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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109166819A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810838959.0
申请日：2018-07-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 一种用于熔融钎料填充硅通孔的装置涉及半导体器件制造技术领域。硅通孔的填充技术是三维集成的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是存在成本与可靠性等众多问题，而钎料填充工艺不仅成本低廉且材料本身热膨胀系数适宜，具有研究潜力。本专利中，为低成本通孔填充工艺开发了一种新型熔融钎料填充设备，装置包括密封罐罐体、加热块、抽真空系统、冷却水循环系统、真空计等。采用加热炉加热密封罐体，可以控制加热钎料的温度与加热速度。除此之外，利用罐体上方密封盖与真空泵控制罐内压力大小。通过此设备可以完成8寸至12寸TSV硅晶圆钎料的填充，有效地解决了如何使用钎料高效填充TSV的问题，完善钎料填充TSV工艺。
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公开(公告)号：CN219715134U
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202320800760.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型公开一种用于纳米银焊膏热疲劳测试结构，属于功率电子器件封装技术领域，包括基板，基板上方设置有阵列烧结层，阵列烧结层上方设置有芯片，基板与芯片通过阵列烧结层形成互联结构；阵列烧结层由若干个连续设置的纳米银层构成，相邻两纳米银层之间设置有间隙，若干个纳米银层围成正方形结构，且若干个纳米银层沿芯片的边缘设置。本实用新型能够保证互联结构在热疲劳载荷下具有更集中的应力，解决了传统结构在测试热疲劳可靠性高的纳米银焊膏时效果不明显的问题，缩短了测试时间。
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公开(公告)号：CN219475675U
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202320446426.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型公开一种用于烧结银大面积互连接头的电迁移实验装置，包括：导体板、绝缘板以及连接件；导体板的数量为偶数，且导体板不少于两块；两块对应设置的导体板组成为一个实验组，同一实验组内的两块导体板之间设置有用于夹持试验样品的空隙，且两块导体板分别与电源的正极、负极连接；绝缘板安装在导体板的一侧，同一实验组内的两块导体板位于两块绝缘板之间；连接件设置于绝缘板上；连接件用于连接同一实验组内的两块绝缘板，并使两块导体板之间形成电流回路。本实用新型克服了大面积烧结银三明治结构互连接头样品装卡困难的问题，可以对试验样品进行自由更换和拆卸，从而满足了不同规格试样的实验需求，实现接头高效的完成电迁移实验。
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公开(公告)号：CN207020209U
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201720494847.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微型钎焊接头电迁移测试结构，属于材料制备与连接领域，两个焊盘之间采用钎料焊膏重熔焊接成钎料接头，钎料接头采用环氧树脂粘附于基板上，钎料对接接头至少有一个侧面表面作为钎料对接接头截面，此作为截面的侧面表面是经过研磨抛光的。解决了由于微型接头尺寸太大造成的其于实际倒装芯片焊球的通电面积不相当，或者尺寸太小造成的其在电迁移测试过程中不易被固定，容易受到外力作用造成损失甚至断裂的难题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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