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公开(公告)号：CN115295489A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210145452.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括沿着第一方向延伸的第一栅极结构与第二栅极结构、沿着垂直第一方向的第二方向延伸的第一基层金属互连(M0)图案与第二M0图案、位于第一栅极结构与第二栅极结构之间且沿着第一方向延伸的第三M0图案、位于第一M0图案与第二M0图案之间且沿着第二方向延伸的第四M0图案与第五M0图案。第三M0图案的第一端与第二端分别连接第一M0图案与第二M0图案。在第一方向上的第四M0图案与第一M0图案之间的距离等于最小M0图案间距，且第四M0图案与第二M0图案之间的距离等于最小M0图案间距。
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公开(公告)号：CN115224047A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210522310.4
申请日：2022-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/118
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括从俯视角度看设置在第一行内并且沿着第一方向延伸的第一导电图案、设置在第一行内的第一相移电路、从俯视角度看设置在第二行内的第一传输电路以及沿着垂直于第一方向的第二方向从第一行延伸到第二行的第一栅极导体。第一相移电路和第一传输电路通过第一栅导体与第一导电图案电连接。
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公开(公告)号：CN115036304A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210505912.9
申请日：2022-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及一种集成电路(IC)器件及其制造方法，该集成电路器件包括在第一方向上延伸并在垂直于第一方向的第二方向上具有第一节距的第一多个有源区，以及在第一方向上延伸的、从所述第一方向偏移的第二多个有源区。第一多个有源区在第一方向上，并且在第二方向上具有第二节距。第二节距与第一节距之比为3:2。
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公开(公告)号：CN114927518A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110805987.4
申请日：2021-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置与其制造方法，在部分实施例中，一种制造半导体装置的方法包含在第一介电质材料的第一区域中形成凹槽，此第一介电质材料至少部分地嵌入半导体区域中，此凹槽具有第一表面部分，此第一表面部分由一部份的第一介电质材料在第一方向上与半导体区域间隔开一定距离；在凹槽中沉积第二介电质材料，以形成与第一表面部分成倾斜角定向的第二表面部分；并在凹槽中沉积导电材料。在部分实施例中，此方法进一步包含将半导体区域部分地暴露在第一介电质材料的第二凹槽中，并且在第二凹槽中的第一介电质材料上而不是在半导体区域上选择性地沉积第二介电质材料。
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公开(公告)号：CN114551353A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210091832.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/118
Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路及其制造方法。一种集成电路包括第一电源轨、第一信号线、第一晶体管和第二晶体管。第一电源轨位于衬底的背侧上，并且被配置为提供第一电源电压。第一信号线位于衬底的背侧上，并且与第一电源轨分离。第一晶体管在衬底的前侧中具有第一有源区域。第一有源区域与第一电源轨重叠，并且电耦合到第一电源轨。第二晶体管在衬底的前侧中具有第二有源区域。第二有源区域与第一有源区域分离，与第一信号线重叠，并且被配置为通过第一晶体管的第一有源区域接收第一电源轨的第一电源电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114520225A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210083545.8
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明的实施例提供了一种生成集成电路(IC)布局图的方法，包括：获得对应于相邻金属层的交叉的第一和第二多个轨道的网格；确定相应的第一和第二多个轨道的第一和第二节距符合第一规则；将通孔定位图案应用于网格，从而将通孔区域限制于交替对角网格线；将通孔区域定位在交替对角网格线的一些或所有网格交叉点处；并且生成包括沿交替的对角网格线定位的通孔区域的IC布局图。本发明的实施例还提供了一种集成电路结构。
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公开(公告)号：CN110021597B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201811446625.5
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本发明的实施例描述了非平面半导体器件及其制造方法，非平面半导体器件诸如为具有一个或多个金属轨导体的鳍式场效应晶体管(finFET)。在一些情况下，一个或多个金属轨导体可以电连接至这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域。在这些情况下，可以利用一个或多个金属轨导体将各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域电连接至各种非平面半导体器件和/或其它半导体器件的其它栅极、源极和/或漏极区域。然而，在其它情况下，一个或多个金属轨导体可以与这些各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域隔离。这种隔离防止了一个或多个金属轨导体与这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域之间的电连接。
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公开(公告)号：CN110729289B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201910639714.X
申请日：2019-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 集成电路包括第一栅极、第二栅极、第一接触件和第一绝缘层。第一栅极在第一方向上延伸并位于第一层级上。第二栅极在第一方向上延伸，位于第一层级上，并且在与第一方向不同的第二方向上与第一栅极分离。第一接触件在第二方向上延伸，与第一栅极和第二栅极重叠，位于与第一层级不同的第二层级上，并且至少耦合至第一栅极。第一绝缘层在第二方向上延伸，与第一栅极和第二栅极重叠，并且位于第二栅极和第一接触件之间。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN114023692A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111014563.2
申请日：2021-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 集成电路包括第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域以及第一导线、第二导线和第三导线。第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域在第一方向上延伸，并且位于衬底的前侧的第一层级上。第二有源区域位于第一有源区域与第三有源区域之间。第一导线与第二导线在第一方向上延伸，并且位于衬底的背侧的第二层级上。第一导线位于第一有源区域与第二有源区域之间。第二导线位于第二有源区域与第三有源区域之间。第三导线在第二方向上延伸，位于衬底的背侧的第三层级上，与第一导线与第二导线重叠，并且电耦接第一有源区域与第二有源区域。本发明的实施例还涉及集成电路的制造方法。
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公开(公告)号：CN110729264B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910308673.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/535 , H01L27/02
Abstract: 本发明的实施例提供了集成电路结构、布局图方法和系统。IC结构包括第一金属层中的第一多个金属区段，位于第一金属层上方的第二金属层中的第二多个金属区段，以及位于第二金属层上方的第三金属层中的第三多个金属区段。第一多个金属区段和第三多个金属区段中的金属区段在第一方向上延伸，以及第二多个金属区段的金属区段在与第一方向垂直的第二方向上延伸。第三多个金属区段的节距小于第二多个金属区段的节距。
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