公开(公告)号：CN100456118C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200610059717.9

申请日：2006-03-03

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  小松友子

IPC: G02F1/167 ,  G09G3/20

Abstract: 本发明提供一种显示中间亮度灰阶的电泳显示装置。该电泳显示装置具备：多个像素；电泳层，其包含被施加电场后会游动的电泳粒子；以及共用电极，其与多个像素相对设置，并与像素之间夹持电泳层。各像素由多个子像素构成，在多个子像素中，至少存在一对无法用直线使子像素彼此分离的子像素对。此外，至少具备一对相邻的子像素间的边界由多条直线构成的子像素对。

公开(公告)号：CN100355026C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN00816776.1

申请日：2000-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  西前顺一 ,  冈本达树 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  宫坂光敏 ,  次六宽明

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/24

Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在玻璃衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长为390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与该第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射设置为390nm以上、640nm以下的激光(35)，与第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。

公开(公告)号：CN1300725C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200310124249.5

申请日：2003-12-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: G06F17/00

CPC classification number: G06K9/00087

Abstract: 本发明提供一种指纹核对方法及指纹核对装置。从被采集的指纹图像中抽出ND(ND为4以上的整数)个采集特征点，将从各采集特征点和与该采集特征点接近的LD(2≤LD≤ND-1，LD为整数)个接近采集特征点连接的多个采集连线所得到的采集数值群，作为采集数值信息，付与该各采集特征点，根据成为所述采集数值信息和分别被付与到NR(NR为4以上的整数)个登录特征点的登录数值群的登录数值信息的比较结果，将m(3≤m≤ND，m为整数)个采集特征点分别与m个登录特征点构成对应关联，比较核对所述m个采集特征点之间的位置关系和所述m个登录特征点之间的位置关系。

公开(公告)号：CN1834763A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610059650.9

申请日：2006-03-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: G02F1/167 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/344 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2320/066

Abstract: 一种在第1基板上配置多个像素成矩阵状，在第2基板上设置公共电极，在第1基板和第2基板之间夹持电泳材料的电泳显示装置，电泳材料，包含带正电的正带电粒子和带负电的负带电粒子，像素设置在信号线与扫描线的交点处，像素包含电容线、TFT、保持电容和像素电极，TFT的源电极与保持电容的第1电极以及像素电极连接，漏电极与信号线连接，栅极与扫描线连接，保持电容的第2电极与保持电容线连接，向保持电容线供给电容线低选择信号VSL或者比电容线低选择信号VSL更高电位的电容线非选择信号VSC。从而，提供一种改善余像或对比度降低的电泳显示装置。

公开(公告)号：CN1274009C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200310101575.4

申请日：1995-06-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L21/205 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  F16C29/00 ,  F16C2360/45 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜半导体器件的制造方法，该薄膜半导体器件具有基板，在基板的一部分上形成衬底保护膜，所述衬底保护膜包含一种绝缘材料，且在该衬底保护膜上形成半导体膜，将所述半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括以下工序：利用等离子体增强的化学汽相淀积反应装置形成所述衬底保护膜；利用氧等离子体或氢等离子体照射所述衬底保护膜；并在不破坏等离子体增强的化学汽相淀积反应装置真空的条件下在所述衬底保护膜的顶部形成所述半导体膜。

公开(公告)号：CN1235269C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN02120461.6

申请日：1996-08-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L21/205 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 为了通过可使用廉价的玻璃基板的低温工艺来制造高性能的薄膜半导体器件，在通过使用了作为原料气体的硅烷和作为稀释气体的氩的PECVD法形成结晶性高的混晶质半导体膜之后，用激光照射等方法提高结晶性来制造薄膜半导体器件，使用该薄膜半导体器件制成液晶显示装置或电子设备。在将本发明应用于有源矩阵基板的液晶显示装置的制造时，可容易地而且稳定地制造大型和高质量的液晶显示装置。此外，在应用于其他的电子电路的制造时，也可容易地而且稳定地制造高质量的电子电路。

公开(公告)号：CN1180457C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN01137486.1

申请日：1996-06-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L31/18 ,  H01L31/048

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：在基板上淀积半导体膜的半导体膜淀积工艺，反复进行使该半导体膜的一部分熔融结晶化处理，从而使该半导体膜的实质上整个领域进行结晶的第1退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行快速热处理的第2退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行电路图案形成工艺，以及形成与最终得到的晶体性半导体连接的电极的电极形成工艺。

公开(公告)号：CN1538143A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410035310.3

申请日：2004-04-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  吉田纩幸

IPC: G01B7/28

CPC classification number: G06K9/0002

Abstract: 本发明提供一种静电电容检测装置，包括配置成M行N列矩阵状的M根个别电源线、N根个别输出线、和设置在这些交点的静电电容检测元件；静电电容检测元件包括信号检测元件和信号放大元件；信号检测元件包括电容检测电极和电容检测电介质膜；信号放大元件由包括栅电极、栅绝缘膜和半导体膜所构成的信号放大用MIS型薄膜半导体装置所构成。这样，可以优良的静电电容检测装置。

公开(公告)号：CN1161827C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN98804239.8

申请日：1998-12-25

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  坂本孝雄

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C14/5813 ,  C23C14/10 ,  C23C14/58 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种氧化硅膜的制造方法，其特征在于，包括利用气相淀积法形成氧化硅膜的工序以及对该氧化硅膜照射红外光的工序。因此，按照本发明，可将在较低的温度下形成的质量较低的氧化硅膜改善为质量高的氧化硅膜。在将本发明应用于薄膜半导体装置的情况下，可制造工作可靠性高的高性能半导体装置。

公开(公告)号：CN1512391A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310124249.5

申请日：2003-12-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: G06F17/00

CPC classification number: G06K9/00087

Abstract: 本发明提供一种指纹核对方法及指纹核对装置。从被采集的指纹图像中抽出ND(ND为4以上的整数)个采集特征点，将从各采集特征点和与该采集特征点接近的LD(2≤LD≤ND－1，LD为整数)个接近采集特征点连接的多个采集连线所得到的采集数值群，作为采集数值信息，付与该各采集特征点，根据成为所述采集数值信息和分别被付与到NR(NR为4以上的整数)个登录特征点的登录数值群的登录数值信息的比较结果，将m(3≤m≤ND，m为整数)个采集特征点分别与m个登录特征点构成对应关联，比较核对所述m个采集特征点之间的位置关系和所述m个登录特征点之间的位置关系。