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公开(公告)号：CN102067072A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980122922.7
申请日：2009-04-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F3/0412 , G01J1/46 , G02F1/13318 , G02F1/13338 , G09G3/3648 , G09G2300/0417 , G09G2300/0876
Abstract: 矩阵型显示装置具备设置于显示区域并输出与照射光的强度对应的信号的光传感器(54)、构成将上述信号作为栅极输入的源极跟随器的n沟道型TFT(52)以及通过检测TFT(52)的源极跟随器输出来进行上述照射光的强度的检测的光强度检测单元，对TFT(52)的漏极输入第1脉冲信号(Vpulse2)，所述第1脉冲信号(Vpulse2)具有在上述信号输入到TFT(52)的栅极的状态下从低电平上升到高电平的第1脉冲。
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公开(公告)号：CN101978504A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109552.3
申请日：2009-01-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1368 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , H01L27/1255
Abstract: 具备电容(61b)，其是使连接到源极电极(62)的第1电容电极(62a)和连接到栅极电极(64)的第2电容电极(64a)具有在面板厚度方向上隔着第1绝缘膜而对置的区域，并且是使上述第1电容电极(62a)和连接到上述栅极电极(64)的第3电容电极(80a)具有相对于上述第1电容电极(62a)在与上述第2电容电极(64a)侧相反的一侧在面板厚度方向上隔着第2绝缘膜而对置的区域而形成的。由此，实现能够抑制连接到TFT主体部的电容的占有面积的TFT。
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公开(公告)号：CN101589335A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200880003167.6
申请日：2008-01-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/133707 , G02F2001/134345
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其具有垂直取向型的液晶层(32)，像素电极(12)具有多个单位电极部(12a)，多个单位电极部(12a)分别具有导电膜、和形成在导电膜上的多个狭缝(13)。在像素电极与相对电极之间施加规定的电压时，形成与多个单位电极部的各个对应的液晶畴，液晶畴内的液晶分子为大致放射状倾斜的取向状态。由此，为宽视角且响应特性优良。
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公开(公告)号：CN101529318A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038900.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133553
Abstract: 本发明提供反射效率高的高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、在上述绝缘层上形成的半导体层、和在上述半导体层上形成的反射层，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中至少1个中形成有多个凹部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离(a)为4μm以下。
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公开(公告)号：CN101496083A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780027790.0
申请日：2007-06-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F1/133305 , G02F1/1345 , G02F1/13452 , G09G2300/0426
Abstract: 本发明提供的显示装置(100)中，第一玻璃基板(210)弯曲。当从第一玻璃基板(210)的主面(213)的法线方向观察信号线驱动元件(260)和扫描线驱动元件(270)时，信号线驱动元件(260)和扫描线驱动元件(270)是具有两个长边(261、262、271、272)和两个短边(263、264、273、274)的矩形形状。信号线驱动元件(260)和扫描线驱动元件(270)以长边(261、262、271、272)相互平行的方式安装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101432655A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015614.5
申请日：2007-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的目的在于提供低成本的、高画质的半透射型或反射型的液晶显示器。本发明的液晶显示器为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，反射区域具有形成于衬底上的金属层、形成于上述金属层上的半导体层、形成于上述半导体层上的反射层，反射区域具有形成于反射层的表面上的第1凹部、形成于第1凹部中的反射层的表面上的第2凹部、形成于第2凹部中的反射层(63)的表面上的第3凹部。
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公开(公告)号：CN1497506A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03124888.8
申请日：2003-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30
CPC classification number: G02F1/136204 , H01J2211/46 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L51/5203 , Y10T29/49165
Abstract: 一种配线基板，本发明的配线基板具有：在基板周边部形成的短路环(SR)、在同一平面内对SR独立的独立配线图形(例如栅极端子)、与独立配线图形最接近并在同一平面内与SR连接的连续配线图形(例如辅助容量干线)、覆盖独立配线图形和连续配线图形的绝缘膜。绝缘膜具有贯通到独立配线图形的第一通孔和贯通到连续配线图形的第二通孔。
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公开(公告)号：CN109698205B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201811238583.6
申请日：2018-10-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。
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公开(公告)号：CN109791949B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201780059506.1
申请日：2017-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/58 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/363
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公开(公告)号：CN107004603B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201580064209.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。
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