有不大于5μm的厚度tsi的单晶硅层(3)，单晶硅层(3)直接设置在所述衬底上或直接设置在具有不大于100nm的厚度的界面层(22；图2)上的，所述界面层直接设置在所述衬底上。所述器件包括横向晶体管(1)，例如横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管或横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)，其包括设置在所述单晶硅层中的第一和第二触点(151、152)横向间隔的接触区。

公开(公告)号：CN107316871A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710243165.5

申请日：2017-04-13

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 阮纪明 ,  大卫·拉塞尔·蒂普尔

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/823892 ,  H01L21/84 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L27/1203 ,  H01L21/7624

摘要： 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包括第一导电类型的块状衬底、所述块状衬底中的第一绝缘体上半导体(SOI)块、所述第一SOI块中的所述第一导电类型的第一阱、所述第一SOI块中的第二导电类型的第二阱、围绕所述第一SOI块的周边的至少一部分的所述第一SOI块中的所述第一导电类型的第一护环，以及围绕所述第一SOI块的所述周边的至少一部分的所述第一SOI块中的所述第二导电类型的第二护环。所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。

公开(公告)号：CN107078035A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050301.8

申请日：2015-08-03

申请人： 硅存储技术公司

发明人： C.苏 ,  H.V.陈 ,  M.塔达尤尼 ,  N.杜 ,  J.杨

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11534 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/11531 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/7624 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825

摘要： 本发明公开了一种形成半导体设备的方法，所述方法以具有硅、在所述硅上的第一绝缘层和在所述第一绝缘层上的硅层的衬底开始。仅从第二衬底区域移除所述硅层和所述绝缘层。在所述衬底第一区域中的所述硅层上方和在所述第二衬底区域中的所述硅上方形成第二绝缘层。在所述第一衬底区域中形成第一多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所有的层并且延伸到所述硅中。在所述第二衬底区域中形成第二多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所述第二绝缘层并且延伸到所述硅中。在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成绝缘材料。在所述第一衬底区域中形成逻辑设备，并且在所述第二衬底区域中形成存储器单元。

公开(公告)号：CN106653677A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610844379.3

申请日：2016-09-22

申请人： 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司

发明人： 王文庆

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/7624

摘要： 本发明涉及SOI晶圆的制备技术领域，特别涉及一种SOI片的制备方法，该方法对现有智能剥离技术进行改进，包括如下步骤：(a)在剥离产生的单晶Si薄膜层上沉积非晶硅，然后在800℃～1000℃的温度下加热；(b)氧化步骤(a)产生的硅表面形成硅氧化层，然后氢氟酸去除硅氧化层；(c)将步骤(b)所得SOI片装入密封反应室，依次通入H2与无水HCl气体，最后通入一段时间N2后，取出SOI片。该方法制得的SOI片顶层单晶Si薄膜膜厚均匀性好，表面粗糙度小，质量优良。

公开(公告)号：CN103035562B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210322180.6

申请日：2012-09-03

申请人： 索泰克公司

发明人： C·大卫 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种制造绝缘体上硅结构的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）设置供体衬底31）和支撑衬底（1），所述衬底中只有一个被所述氧化物层（2）覆盖（；b）在所述供体衬底（31）中形成弱区（32）；（c）等离子体激活所述氧化物层2）（；d）在部分真空中，将所述供体衬底（31）粘结于所述支撑衬底（1）；（e）在350℃或更低的温度下，实现粘结增强退火，从而造成所述供体衬底（31）沿着所述弱区（32）劈裂；以及（f）在超过900℃的温度下执行热处理-以超过10℃/s的升温速率实现从步骤（e）的温度到步骤（f）的温度的转变。

公开(公告)号：CN106098611A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610446181.X

申请日：2016-06-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郝跃 ,  戴显英 ,  焦帅 ,  苗东铭 ,  梁彬 ,  祁林林

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/7624 ,  H01L21/76264

摘要： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SGOI的制作方法，其实现步骤为：1.对绝缘层上硅锗SGOI晶圆进行清洗，并进行He离子注入；2.在离子注入后的SGOI晶圆顶层SiGe层上淀积‑1GPa以上的压应力SiN薄膜或1GPa以上的张应力SiN薄膜，并刻蚀SiN薄膜成条形阵列；3.对带有SiN薄膜阵列的SGOI晶圆进行退火；4.腐蚀去除SGOI晶圆表面上的SiN薄膜阵列，得到晶圆级单轴应变SGOI材料。本发明利用在条形SiN薄膜阵列作用下顶层Ge层会发生单轴拉伸或单轴压缩形变的特性引入应变，与现有工艺兼容，可制作用于光电集成、系统级芯片所需的SGOI晶圆。