-
公开(公告)号：CN113193871B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110460837.4
申请日：2021-04-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种基于缓冲架构下的采样网络建模电路，包括依次连接的边缘等效寄生电路、输入缓冲器、核内等效寄生电路，其中，边缘等效寄生电路，用于模拟信号源的内阻、封装引入的键合线寄生电感和寄生电阻，以及芯片PAD的寄生电容；核内等效寄生电路，用于模拟核内版图走线引入的寄生电阻，以及核内采样保持电路；由依次连接的边缘等效寄生电路、输入缓冲器、核内等效寄生电路共同实现信号采样。本发明采样网络建模电路分为边缘等效寄生电路，输入缓冲器和核内等效寄生电路，实现简单，且通过对这三部分电路的等效建模优化输入缓冲器的传输函数，进而优化整体ADC采样网络的传输函数，以实现输入信号的最大带宽和线性度，提升ADC的整体性能。
-
公开(公告)号：CN116155293A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310034618.9
申请日：2023-01-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于电容桥接式DAC的前台模拟校准方法，包括：将正弦信号输入SAR ADC，获得SAR ADC输出的当前数字码；对当前数字码进行直方图分布统计；基于N(i)检测当前数字码是否满足预设的单调性，并根据检测结果确定桥接DAC的LSB阵列中当前电容的校准电容的连接方式；从当前电容的所有校准电容中，确定待接入的校准电容；按照连接方式将待接入的校准电容接入桥接DAC后，返回将正弦信号输入SAR ADC的步骤，并逐步减小DAC的量化误差，使得INL和DNL满足误差要求。同时，本发明将LSB阵列周围填充的保护隔离电容作为校准电容，通过串联\并联校准电容的方式调整电容阵列的位电容比例，降低电容阵列整体的比例失配，减小电路的非线性误差。
-
公开(公告)号：CN115473527A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210996978.2
申请日：2022-08-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种基于多级量化噪声补偿的分数采样锁相环包括：两步量化噪声补偿电路，使用N1‑bit的相位插值器PI和N2‑bit的数控开关电容阵列DCCA联合补偿的方式，对分数采样锁相环中DSM的量化误差造成的量化噪声进行2次补偿；其中，第一步量化噪声补偿电路的N1‑bit相位插值器补偿可以使得量化噪声降低6*(N1+2)dB，第二步量化噪声补偿电路N2‑bit电容阵列补偿可以使得量化噪声继续降低6*N2dB，大大降低了分数锁相环的量化噪声和整数边界杂散。
-
公开(公告)号：CN115425983A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210913174.1
申请日：2022-07-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明提供的一种高精度MASH型高阶噪声整形模数转换器，针对第一级采用DWA实现DAC电容失配的一阶整形，针对第二级的非理想效应进行二阶整形，通过数字噪声消除技术处理第二级的数字码，然后和第一级的数字码拼起来得到整体输出。本发明两级实现四阶量化噪声整形效果并完成失配误差整形；同时本发明复用一个运算放大器以满足两级余差放大的要求，并且第二级的各种非理想效应能够被二阶整形，整形效率以及精度较高。由于本发明的第二级电路对各类非理想效应相对不敏感，可以降低电路设计难度。本发明在相同面积开销下单位电容可以有更高取值，减小电容失配，此外本发明能够工作在四种不同模式下，适合不同精度要求的应用场合。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114841191A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210271015.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于全连接脉冲神经网络的癫痫脑电信号特征压缩方法，包括：获取原始脑电信号数据；对原始脑电信号数据进行数据切分，并对切分后的每个脑电信号数据片段分别进行滤波处理，得到每个脑电信号数据片段对应的不同频带下的脑电数据；对每个脑电信号数据片段对应的不同频带下的脑电数据求解功率，得到每个脑电信号数据片段的特征向量；将特征向量作为训练数据集输入构建的全连接脉冲神经网络中进行训练；利用训练完成的全连接脉冲神经网络，对提取的待检测的脑电信号数据的特征向量进行特征压缩，得到脉冲发射个数，脉冲发射个数作为后续SVM分类器的输入特征向量。本发明的癫痫脑电信号特征压缩方法，降低了癫痫监测模型的计算难度。
-
公开(公告)号：CN114018298B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202111234468.3
申请日：2021-10-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01D5/24
Abstract: 本发明提供一种用于MEMS电容型传感器的电容‑电压变换电路，包括：电压激励源、共模电荷控制器和电荷电压转换模块；其中，电荷电压转换模块包括：第一级差分放大器、第二级差分放大器、增益误差矫正器、有源噪声抵消器和电荷反馈单元，由于在第一级差分放大器放大预设电容传感器寄生电容的置位噪声信号后，与第一级差分放大器连接的有源噪声抵消器能够对置位噪声信号进行吸收、并且分别与有源噪声抵消器和第二级差分放大器连接的增益误差矫正器可以对第一级差分放大器及第二级差分放大器产生的增益误差加以矫正，因此在降低噪声的同时提高了增益精度，从而显著提升能效。
-
公开(公告)号：CN114567326A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210082333.8
申请日：2022-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种超高速动态电流积分型采样保持电路，通过放电采样电路将输入信号由电压形式转化为呈线性关系的电流形式；每一路状态控制电路根据自身输入的逻辑时序形成不同的控制状态，并在不同的控制状态下对自身连接的采样电容进行充放电，完成对所述差分模拟输入信号的超低功耗电流积分采样以及保持过程，以实现抗混叠效果。本发明的放电采样电路可以提高采样的线性度，且输入信号直接连接于输入管栅极，实现输入缓冲器功能，同时动态的实现方式，使得电路静态功耗为零，实现超低功耗采样。因此本发明节省了采样电路前端的抗混叠滤波器和输入缓冲器，电路内部无需自举开关，同时没有静态功耗，可以简化电路结构，降低整体功耗。
-
公开(公告)号：CN114509579A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110351837.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种采用电压控制比例读出技术的MEMS电容型加速度计接口电路，包括动态激励源、差分电荷‑电压变换器、共模电荷‑电压变换器、模拟‑数字变换器，其中，动态激励源，用于产生激励信号以激发外部传感单元产生电荷信号；共模电荷‑电压变换器，用于将电荷信号中的共模分量读出并转换为共模电压；差分电荷‑电压变换器，用于将电荷信号中的差分分量读出并转换为差分电压；模拟‑数字变换器，用于根据共模电压转换差分电压，以实现电压控制比例读出。本发明所提出的架构支持动态激励，使得激励源不再限定于使用带隙基准和缓冲器的方式，从而提升了接口电路整体能效，且仅需要一个MEMS传感单元形成全差分结构，从而降低了制造成本。
-
公开(公告)号：CN114389615A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111517920.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种基于环形放大器的MDAC，该MDAC呈上下对称的伪差分结构，本实施例的环形放大器没有内部极点，相比传统多级米勒补偿运放，在实现相同带宽下所用功耗更低，即能效更高；并且本发明的环形放大器在第三级引入增益补偿MOS管，在输出电压接近电源轨时，增益补偿MOS管形成的正反馈机制会补偿输出电压接近电源轨时的增益下降，从而得到一个范围更大更平坦的开环增益与输出电压的曲线，相比传统运放，在相同的线性度指标下，本实施例的环形放大器的输出摆幅更大。同时本发明的环形放大器在电源轨之间堆叠的MOS管最多是三个，适用于低压的先进工艺。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
298
records
(took 0.069 seconds)
