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公开(公告)号：CN112002753A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010733059.7
申请日：2020-07-27
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1368
摘要： 本发明涉及一种栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构。该栅极单元的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到栅极单元。采用上述制备方法得到的栅极单元能够制备充电时间较短的阵列基板。
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公开(公告)号：CN112002698A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010733058.2
申请日：2020-07-27
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , H01L21/288 , G02F1/1368
摘要： 本发明涉及一种数据线的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构。该数据线的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到数据线。采用上述制备方法得到的数据线的电导率较高。
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公开(公告)号：CN111943175A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010745867.5
申请日：2020-07-29
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： C01B32/184 , H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种石墨烯薄膜和石墨烯材料的制作方法以及显示面板，所述石墨烯薄膜的制作方法包括步骤：获得氧化石墨烯分散液；通过电化学沉积方法将氧化石墨烯分散液还原成石墨烯材料；将石墨烯材料制备成石墨烯薄膜。本申请通过电化学沉积法还原制备石墨烯，因而可以在还原过程中根据需要控制电化学参数，使得形成的石墨烯粒径较小，由这些粒径小的石墨烯构成的石墨烯薄膜致密度高，石墨烯粒子结合紧密，使得导电效果提高，进而得到性能较好的导电薄膜。
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公开(公告)号：CN111883542A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010740588.X
申请日：2020-07-28
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和金属层；在所述金属层上形成光刻掩膜，所述光刻掩膜的厚度范围为1.7μm-1.8μm；利用掩膜板对所述光刻掩膜进行曝光，并使所述掩膜板的半曝光区内的所述光刻掩膜的均匀度达到预设均匀度；基于曝光后的所述光刻掩膜制备形成阵列基板。本发明还公开了一种阵列基板以及显示装置。本发明提高了阵列基板的稳定性。
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公开(公告)号：CN115469485A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211359354.6
申请日：2022-11-02
申请人： 惠科股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1337
摘要： 本申请提供一种曲面显示面板及其制备方法、显示装置，曲面显示面板包括第一基板、第二基板、液晶层、第一配向层和第二配向层，所述第一基板与所述第二基板相对设置。所述第一配向层设于所述第一基板朝向所述第二基板的表面，所述第二配向层设于所述第二基板朝向所述第一基板的表面，所述液晶层位于所述第一配向层和所述第二配向层之间；所述第一配向层包括多孔结构层和配向材料，所述多孔结构层设有多个填充孔，所述多孔结构层连接于所述第一基板朝向所述第二基板的表面，且多个填充孔垂直于所述第一基板的表面，所述配向材料填充于多个所述填充孔。本申请提供的技术方案能够减少曲面显示面板的显示影像中的暗团现象，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN113140452A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110429100.6
申请日：2021-04-21
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/417 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管。所述氧化铟锡纳米线的制备方法包括如下步骤有：提供介孔分子模板，所述介孔分子模板含有纳米线形介孔；在惰性环境中，向所述介孔分子模板所含的所述纳米线形介孔中脉冲交替通入氧化铟锡反应源气体，在所述纳米线形介孔中原位原子层沉积氧化铟锡纳米线前驱体；将所述氧化铟锡纳米线前驱体进行退火处理，在所述纳米线形介孔中原位生成氧化铟锡纳米线；再除去所述介孔分子模板。所述氧化铟锡纳米线制备方法制备的氧化铟锡纳米线形介孔尺寸可控，长径比大，曲挠性优异，而且生成的氧化铟锡纳米线不会发生团聚。而且制备工艺易控，制备效率高，能够有效保证制备的氧化铟锡纳米线尺寸稳定。
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公开(公告)号：CN112538611A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011391307.0
申请日：2020-12-02
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L27/12 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开一种石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及应用该石墨烯碳纳米管复合膜的薄膜晶体管阵列，其中，制备方法包括以下步骤：采用原子层沉积法在基底表面沉积金属催化层；采用原子层沉积法在所述金属催化层的表面沉积碳纳米管纳米膜，且所述金属催化层部分显露于所述碳纳米管纳米膜的表面；采用原子层沉积法在所述碳纳米管纳米膜的表面沉积石墨烯纳米膜，并采用催化层去除剂去除所述金属催化层，清洗，得到石墨烯碳纳米管复合膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯碳纳米管复合膜具有好的导电性能，可以替代传统氧化铟锡材料并广泛应用于薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN112537769A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011393348.3
申请日：2020-12-02
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： C01B32/184 , C01B32/16 , H01L27/12
摘要： 本申请公开一种石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列。其中，所述石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法包括以下步骤：采用电化学沉积法在金属基底的表面沉积石墨烯薄膜；采用原子层沉积法在所述石墨烯薄膜的表面沉积碳纳米管膜；以及采用去除剂去除所述金属基底，清洗后得到石墨烯碳纳米管复合膜。本申请的技术方案制备得到的石墨烯碳纳米管复合膜具有较高的电荷迁移率，较好的导电性能、优异的透光性、化学稳定性及机械性能，可以替代传统ITO材料并广泛应用于薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN112456470A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011393435.9
申请日：2020-12-02
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： C01B32/16 , C01B32/186 , H01L27/12
摘要： 本发明公开一种石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及应用该石墨烯碳纳米管复合膜的薄膜晶体管阵列。其中，所述石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法包括以下步骤：采用电化学沉积法在金属基底的表面制备石墨烯薄膜；采用化学气相沉积法在所述石墨烯薄膜背向所述金属基底的表面制备碳纳米管膜；采用去除剂去除所述金属基底，清洗后得到石墨烯碳纳米管复合膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯碳纳米管复合膜具有好的导电性能，可以替代传统ITO材料并广泛应用于薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN111883543A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010740589.4
申请日：2020-07-28
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上沉淀和图案化形成栅极层；在所述覆盖栅极层的基板上采用原子沉积法沉积保护层；在所述保护层上沉淀和图案化形成非晶硅层和欧姆接触层。本发明还公开了一种阵列基板和显示装置。本发明均匀的保护层降低了对薄膜晶体管场效应迁移率的影响，使得产品的显示更加稳定，提高了显示效果。
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