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公开(公告)号：CN105336672A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410355795.8
申请日：2014-07-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面；在衬底内形成第一插塞，第一插塞具有第一端和第二端，第一插塞的第一端与衬底的第一表面齐平，第一插塞的第二端位于衬底内，第一插塞的长度为第一尺寸；在形成第一插塞之后，对衬底的第二表面进行减薄，直至衬底的厚度为第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸；在对衬底的第二表面进行减薄之后，在衬底内形成第二插塞，第二插塞位于第一插塞的第二端表面，且第二插塞的顶部与衬底的第二表面齐平，第一插塞和第二插塞形成导电插塞，导电插塞贯穿衬底。所形成的半导体结构的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN105336603A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410362684.X
申请日：2014-07-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种复合氧化膜结构。根据本发明的一个方面，提出一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：在半导体基片上沉积第一氧化膜；在所述第一氧化膜中形成空腔结构；在所述空腔结构中填充预填充材料；在所述第一氧化膜上沉积第二氧化膜；在所述第二氧化膜中、所述空腔结构上方位置处刻蚀出孔；去除所述预填充材料；以及继续沉积所述第二氧化膜，使沉积材料封闭所述孔。根据本发明的另一个方面，提出一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：在半导体基片上依次沉积两个或更多个复合子层，其中每个复合子层包括第一氧化膜以及沉积在第一氧化膜上的第二氧化膜，其中所述第一氧化膜的材料应力和所述第二氧化膜的材料应力方向相反。
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公开(公告)号：CN104465563A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310438705.7
申请日：2013-09-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明揭示了一种硅通孔的填充方法，所述硅通孔的填充方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔，所述半导体基底上覆盖有一金属层，所述金属层填充所述硅通孔；对所述金属层进行第一抛光；对所述金属层进行第二抛光，以形成铜导线层，其中，所述第二抛光的底下压力小于所述第一抛光的底下压力。本发明的硅通孔的填充方法，分步对所述金属层进行抛光，并减小所述第二抛光的底下压力，可以减小对铜的研磨率，从而可以减少或消除硅通孔中的凹痕缺陷，从而提高器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN104422824A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310398839.0
申请日：2013-09-05
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G01R27/14
摘要： 本发明提供一种金属薄膜电阻率的测量方法，所述测量方法包括步骤：提供表面形成有金属薄膜的半导体衬底，制作有机保护膜；提供测量机台，所述测量机台上的探针以第一速度向有机保护膜运动；所述探针接触有机保护膜后以第二速度在有机保护膜中运动，其中，所述第二速度小于第一速度；所述探针运动至金属薄膜表面，停止运动，读取电压和电流值，从而计算出金属薄膜的电阻率。本发明在金属薄膜的表面制作一层有机保护膜，先以第一速度将探针快速下降至有机保护膜表面，之后探针以第二速度扎破有机保护膜并缓慢下降至金属薄膜表面，采用两种不同的探针速度，极大地减少了金属薄膜被扎破的几率，提高产品测试成功率，缩短测量周期。
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公开(公告)号：CN104347482A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310335576.9
申请日：2013-08-02
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L23/481
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔的侧壁和底部形成铜导电层，部分填充所述硅通孔；形成应力吸收层，覆盖所述铜导电层的同时，位于所述硅通孔底部的铜导电层上的应力吸收层的顶部低于所述硅通孔的顶部；形成铜帽层，覆盖所述应力吸收层的同时完全填充所述硅通孔；执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明，在硅通孔中填充应力吸收层，可以明显减小衬垫层、阻挡层、铜种子层和铜导电层之间界面处的内部应力，避免分层现象的出现，同时，形成铜导电层和铜帽层的工艺不同，造成二者的晶像组成并不完全相同，应力吸收层可以作为一种粘合剂，将二者更好地连接起来。
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公开(公告)号：CN104236444A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310240197.1
申请日：2013-06-18
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G01B7/06
摘要： 本申请公开了一种金属膜厚度测量方法，通过检测匀速插入金属膜内部的探针的电流的变化确定探针的针尖与金属膜上表面和底面的接触时间，从而运用物理学的运动公式准确地测量出较厚金属膜的厚度。
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公开(公告)号：CN103985666A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310048397.7
申请日：2013-02-07
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/481
摘要： 本发明提供一种环形硅深孔及环形硅深孔电极的制备方法，包括：提供一硅衬底，于所述硅衬表面制作具有环形窗口的光刻掩膜；采用深度反应离子刻蚀工艺刻蚀所述环形窗口下方的硅衬底，形成环形硅深孔；于所述环形硅深孔的表面形成绝缘层及阻挡层；于所述绝缘层表面形成种子层；于所述种子层表面电镀铜，直至将所述环形硅深孔填满；采用机械化学抛光法对所述硅衬底表面进行抛光。本发明提供了一种环形硅深孔以及能有效地在环形硅深孔内制作铜电极的方法，可以有效避免铜与硅衬底的分层现象，获得性能稳定的硅深孔电极结构。本发明工艺简单，可以有效提高产品的良率，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN103730407A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210385133.6
申请日：2012-10-11
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 李广宁
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/7685 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/53238
摘要： 本发明提出一种铜连线结构及其形成方法，使用直流电源和射频电源在半导体衬底介质层的开孔内形成阻挡层，使形成的阻挡层表面平整，并且使后续形成于阻挡层表面的铜种子层镜像更加稳定，表面更加平整，从而能够很好的避免铜种子层放置久与空气发生反应导致整个器件性能下降的问题，延长其排队时间。
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公开(公告)号：CN101459037B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710094478.5
申请日：2007-12-13
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/66 , C23C16/00 , C23C16/458 , C23C14/50
摘要： 一种基片架控制装置，包括：基片架升降电路，用于控制基片架升降；还包括：颜色传感器，位于基片上方，用于根据基片表面的反射光控制基片架升降电路工作与否。本发明还提供一种基片架移动控制方法以及一种沉积装置，本发明通过在位于基片架上的基片上方设置颜色传感器，以便检测位于其基片架上的基片放置位置是否正确，防止基片架继续动作破坏基片。
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公开(公告)号：CN104944361B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410114224.5
申请日：2014-03-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供一种MEMS器件的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一半导体基底，所述半导体基底表面预先划分有用于后续制作MEMS敏感结构的MEMS区域；S2：在所述半导体基底上形成第一SiGe层；S3：在位于非MEMS区域的第一SiGe层表面形成若干凹槽，并在所述凹槽内填充塑性材料，形成塑性填充块；S4：去除所述凹槽外多余的塑性材料，然后在所述第一SiGe层表面形成一覆盖所述塑性填充块的第二SiGe层；S5：以位于所述MEMS区域的第一SiGe层及第二SiGe层作为结构材料制作MEMS敏感结构。本发明在SiGe层中加入塑性填充块，利用该塑性填充块的塑性变形能力，吸收SiGe层中的应力，有效防止了SiGe层发生剥离的现象。且塑性填充块位于非MEMS区域，不会对器件的功能产生影响。
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