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公开(公告)号：CN115377201A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211067410.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开了一种通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管，包括衬底和设置于所述衬底上的多台阶沟道内分布有掺杂纳米线阵列，位于所述掺杂纳米线阵列两端且垂直于所述掺杂纳米线方向分别沉淀有漏极接触金属和源极接触金属，所述衬底两端的漏极接触金属与源极接触金属之间的上方沉积有栅介质层及栅极薄膜层。采用非对称的源漏极金属和掺杂纳米线沟道进行接触，能够获得非对称的肖特基势垒，通过漏极电压的预偏置效果可以初始调节漏极金属和掺杂纳米线沟道之间的肖特基势垒，改变漏极电压的正负加上栅极调控，即可改变晶体管的极性，获得无需改变载流子类型的可重构晶体管。
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公开(公告)号：CN114400248A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210041211.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法，包括以下几个步骤：通过PECVD于垂直方向交替沉积多层SiO2和Si3N4，形成纵向密排堆叠结构，等离子体刻蚀和酸处理后形成纵向侧壁引导凹槽；或者，在衬底上通过电子束曝光及刻蚀获得横向平面内密排引导沟槽；将整个衬底样品沉积非晶硅前驱体，非晶硅前驱体的厚度大于所述引导凹槽或者大于密排引导沟槽的深度以形成更好的前驱体覆盖；通过等离子体刻蚀技术，将所述引导凹槽或密排引导沟槽的表面、侧壁上的非晶硅前驱体刻蚀掉，仅保留引导凹槽或引导沟槽内部的非晶硅前驱体。
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公开(公告)号：CN112599418B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011470043.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法，包括：1）利用刻蚀技术在图形化衬底上刻蚀出三维台阶形状；2）在刻蚀有三维台阶的衬底上沉积质介质薄膜层后再次刻蚀使三维台阶附近异质侧壁暴露，然后利用选择性刻蚀在异质侧壁构造引导沟道；3）在异质侧壁构造的引导沟道内制备纳米级催化金属颗粒；4）在整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线对应非晶半导体前驱体薄膜层；5）升高温度使纳米级催化金属颗粒引导沟道中由固态转变为液态，前端开始吸收非晶层，后端析出折线形晶态纳米线；6）以折线形晶态纳米线垂直部分为沟道区域，水平部分为源漏电极区域，制备短沟道场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN112420615B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011400917.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/092 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种半导体结构制备方法，包括以下几个步骤：第一步，形成第一基材层和第二基材层，第一基材层由交替沉积的第一薄膜层和第二薄膜层组成，第二基材层由在第一基材层上交替沉积的第一薄膜层和第三薄膜层组成，所述第一薄膜层为硅的氧化物或者硅的氮化物薄膜，所述第二薄膜层为本征或者P型非晶层，所述第三薄膜层为N型非晶层，在第二薄膜层上刻蚀第一沟槽，第三薄膜层上刻蚀第二沟槽。
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公开(公告)号：CN111540806B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010392107.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/12 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L33/26 , H01L33/28 , H01L33/30 , A61B5/00 , A61B5/024 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种全面屏集成脉搏传感器，包括设置于电子产品上的显示面板，还包括位于所述显示面板上方或下方的传感器层，所述传感器层包括硅锗纳米线径向结、量子点层以及透明底电极；所述显示面板设置有正常显示区域和脉搏传感器阵列区；所述硅锗纳米线径向结呈阵列分布于所述量子点层上方的所述透明底电极上，所述透明底电极与电子产品的锁相放大器连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111693444B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010586001.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 南京大学
IPC: G01N15/10 , G01N21/64 , G01N33/487 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种用于细胞力学检测的弹簧纳米线探测器，包括一端固定于微机械操作平台上的垂直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧，所述垂直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧的另一端末端为直线型或钩状的悬空结构；当所述直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧的另一端末端为直线型时，所述直线型的纳米线末端表面设有荧光标记物。本发明通过控制纳米线弹簧的实时形变观察即可测试相关力学性质，且端部设有悬空的纳米级探头，可实现对细胞无损伤检测。
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公开(公告)号：CN113241376A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110538267.6
申请日：2021-05-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L21/34 , H01L21/44 , G01N27/414 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种全环绕沟道场效应晶体管，包括衬底，所述衬底表面设置有悬空高导电性微米或纳米线状材料作为栅，所述栅的外层依次设有介质层和气体敏感层；所述栅的一端和外层气体敏感层两端分别沉积金属电极用于连接外部测试电路。本发明适用范围广，可定位可集成的CAA背栅场效应晶体管并用于气体传感器领域，改善气体传感器的气敏性能。
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公开(公告)号：CN112251541A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011131482.6
申请日：2020-10-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法，包括以下几个步骤：S1：将制得的硅纳米螺旋结构样品放入浓度为0.4%的氢氟酸溶液中，使氧化硅柱快速溶解，得到含有若干笼状螺旋状硅纳米线的混合液；S2：多次过滤、清洗将笼状螺旋状硅纳米线分散在无菌溶液中；S3：加入血管紧张素转化酶II对笼状螺旋状硅纳米线进行功能化修饰；S4：再次清洗后，通过雾化吸入的方式，将含有笼状螺旋状硅纳米线的液体送至肺部，与冠状病毒结合实现俘获；S5：被笼状螺旋状硅纳米线捕获的病毒将以痰液的方式排出，形成高浓度的病毒溶液，实现高效提取。
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公开(公告)号：CN110734036A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911028756.6
申请日：2019-10-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种集成于单根半导体纳米线的片上光谱仪，涉及到器件设计、器件制备方法和光谱仪工作原理等几个方面。基于半导体纳米线材料和电极金属的物性特点，合理设计集成于单根半导体纳米线的肖特基结型探测器阵列，待探测光通过设计的耦合器耦合进具有高反射率的半导体纳米线波导里面，肖特基二极管的高灵敏度以及波导增强的光和物质作用共同决定了器件具有高的光电探测率，可以探测弱光信号，从而实现芯片集成的微型光谱仪；本发明公开的这种宽光谱高探测率的片上光谱仪,能够检测微型结构、材料拉曼以及荧光，在生物医学、物联网涉及微型光谱检测领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN110544656A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910885207.4
申请日：2019-09-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L27/15 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro-LED巨量转移的方法，包括以下步骤：利用PECVD或者PVD工艺在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层；利用光刻、电子束直写或者掩膜板技术定义台阶边缘，以及与Micro-LED接触固定的区域，利用干法或湿法刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层形成弹簧状垂直台阶侧壁；并沿着台阶刻蚀制作引导通道；在制备好的台阶一端，通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层催化金属层；升高温度至催化金属熔点以上，通入还原性气体等离子体进行处理，使催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；本发明方法突破了长期以来限制微发光二极管的大规模制备和巨量转移的问题。
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