公开(公告)号：CN106010296B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610157056.7

申请日：2016-03-18

申请人： 优备材料有限公司

发明人： 朴珍亨

IPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/04

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明提供一种用于抛光钴的浆液以及衬底抛光方法。所述浆液包含：经配置以执行抛光的研磨剂，所述研磨剂包括氧化锆颗粒；经配置以分散研磨剂的分散剂；以及经配置以加速抛光的抛光加速剂。所述抛光加速剂包含含有胺基和羧基的有机酸。依据根据示范性实施例的浆液，钴的抛光速率可增加而无需使用氧化剂，且可抑制钴的表面上的局部腐蚀缺陷。

公开(公告)号：CN109473356A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811036797.5

申请日：2018-09-06

申请人： IMEC ,  非营利协会

发明人： A·维洛索 ,  G·埃内曼 ,  N·科拉尔特 ,  E·罗西尔

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42356

摘要： 依据本发明概念的一个方面，提供一种形成垂直通道器件的方法，该方法包括：在基材(101)上形成包括第一柱部分(110)、第二柱部分(120)和第三柱部分(130)的垂直半导体柱(108)，其中第二柱部分(120)设置在第一柱部分(110)和第三柱部分(130)之间，并且其中第二柱部分(120)由与形成第一柱部分(110)的上部(110a)的材料不同、且与形成第三柱部分(130)的下部(130a)的材料不同的材料形成，在第一柱部分(110)的上部(110a)的周向表面上以及第三柱部分(130)的下部(130a)的周向表面(130aa)上形成间隔层(112、132)，以及形成嵌入第二柱部分(120)和所述上部(110a)和所述下部(130a)的栅极堆叠体(150)，其中间隔层(112、132)形成了栅极堆叠体(150)与所述上部(110a)之间以及栅极堆叠体(150)与所述下部(130a)之间的间隔部。

公开(公告)号：CN109021833A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810596550.2

申请日：2018-06-11

申请人： 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

发明人： 朴承浩 ,  孔铉九 ,  金正训 ,  李相美 ,  李愚仁 ,  全喜淑 ,  金相均 ,  崔浩 ,  朴钟爀 ,  尹一永

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3212 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043

摘要： 本揭露提供一种用于抛光金属层的浆料组合物及一种使用所述浆料组合物制作半导体装置的方法。用于抛光金属层的浆料组合物包括：包含金属氧化物的抛光颗粒；包含过氧化氢的氧化剂；以及包含选自由磷酸酯、亚磷酸酯、次磷酸酯、偏磷酸酯及其盐组成的群组的至少一者的第一抛光调节剂，其中以100重量％的所述用于抛光金属层的浆料组合物计，氧化剂的含量是0.01重量％到0.09重量％。本揭露的浆料组合物可提供高抛光速率。

公开(公告)号：CN105225949B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201410226180.5

申请日：2014-05-26

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 赵简 ,  王杭萍

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L21/30625 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/66545

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过将第一伪栅极、第二伪栅极与多晶硅栅极去除一定的厚度，使得保护层位于多晶硅栅极上方的部分低于栅极金属层，再通过选择合适的保护层使得CMP工艺所采用的研磨浆料对保护层的去除率低于对栅极金属层的去除率，因此，保护层可以在对栅极金属层进行CMP时保护多晶硅栅极免受过度去除，因而可以提高半导体器件的性能和良率。本发明的电子装置，由于使用了上述的半导体器件，因而具有更好的性能。

公开(公告)号：CN108022838A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710704465.9

申请日：2017-08-16

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 石丸亮 ,  宇根聪 ,  森政士

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28273

摘要： 本发明的目的在于，提供一种在使用微细化的图案对含有钨元素的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法中能够以相对于SiN膜高选择比并且高产量地对含有钨元素的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。本发明的特征在于，在使用等离子体对含有钨元素的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法中，使用含有硅元素的气体、含有卤素元素的气体、以及含有碳元素和氧元素的气体对所述含有钨元素的膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN107980170A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201580080061.6

申请日：2015-06-17

申请人： 英特尔公司

发明人： P·E·罗梅罗 ,  J·J·普罗姆伯恩

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L21/32135 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 说明了用于器件制造的通过氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻以及所得到的器件。在示例中，一种对膜进行蚀刻的方法，包括使包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应。该方法还包括去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供过渡金属物质的氧化表面层。该方法还包括使过渡金属物质的氧化表面层与分子蚀刻剂反应。该方法还包括通过挥发去除过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。

公开(公告)号：CN107871737A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710109434.9

申请日：2017-02-27

申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司

发明人： G·C·里贝斯 ,  B·杜蒙特 ,  F·亚瑙德

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7838 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0705

摘要： 本申请涉及包括MOS晶体管的集成电路及其制造方法。一种包括FDSOI型MOS晶体管的集成电路包括形成在位于绝缘层上的半导体层的内部和顶部上的至少一个第一类型的逻辑MOS晶体管、至少一个第二类型的逻辑MOS晶体管以及至少一个该第一类型的模拟MOS晶体管，其中，这些逻辑晶体管的栅叠层依次包括栅极绝缘体层、第一氮化钛层、镧层和第二氮化钛层；并且该模拟晶体管的栅叠层包括除了该第一氮化钛层以外与这些逻辑晶体管的该栅叠层相同的层。一种制造这种器件的方法。

公开(公告)号：CN107750396A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201580081243.5

申请日：2015-06-26

申请人： 英特尔公司

发明人： U.E.阿夫西 ,  D.H.莫里斯 ,  I.A.扬 ,  S.M.拉梅

IPC分类号： H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11558 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11521 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11558 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

摘要： 本公开的实施例提供用于具有鳍间浮栅的半易失性嵌入式存储器的技术和配置。在一个实施例中，一种设备包括半导体衬底以及在半导体衬底上形成的浮栅存储器结构，其包含位单元，所述位单元具有：从衬底延伸的第一、第二和第三鳍结构；氧化物层，设置在第一与第二鳍结构之间和第二与第三鳍结构之间；第一晶体管的栅极，设置在氧化物层上，并且与第一鳍结构的顶部耦合并在其之上延伸；以及第二晶体管的浮栅，设置在第二与第三鳍结构之间的氧化物层上。可描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN103681285B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310102336.4

申请日：2013-03-27

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 姜东均

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/76841 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种形成具有降低的电阻率的无氟钨扩散阻挡层的方法、一种利用无氟钨扩散阻挡层的半导体器件，以及一种用于形成这样的半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103811538B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201310279559.8

申请日：2013-07-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 钟鸿钦 ,  蔡向荣 ,  李显铭 ,  洪正隆 ,  魏孝宽

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供了半导体结构。半导体结构包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅叠层。栅叠层包括高k介电材料层、位于高k介电材料层上方的富钛TiN层以及设置在富钛TiN层上方的金属层。金属层包括铝。本发明还提供了具有器件收益和生产率改进的金属栅极结构。