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    集成电容
    2.
    发明公开
    集成电容 无效

    公开(公告)号：CN105280607A

    公开(公告)日：2016-01-27

    申请号：CN201410767297.4

    申请日：2014-12-12

    申请人： 联发科技股份有限公司

    发明人： 陈晞白 ,  李东兴

    IPC分类号： H01L23/522

    CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/86 ,  H01L28/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明提供一种集成电容，包含：半导体衬底，包含沟槽隔离区域；第一层间电介质层，覆盖沟槽隔离区域；第一电极板，包含第一层间电介质层中的至少第一接触层，其中接触层直接位于沟槽隔离区域上；第二电极板，位于第一层间电介质层；以及电容电介质结构，位于第一电极板与第二电极板之间。通过上述方案，可以在保持电容水平的基础上有效地减少占用芯片空间，且可以不需要额外的光掩膜。

    堆叠电容结构及其制作方法
    4.
    发明授权
    堆叠电容结构及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN102800565B

    公开(公告)日：2015-04-29

    申请号：CN201210157851.8

    申请日：2012-05-21

    申请人： 南亚科技股份有限公司

    发明人： 管式凡

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/64

    CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90

    摘要： 本发明公开了一种堆叠电容结构及其制作方法，堆叠电容结构中的各个电容的上电极是借由一连结节点互相电连结，形成堆叠电容结构的步骤如下：首先，提供一絶缘基底，絶缘基底包括至少一掺质絶缘材料层和至少一絶缘材料层，接着图案化絶缘基底，而形成一沟渠在絶缘材料层和掺质絶缘材料层中，沟渠的一内侧侧壁包括一第一区域和一第二区域，第二区域内的掺质絶缘材料层被完全移除而形成一孔洞，然后形成一上电极板围绕沟渠的内侧侧壁，并且上电极板填满孔洞，然后形成一电容介电层围绕上电极板，最后形成一储存节点填入沟渠。

    具有局部互连金属板的MOM电容器以及相关方法
    6.
    发明公开
    具有局部互连金属板的MOM电容器以及相关方法 无效

    公开(公告)号：CN103117268A

    公开(公告)日：2013-05-22

    申请号：CN201210359850.1

    申请日：2012-09-24

    申请人： 美国博通公司

    发明人： 陈向东 ,  陈国顺

    IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L28/86 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明涉及具有局部互连金属板的MOM电容器以及相关方法。根据一个示例性实施方式，一种半导体管芯中的金属-氧化物-金属（MOM）电容器包括共享平行于所述半导体管芯的第一金属化层的平面并且位于其下方的平面的第一多个电容器极板以及第二多个电容器极板。所述MOM电容器进一步包括位于所述第一多个电容器极板与所述第二多个电容器极板之间的局部层间电介质。所述第一和第二多个电容器极板是由用于连接在位于所述第一金属化层下方的半导体管芯的器件层中形成的器件的局部互连的金属制成。

    电容结构
    7.
    发明授权
    电容结构 失效

    公开(公告)号：CN101465385B

    公开(公告)日：2012-10-03

    申请号：CN200810212161.1

    申请日：2008-09-09

    申请人： 联发科技股份有限公司

    发明人： 杨明宗

    IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L23/522

    CPC分类号： H01L29/94 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明提供一种电容结构，包括：多个第一导线，平行设置于基底上的导电层中，上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组，第一电极群组的第一导线与第二电极群组的第一导线是交替设置的；绝缘层，形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域；第二导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于第一电极群组的上述多个第一导线；以及第三导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的上述多个第一导线。本发明的电容结构能具有更小的电容干扰，保证更稳定的工作。

    叉指状竖直平行电容器
    9.
    发明公开
    叉指状竖直平行电容器 失效 转让

    公开(公告)号：CN102473710A

    公开(公告)日：2012-05-23

    申请号：CN201080036668.1

    申请日：2010-08-26

    申请人： 国际商业机器公司

    发明人： R·A·小布思 ,  D·D·库尔博 ,  E·E·亨 ,  何忠祥

    IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/02

    CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 一种叉指状结构，其可以包括：至少一个第一金属线；至少一个第二金属线，其与至少一个第一金属线平行并且与其分离；以及第三金属线，其与至少一个第一金属线的端部接触，并且与至少一个第二金属线分离。至少一个第一金属线并不与任何金属过孔竖直接触，而至少一个第二金属线可以与至少一个金属过孔竖直接触。多层的叉指状结构可以竖直地堆叠。备选地，叉指状结构可以包括多个第一金属线、多个第二金属线，每个金属线并不与任何金属过孔垂直接触。可以在旋转或者不旋转的情况下，使叉指状结构的多个实例横向地复制和结合，和/或竖直堆叠以形成电容器。