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    电容器结构的制造方法
    83.
    发明授权
    电容器结构的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102148261B

    公开(公告)日：2013-01-23

    申请号：CN201010111332.9

    申请日：2010-02-10

    申请人： 中国科学院微电子研究所

    发明人： 梁擎擎 ,  钟汇才

    IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L28/90 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L28/86

    摘要： 本发明公开了一种制造电容器结构的方法，包括：a)在半导体衬底上形成绝缘层；b)在所述绝缘层上交替沉积第一电极层、第一电介质层、第二电极层和第二电介质层，以形成多层结构；c)对所述多层结构的第一侧面进行蚀刻，选择性去除第二电极层在第一侧面上暴露的一部分，从而在所述第一侧面上留下凹陷；d)对所述多层结构的第二侧面进行蚀刻，选择性去除第一电极层在第二侧面上暴露的一部分，从而在所述第二侧面上留下凹陷；e)在所述多层结构上沉积绝缘材料的覆盖层；f)在所述覆盖层中形成暴露所述第一侧面和所述第二侧面的开口，其中在第一侧面和第二侧面上的凹陷中留下所述绝缘材料；g)在所述开口中填充导电材料。

    堆叠电容结构及其制作方法
    84.
    发明公开
    堆叠电容结构及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN102800565A

    公开(公告)日：2012-11-28

    申请号：CN201210157851.8

    申请日：2012-05-21

    申请人： 南亚科技股份有限公司

    发明人： 管式凡

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/64

    CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90

    摘要： 本发明公开了一种堆叠电容结构及其制作方法，堆叠电容结构中的各个电容的上电极是借由一连结节点互相电连结，形成堆叠电容结构的步骤如下：首先，提供一絶缘基底，絶缘基底包括至少一掺质絶缘材料层和至少一絶缘材料层，接着图案化絶缘基底，而形成一沟渠在絶缘材料层和掺质絶缘材料层中，沟渠的一内侧侧壁包括一第一区域和一第二区域，第二区域内的掺质絶缘材料层被完全移除而形成一孔洞，然后形成一上电极板围绕沟渠的内侧侧壁，并且上电极板填满孔洞，然后形成一电容介电层围绕上电极板，最后形成一储存节点填入沟渠。

    电容
    85.
    发明公开
    电容 有权

    公开(公告)号：CN102543949A

    公开(公告)日：2012-07-04

    申请号：CN201210034975.7

    申请日：2009-09-10

    申请人： 联发科技股份有限公司

    发明人： 林哲煜

    IPC分类号： H01L23/522

    CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明提供一种电容。该电容包括：第一垂直金属板，连接第一端；第二垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第二垂直金属板连接第二端；第三垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第三垂直金属板置于所述第一垂直金属板的与所述第二垂直金属板相对的一侧，且所述第三垂直金属板与第三端连接；至少一个电介质层，置于所述第一垂直金属板、所述第二垂直金属板和所述第三垂直金属板之间。利用本发明能更有效节省芯片面积，减小电路平面布置，且具有更好的电气性能。

    电容器结构及其制造方法
    86.
    发明公开
    电容器结构及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102148261A

    公开(公告)日：2011-08-10

    申请号：CN201010111332.9

    申请日：2010-02-10

    申请人： 中国科学院微电子研究所

    发明人： 梁擎擎 ,  钟汇才

    IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L28/90 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L28/86

    摘要： 本申请公开了一种电容器结构及其制造方法，该电容器结构包括：在衬底上形成的多个叠层电容器，每一个叠层电容器包括顶极板、底极板和夹在二者之间的电介质，以及用于将所述多个叠层电容器并联连接的电容器第一电极和电容器第二电极，其中，所述多个叠层电容器包括交替堆叠的第一叠层电容器和第二叠层电容器，每一个第一叠层电容器的底极板与位于其下方的第二叠层电容器的顶极板由公共的第一电极层形成，每一个第二叠层电容器的底极板与位于其下方的第一叠层电容器的顶极板由公共的第二电极层形成，其中，所述第一电极层和所述第二电极层由不同的导电材料组成。该电容器结构减小了芯片占用面积，可应用于模拟电路、射频电路或嵌入式存储器中的集成电容器中。

    电容及金属-氧化物-金属电容
    88.
    发明公开
    电容及金属-氧化物-金属电容 有权

    公开(公告)号：CN101908563A

    公开(公告)日：2010-12-08

    申请号：CN200910169928.1

    申请日：2009-09-10

    申请人： 联发科技股份有限公司

    发明人： 林哲煜

    IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L29/41 ,  H01L27/02 ,  H01L23/528

    CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明提供一种电容及金属-氧化物-金属电容。金属-氧化物-金属电容包括：第一垂直金属板，连接第一端；第二垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第二垂直金属板连接第二端；第三垂直金属板，与所述第一垂直金属板紧密相邻，且所述第三垂直金属板置于所述第一垂直金属板的与所述第二垂直金属板相对的一侧，且所述第三垂直金属板与第三端连接；至少一个氧化层，置于所述第一垂直金属板、所述第二垂直金属板和所述第三垂直金属板之间。利用本发明能更有效节省芯片面积，减小电路平面布置，且具有更好的电气性能。

    金属-绝缘层-金属电容器及其制造方法
    89.
    发明授权
    金属-绝缘层-金属电容器及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101207019B

    公开(公告)日：2010-12-08

    申请号：CN200710110383.8

    申请日：2007-06-13

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 涂国基

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

    CPC分类号： H01L28/86 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852

    摘要： 本发明的一个实施例公开了一种金属-绝缘层-金属电容器及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，其表面形成有第一绝缘层；于第一绝缘层上形成堆叠绝缘结构，其由多个第二绝缘层和多个第三绝缘层交错形成；形成开口于堆叠绝缘结构中以暴露出第一绝缘层的一部分；执行湿蚀刻工艺以大量去除这些第二绝缘层，及小量去除这些第三绝缘层，由此在这些第二绝缘层中沿着开口侧壁形成多个横向凹槽；形成底部电极层，其沿着开口及横向凹槽的侧壁和底部延伸；形成电容绝缘层于底部电极层上；及形成顶部电极层于电容绝缘层上。本发明的优点包括可改善材料层的品质以及减少工艺时间。