一种压电薄膜泵及其制作方法

    公开(公告)号:CN104533762B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201410787635.0

    申请日:2014-12-17

    IPC分类号: F04B43/04 B23P15/00 H01L41/04

    摘要: 本发明公开了一种压电薄膜泵及其制作方法,自上到下包括盖板、压电膜、通道层及基板,盖板、压电膜、通道层及基板之间固定连接,压电膜的上表面及下表面对应镀有导电膜区,导电膜区包括压电薄膜泵的工作区电极以及与压电薄膜泵的工作区电极相连接的导通区域。盖板上开设有第一通孔,第一通孔正对压电膜上对应的压电薄膜泵的工作区电极,通道层上开设有流体通道,流体通道的一端与外界相连通,流体通道包括第二通孔、储液池通孔、收液池通孔及通道槽孔,所述第二通孔正对第一通孔,第二通孔与收液池通孔及储液池通孔之间均通过通道槽孔相连通。制作方法简单方便,在整个制作过程中完全可以不需要昂贵的设备,完全可以广泛推广,实用性强。

    一种串联柔性振动压电隔膜式生物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102937607B

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201210448539.4

    申请日:2012-11-09

    IPC分类号: G01N27/00

    摘要: 本发明涉及一种串联柔性振动压电隔膜式生物传感器及其制备方法。其利用微加工技术在SOI硅片衬底上制备柔性振动压电隔膜,其中SOI硅片的Device层作为隔膜的支撑层,压电薄膜作为隔膜振动的驱动层,上下电极分别位于压电层上下表面。本发明的传感器从原理和结构设计上,巧妙地避免了成本高、效果差的压电层图形化工艺,同时,参比单元的存在极大的提高了传感器的检测精度。另外,相比于QCM生物传感器,本发明所述的传感器更为灵敏,用于液相原位检测时品质因数高,而且便于微小化和批量化制造;相比于柔性振动悬臂梁式传感器,本发明所述的传感器结构牢固,用于液相原位检测时品质因数高。

    一种用于高频超声换能器的无铅压电复合厚膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102863212A

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN201210224769.2

    申请日:2012-07-02

    摘要: 本发明涉及一种用于高频超声换能器的无铅压电复合厚膜的制备方法,包括以下步骤:(1)按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比,制备钛酸铋钠先驱体溶胶;(2)制备微纳米级Bi0.5(Na1-xKx)0.5TiO3钛酸铋钾钠陶瓷粉体;(3)将微纳米级陶瓷粉体与钛酸铋钠先驱体溶胶混合,可以按照需求调整复合厚膜中陶瓷粉体的质量含量从20%-80%,制备混合浆料;(4)重复旋涂工艺-热处理工艺,得到具有无铅压电复合厚膜。本发明方法能够有效降低厚膜的烧结温度,降低钾、钠、铋元素的挥发,提高厚膜的介电、铁电、压电性能。

    一种以聚乙烯醇分散的二氧化铈水溶胶合成方法

    公开(公告)号:CN102757081A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201210259636.9

    申请日:2012-07-25

    IPC分类号: C01F17/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种以聚乙烯醇分散的二氧化铈水溶胶合成方法,其特征在于,合成原料以硝酸铈盐为铈源、尿素为配位剂、氨水为催化剂、聚乙烯醇PVA为分散剂,在高纯去离子水溶剂中通过铈盐水解,经历中间产物氧化、脱水、结晶得到纳米二氧化铈胶体。本发明合成的二氧化铈水溶胶能够克服固相二氧化铈研磨料粒度分布不均、硬度大、颗粒易聚沉等缺点,能够应用在化学机械抛光领域。

    焦绿石薄膜多层陶瓷电容器及其低温制备方法

    公开(公告)号:CN102543430A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210009417.5

    申请日:2012-01-12

    IPC分类号: H01G4/008 H01G4/12 H01G4/30

    摘要: 本发明利用薄膜沉积工艺和多层电容器结构特征,并且根据在低温(摄氏20~200度)制备的焦绿石薄膜具有高介电常数的特点,利用掩膜版或光刻等工艺在有机基板等衬底上分别交替多次制备贱金属电极和铋锌铌或铋镁铌等介质薄膜,形成薄膜多层陶瓷电容器。该薄膜多层陶瓷电容器由于是低温制备,可以采用铝、铜、镍或其他贱金属作为薄膜多层陶瓷电容器的电极材料,另外,由于是低温制备,与有机电路板和多层印刷线路板等好的工艺兼容性,可以在有机基板或多层印刷线路板上直接制备。低温下磁控溅射沉积的焦绿石薄膜介电常数可达到60以上,介电损耗小于2%。这种薄膜多层陶瓷电容器具有低温制备、体积小、使用电压低、可靠性高、电容量大、损耗小和成本低廉等特点,是一种新型的嵌入式薄膜多层陶瓷电容器。

    一种无铅压电铌酸钾钠薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101386426B

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200810231773.5

    申请日:2008-10-16

    IPC分类号: C01G33/00

    摘要: 本发明涉及无铅压电功能材料领域,特别涉及一种无铅压电铌酸钾钠薄膜的制备方法。它包括以下步骤:称量无水五氯化铌NbCl5和无水乙醇,以无水苯为反应溶剂,通入氨气,抽滤、洗涤、蒸馏,得到乙醇铌溶液;称取无水乙酸钠和无水乙酸钾,并溶于乙酸溶液中,获得含钾钠混合溶液;其次称取乙醇铌溶液,溶于乙二醇甲醚溶液中,获得含铌溶液;将上述得到的含钾钠混合溶液与含铌溶液进行混合,加热、搅拌,得到铌酸钾钠溶胶,作为前驱液采用旋转成膜法制备薄膜。

    一种用于嵌入式电容器的铋锌铌薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101693988A

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200910024398.1

    申请日:2009-10-20

    摘要: 本发明公开了一种用于嵌入式电容器的铋锌铌薄膜的制备方法,按照步骤依次包括配料、球磨、预烧、成型、烧结、沉积薄膜和热处理,本发明的沉积薄膜是采用脉冲激光沉积技术将以上制得的铋锌铌陶瓷靶材在镀Pt基片或聚合物基底的覆铜板上原位沉积厚度为200~500nm的薄膜。这种采用脉冲激光沉积工艺,在室温下原位沉积的方法制得的薄膜呈现为非晶态的BZN材料,薄膜的表面非常光滑,具有较低的表面粗糙度。本发明制得的BZN薄膜材料的介电常数为60,并且损耗在0.6%左右。在0.3MV/cm时,漏电流密度均为1×10-7A/cm2。充分满足作为嵌入式电容器的介电材料的使用。这非晶态的BZN薄膜材料制备工艺简单,满足电子元器件的快速发展的要求,具有良好的市场前景。