公开(公告)号：CN102290983B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201110162462.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 丁健平 ,  王源 ,  杜刚 ,  康晋锋 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明公开了一种电荷泵，涉及集成电路技术领域。该电荷泵包括：第一电荷泵电路，以电源电压以及两相时钟信号为输入，用于将电源电压提升至第一设定电压值并输出；时钟信号电压转换电路，以所述第一电荷泵电路的输出电压以及所述两相时钟信号为输入，用于将所述两相时钟信号的摆幅提升至所述输出电压，并输出提升后的两相时钟信号；第二电荷泵电路，以所述第一电荷泵电路的输出电压、所述两相时钟信号以及所述提升后的两相时钟信号为输入，用于将所述输出电压提升至第二设定电压值并输出。本发明的电荷泵采用两级结构，提高后一级电荷泵电路的时钟幅度，从而提高了电荷泵整体输出电压上升速度，并能提供更高的输出电压。

公开(公告)号：CN102420614B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201110374004.2

申请日：2011-11-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 李宏义 ,  王源 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03M3/02

Abstract: 本发明公开了一种Sigma-Delta调制器及包含其的模数转换器，所述调制器包括：由输入向输出依次连接的第一增益单元、第一模拟减法器、第一延迟积分器、第三增益单元、第二模拟减法器、积分电路结构、第五增益单元、量化器、由量化器的输出端到第一模拟减法器依次连接的第一反馈DAC、第一模拟差分器和第二增益单元、由量化器的输出端到第二模拟减法器依次连接的第二反馈DAC、第二模拟差分器和第四增益单元组成；第一模拟减法器将所述第一增益单元输出的信号与第一反馈通路输出的信号做差；第二模拟减法器将所述第三增益单元输出的信号与第二反馈通路输出的信号做差。本发明可以在整形反馈DAC的组件失配的同时，消除DAC反馈通路的数字逻辑延迟。

公开(公告)号：CN102255304B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201110201952.6

申请日：2011-07-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 张雪琳 ,  王源 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种ESD电源箝位电路，涉及半导体集成芯片的ESD保护技术领域。该电路包括电源管脚VDD、接地管脚VSS、及连接至所述电源管脚VDD与接地管脚VSS之间的静电放电检测结构及箝位器件，所述静电放电检测结构进一步包括：电容电阻耦合结构，由串联在所述电源管脚VDD及接地管脚VSS之间的电容及电阻构成，用于检测并输出所述电源管脚VDD或接地管脚VSS上的静电放电电压；D锁存器结构，连接于所述电容与电阻的连接点与所述箝位晶体管的栅极之间，用于将所述电容电阻耦合结构输出的电压传送至所述箝位器件。本发明的ESD电源箝位电路版图面积小且能够有效防止误触发现象的发生。

公开(公告)号：CN103078305A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310007998.3

申请日：2013-01-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  陆光易 ,  曹健 ,  刘琦 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H02H9/00

CPC classification number: H02H9/045 ,  H02H9/046

Abstract: 本发明公开了一种防误触发型电源钳位ESD保护电路，包括ESD冲击探测部件、泄放晶体管、泄放晶体管开启通路以及泄放晶体管关断通路。本电路在较小的版图面积下，在ESD冲击时有很强的静电电荷泄放能力、在正常上电时漏电很小以及对于快速上电有较强的误触发免疫能力。

公开(公告)号：CN102832233A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210316646.1

申请日：2012-08-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  张鹏 ,  曹健 ,  陆光易 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，公开了一种SCR型LDMOS ESD器件。本发明的SCR型LDMOS ESD器件的N阱区设有P+掺杂区，使得在SCR型LDMOS ESD器件的背向形成寄生的SCR晶体管。当ESD冲击发生时，寄生的SCR晶体管作为主要静电放电器件，使得SCR型LDMOS ESD器件的单位面积静电放电电流增大，从而获得高的ESD保护水平。另外，本发明的SCR型LDMOSESD器件的触发电压由LDMOS晶体管的漂移区长度决定，实现了触发电压可调节。

公开(公告)号：CN102831921A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210306027.4

申请日：2012-08-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋锋 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: G11C7/06

Abstract: 本发明公开了一种Flash灵敏放大器，涉及集成电路技术领域。该放大器包括：参考电压发生电路，生成参考电压信号，并将所述参考电压信号发送至电流放大电路；电流放大电路，与参考电压发生电路相连，根据参考电压，放大流经Flash的存储单元阵列中的存储单元以及参考单元阵列中的参考单元的电流；比较器，分别与存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线相连，放大所述存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线上的电压信号；参考单元阵列位线，连接参考单元阵列以及所述电流放大电路；预充电电路，与存储单元阵列位线相连，对存储单元阵列位线上的电容负载进行预充电。本发明的Flash灵敏放大器的速度更快。

公开(公告)号：CN102801146A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210306029.3

申请日：2012-08-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  张雪琳 ,  曹健 ,  陆光易 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H02H9/02

Abstract: 本发明涉及半导体集成芯片的静电放电技术领域，公开了一种电源钳位ESD保护电路，包括：电源管脚、接地管脚、电容-电阻检测电路、偏置电路、触发电路和钳位电路。本发明通过设置偏置电路，使电容-电阻检测电路中容抗元件两端的电压差减小，有效地抑制了电源钳位ESD保护电路的漏电电流。

公开(公告)号：CN102760486A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210254347.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾嵩 ,  刘俐敏 ,  徐鹤卿 ,  吴峰锋 ,  王源 ,  张钢刚

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种SRAM存储单元，涉及计算机存储技术领域，包括：单元选中电路及与所述单元选中模块连接的存储电路，还包括：与所述存储电路连接的下拉电路，所述下拉电路用于将所述存储电路中的数据读出。本发明还公开了一种由上述SRAM存储单元组成的存储阵列。本发明通过在SRAM存储单元中设置单独的下拉电路，通过该电路将SRAM存储单元的数据读出来，因此，在读操作时不再需要使用较高电平，即不需要为该单元提供不同的内部电源电压，这会很大程度上降低了SRAM电路设计的复杂度。

公开(公告)号：CN102751992A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210254339.5

申请日：2012-07-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  郭广亮 ,  苏炜 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03M1/66

Abstract: 本发明涉及动态元素匹配编码技术领域，公开了一种动态元素匹配编码方法，包括以下步骤：S1、输入数字信号；S2、将所述数字信号分为两部分L和R，设置指向所述数字信号中各元素的指针，并利用所设置的指针分别对L和R进行动态元素匹配编码，输出对应于L的M1个元素C1到CM1以及对应于R的M-M2+1个元素CM2到CM，其中M、M1、M2均为正整数，且M1是对M/2进行截尾取整得到的数。本发明能够在将失配引起的失真转换为噪声的同时，减小每个采样周期的开关跳变数。

公开(公告)号：CN102082561B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201110050897.5

申请日：2011-03-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾嵩 ,  宛星 ,  杜刚 ,  王源 ,  张钢刚

IPC: H03K3/012

Abstract: 本发明公开了一种SOI时钟双边沿静态D触发器，包括：上通道和下通道两条数据通道，所述上通道包括N型MOS管TN1、TN2，反相器INV1、INV2、INV3以及CMOS传输门TG1；所述下通道包括N型MOS管TN3、TN4，反相器INV2、INV3、INV4以及CMOS传输门TG2。本发明提出了一种基于SOI的时钟双边沿静态D触发器。实验数据显示，和体硅工艺实现的CMOS器件相比，SOI工艺实现的电路可以减小功耗达81.25％。与现有的三种触发器相比，能节省功耗达71.58％。而且相较于单边沿触发器，在同样的时钟频率下能够使得输入处理速率加快一倍。