公开(公告)号：CN101274368A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810047544.8

申请日：2008-04-30

申请人： 武汉理工大学

发明人： 赵文俞 ,  王要娟 ,  魏平 ,  唐新峰 ,  张清杰

IPC分类号： B22F1/02 ,  C23C18/40

摘要： 本发明涉及一种纳米Cu均匀包覆的Zn4Sb3粉体的制备方法。该方法是先在真空下熔融高纯金属Zn粉和Sb粉的混合物，冷凝结晶得到单相β－Zn4Sb3化合物的铸体，研磨、过筛得到β－Zn4Sb3粉体；对β－Zn4Sb3粉进行表面处理，然后用酸碱调节剂调pH值，得到活化β－Zn4Sb3粉；再以活化β－Zn4Sb3粉作母料、水溶性铜盐作Cu源，通过液相还原反应、化学镀过程和有机保护处理形成纳米Cu均匀包覆的Zn4Sb3粉体。本发明具有低成本、操作简易、纳米Cu包覆均匀、环境友好等特点，这种粉体不仅可保持β－Zn4Sb3化合物的热电传输特性，而且由于被纳米第二相均匀包覆而具有增强的声子散射作用和电子能量过滤作用。

公开(公告)号：CN101265107A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810047410.6

申请日：2008-04-22

申请人： 武汉理工大学

发明人： 傅正义 ,  王为民 ,  王皓 ,  王玉成 ,  张金咏 ,  张帆 ,  梅柄初 ,  张清杰

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/583 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于复相陶瓷材料领域。一种用于导电坩埚的多元复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)按TiB2∶BN∶Ti∶Si∶TiC的摩尔比为(0.50～1.02)∶(0.81～2.02)∶(0.10～0.26)∶(0.10～0.26)∶(0.20～0.52)，选取TiB2粉、BN粉、Ti粉、Si粉和TiC粉，备用；2)将TiB2粉、BN粉、Ti粉、Si粉和TiC粉均匀混合，置于石墨模具中，在氩气环境中采用感应热压或通电热压进行烧结，然后随炉冷却，得到用于导电坩埚的多元复相陶瓷材料。本发明获得电阻率均匀、抗热震性好、耐金属熔蚀性好的多元复相陶瓷材，提高复相陶瓷坩埚的使用寿命；同时，生产过程成本低。该多元复相陶瓷材料用于制备导电坩埚。

公开(公告)号：CN100391892C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610019606.5

申请日：2006-07-11

申请人： 武汉理工大学

发明人： 赵文俞 ,  魏平 ,  程海斌 ,  张清杰 ,  唐新峰

IPC分类号： C04B35/26 ,  C30B29/22 ,  C30B1/02

摘要： 本发明一种织构化单相六角晶系铁氧体的快速制备方法，其包括M型钡铁氧体共沉淀前驱体的制备；还包括利用放电等离子对共沉淀前驱体进行烧结，其步骤包括：(1)将共沉淀前驱体装入高强石墨模具内，并置于放电等离子烧结系统中；(2)确定测温方式后，启动抽真空系统，使共沉淀前驱体在5～20MPa下真空密实成型；(3)按升温速率100～300℃/min、烧结温度850～1000℃、压力5～20MPa、保温时间10～40min进行放电等离子烧结，即制得本发明的产品。本发明不仅可用于批量快速制备织构化单相六角晶系铁氧体，而且可同时完成织构化和致密化过程。

公开(公告)号：CN101117242A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710053015.4

申请日：2007-08-22

申请人： 武汉理工大学

发明人： 唐新峰 ,  张莉 ,  高文斌 ,  李珺杰 ,  徐静静 ,  张清杰

IPC分类号： C01G51/00 ,  C01D13/00

摘要： 本发明涉及一种NaxCo2O4热电材料的制备方法。超薄片状NaxCo2O4热电化合物粉体的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)将牛血清白蛋白加入到浓度为0.02～0.06mol/L的硝酸钴水溶液中，使牛血清白蛋白浓度为3～5g/L，得溶液A；配制浓度为0.009～0.027mol/L钠离子水溶液，为溶液B，然后将溶液B迅速倒入快速搅拌的溶液A中；2)将步骤1)得到的混合溶液用超声乳化仪进行超声乳化处理2～5分钟；3)干燥；4)煅烧1～3小时，即得到超薄片状NaxCo2O4热电化合物粉体。本发明具有方法简单易控、反应周期短、原材料易得、安全无污染的特点；产品超薄片状结构，厚度在100～200nm之间，等效直径在1～5μm之间。

公开(公告)号：CN101106005A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710052483.X

申请日：2007-06-15

申请人： 武汉理工大学

发明人： 赵文俞 ,  魏平 ,  吴晓艳 ,  程海斌 ,  张清杰

IPC分类号： H01F1/36 ,  C04B35/26 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开了高饱和磁化强度、低矫顽力六角铁氧体材料的制备方法。所述六角铁氧体材料的化学组成为BaFe12+xO19+1.5x，0≤x≤1.0，其制备方法是：以铁盐和钡盐为原料配制成混合盐溶液，以碱溶液为沉淀剂，采用并加共沉淀工艺制备出共沉淀前驱体超细粉；通过瞬时脉冲大电流使前驱体颗粒均匀自身发热和等离子体表面活化，实现这种六角铁氧体的超快速结晶和致密化烧结。本发明所制备的六角铁氧体材料具有低成本、高纯度和高致密度等特点，其饱和磁化强度高于BaFe12O19的理论值、矫顽力远低于BaFe12O19的矫顽力，适合用作高密度垂向磁记录介质、微波发射和吸收装置、武器装备用隐身与反隐身材料。

公开(公告)号：CN101073831A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710052482.5

申请日：2007-06-15

申请人： 武汉理工大学

发明人： 赵文俞 ,  童宇 ,  王要娟 ,  翟鹏程 ,  唐新峰 ,  张清杰

IPC分类号： B22F3/02 ,  B22F9/04 ,  H01L35/34

摘要： 本发明提供的Zn4Sb3基块体热电材料的超高压冷压成型方法，具体是：先在真空下熔融高纯Zn粉、Sb粉和/或Te粉，冷凝结晶后得到单相β－Zn4Sb3基化合物的铸体；尔后研磨、过筛得到单相β－Zn4Sb3基化合物的粉体；最后在室温、2～10GPa压力下使粉体冷压成型并致密化，得到高致密度的单相β－Zn4Sb3基块体热电材料。本发明的优点在于：与现有工艺相比，所制造的β－Zn4Sb3基块体热电材料具有无杂质相、高致密度、高机械强度的特点，且热导率大幅度降低，制造周期短，能耗低，便于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN1317229C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200510019276.5

申请日：2005-08-11

申请人： 武汉理工大学

发明人： 王皓 ,  傅正义 ,  王为民 ,  王玉成 ,  张金咏 ,  张清杰

IPC分类号： C04B35/582 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种半透明氮化物陶瓷及其制备方法。一种半透明氮化物复相陶瓷的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)选取原料：按质量百分比为：AlN粉50～70、α-Si3N4粉20～40、Y2O3粉3～10和Al2O3粉0～10选取；2)将AlN粉、α-Si3N4粉、Y2O3粉和Al2O3粉在行星式球磨机上球磨混料6～12小时；3)真空下干燥；4)然后放入脉冲电流烧结炉中，施加20～30MPa的轴向压力，在N2气氛下进行烧结，N2气压力为0.01～0.1MPa，升温速度50～300℃/min；5)经过切割、研磨、抛光至镜面后，即为半透明氮化物复相陶瓷。本发明制备方法得到的半透明氮化物复相陶瓷最低相对密度大于97.5%，平均相对密度接近理论密度，晶粒均匀细小，以等轴AlN和α-Si3N4相为主，红外透过率为30%～55%。

公开(公告)号：CN1876283A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610019184.1

申请日：2006-05-30

申请人： 武汉理工大学

发明人： 唐新峰 ,  谢文杰 ,  张清杰

IPC分类号： B22F3/105 ,  H01L35/34

摘要： 本发明提供了一种钛钴锑基热电半导体材料的制备方法，具体是：将称量的钛粉、钴粉、锑粉或钛粉、锆粉、钴粉、锑粉，以无水乙醇为介质，在球磨机中球磨2～4小时；将球磨后的粉末置于真空干燥箱中干燥；将干燥后的粉末装入石墨模具中压实，然后连同模具一起移入放电等离子体烧结设备中，使之合成并烧结，冷却退模后即可。由于本发明采用SPS技术使钛钴锑基热电半导体材料的合成与烧结致密化一步完成，所制备材料的晶粒尺寸细小，将材料合成与烧结致密化统一起来，工艺简单，材料的利用率高，大大缩短了产品的生产周期。

公开(公告)号：CN1762834A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510019463.3

申请日：2005-09-21

申请人： 武汉理工大学

发明人： 唐新峰 ,  褚颖 ,  万玲 ,  赵文俞 ,  张清杰

IPC分类号： C01G51/00

摘要： 交叉共沉淀法制备方钴矿热电化合物纳米粉体的特征在于，采用交叉共沉淀原理，用两种沉淀剂分别沉淀可溶性金属盐，调节溶液的pH值，搅拌一定时间使其充分反应，得到相应的金属氧化物或金属氢氧化物沉淀产物，经过滤、洗涤、分散之后，在真空干燥箱中干燥处理，干燥后的前驱体置于管式气氛炉于450～600℃之间进行还原热处理，最终得到方钴矿热电化合物纳米粉体。本发明具有原料廉价易得、设备简单、周期短、能耗低、粉体粒径细小均匀可控、纯度高等特点，提供了一种适用于大规模制备方钴矿热电化合物纳米粉体技术。

公开(公告)号：CN1253515C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200410060854.5

申请日：2004-09-14

申请人： 武汉理工大学

发明人： 官建国 ,  李立春 ,  陶剑青 ,  程海斌 ,  张清杰 ,  袁润章

IPC分类号： C09C3/10 ,  C10M125/10 ,  C10N40/14

摘要： 本发明涉及用于水基磁流变液的悬浮粒子及其制造方法。亲水性聚合物包裹的磁性粒子，磁性金属表面外包覆有无机氧化物层，其特征是：无机氧化物层外包覆有末端带有一个烷氧基硅的亲水性聚合物层。其制备方法，按物质的量比，将表面包覆无机氧化物的磁性金属的复合粒子100份、烷氧基金属化合物0.1～5.0份、末端带有一个烷氧基硅的亲水性聚合物0.05～5.0份充分分散在50-10000份的N，N-二甲基甲酰胺溶剂中，边搅拌边滴加碱液调节体系的pH值，用磁分离、水洗的方法提纯并收集固体，干燥后得到所述产品。本发明具有良好的抗氧化性能、优良的软磁特性，其制备方法方便易行。