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公开(公告)号：CN102465337B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010549754.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统，反应腔体为卧式结构，生长区中设有石墨支托，不同的反应源分别设有独立的输入管道，石墨支托上放置外延生长衬底。本发明提出一种多片多源式卧式氢化物气相外延(HVPE)生长系统，以实现GaN基材料生长的大规模应用，可一次性生长多片大面积GaN基材料。
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公开(公告)号：CN102465337A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010549754.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统，反应腔体为卧式结构，生长区中设有石墨支托，不同的反应源分别设有独立的输入管道，石墨支托上放置外延生长衬底。本发明提出一种多片多源式卧式氢化物气相外延(HVPE)生长系统，以实现GaN基材料生长的大规模应用，可一次性生长多片大面积GaN基材料。
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公开(公告)号：CN101832918A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010146571.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 用于水质在线监测的紫外光电微型传感器装置，它包括紫外光源，紫外探测器，数据采集与发送模块、支架、密封罩所组成，待监测的水流样品置于紫外光源和紫外探测器之间，其中紫外光源与紫外探测器固定在支架上，紫外光源的两端通过导线与电源相连接，紫外探测器的两端通过导线与数据采集与发送模块相连接，其特征是紫外光源、紫外探测器和支架被封装在密封罩内紫外探测器由GaN基肖特基型紫外探测器组成，其响应窗口与上述LED的中心波长相对应；紫外光源为3-7个紫外LED组成，波长覆盖200nm到400nm的区间。该装置体积小、功耗低，可及时、准确监测环境污染指标(TOC，COD等)的变化情况，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101281863B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810019103.7
申请日：2008-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法，在HVPE生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为500-800℃，然后升温至生长温度开始生长GaN，生长温度1000-1100℃。生长至合适的厚度后，停止生长；冷却后获得完整的自支撑GaN衬底，铝酸锂衬底自动分离。本发明利用了铝酸锂衬底和GaN之间的小的晶格失配来获得低位错密度的非极性面GaN薄膜；本发明方案充分利用两者之间大的热失配来使得二者相分离，无需按照一定降温速率降温，并且晶体质量明显改善，而且成品率高，采用本发明方案利于规模生产。
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公开(公告)号：CN101349641B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810196207.5
申请日：2008-08-28
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 有机污染物的紫外光电动态污染监测的方法，a)、针对具体的监测地点与环境，在数据处理系统(3)中预置一个参考紫外光谱图与几个具体的特征污染物的参考吸收谱图数据库；b)、根据不同的紫外光源(1)的波长，测量一个至几个不同紫外波长处的紫外光吸收值数据，需要的不同紫外波长光源个数要根据需要动态监测的特征污染物的个数，不同波长的光源个数等于所需要动态监测的特征污染物个数加一，通过数据处理系统(3)与预置的参考紫外光谱图比较，得到一组吸光度差值数据；c)、根据吸光度差值及比值，比对数据处理系统(3)中预置的特征污染物的参考吸收谱图数据库，得到污染物的种类和浓度。可实时监测环境污染情况及具有预警功能。
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公开(公告)号：CN1288721C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200310106425.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善薄膜的表面形貌和质量，直接添加至衬底的HCl流量为4-10sccm。与其他的方法相比，不会引入额外的杂质，这是该发明的一大技术特点。此外，将HCl引入生长区，改变了局域的反应平衡，也会改善GaN薄膜的表面形貌和质量。
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公开(公告)号：CN1264200C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200310106426.7
申请日：2003-11-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源-HCl-N2管道，包括一路金属镓源-HCl-N2管道，并将反应物GaCl-N2均匀输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区，添加一路HCl气体，将金属Mn载入反应区域，使得Mn可以参加到GaN合成反应过程中。通过质量流量计来控制反应中携带Mn的HCl的流量，就可以控制Mn的载入量。本发明可以获得完全的GaMnN和GaN薄膜材料。HVPE生长GaMnN合金薄膜具有生长速率高、可以生长大面积薄膜，反应物中Mn的掺杂量可控等优点。
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公开(公告)号：CN1794419A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510095245.8
申请日：2005-11-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , B23K26/00
Abstract: 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法，在650－800℃空气气氛中直接用合适波长的紫外激光器透过蓝宝石辐照GaN/蓝宝石样品，界面处的GaN被分解后，蓝宝石可以很容易的被去掉，即可得到GaN自支撑衬底。在高于800℃时在氨气气氛保护下进行激光器透过蓝宝石辐照。本发明经高于650℃激光剥离，GaN和蓝宝石很容易就分离开来，从而得到GaN自支撑衬底。且蓝宝石和衬底之间的应力完全得到释放，得到的GaN衬底平整无翘曲。
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公开(公告)号：CN1761080A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510094747.9
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在一定500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500－1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700－900℃和600－800℃生长层厚分别为15－20nm和5－15nm的5－10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
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