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    卤代乙烯醚类磺酸衍生物的制法
    81.
    发明授权
    卤代乙烯醚类磺酸衍生物的制法 失效

    公开(公告)号：CN1154633C

    公开(公告)日：2004-06-23

    申请号：CN98803872.2

    申请日：1998-03-31

    申请人： 大金工业株式会社

    发明人： 建元正祥

    IPC分类号： C07C303/22 ,  C07C309/10

    CPC分类号： C08F289/00 ,  C07C303/22 ,  C08F16/30 ,  C08F259/08 ,  C08F293/005 ,  C07C309/10

    摘要： 将由式：FSO2CFXCF2O(CFXCF2O)nCF(CF2Y)COF(1)(X表示氟原子、氯原子或三氟甲基；Y表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子；而n表示0、1或2。)所表示的化合物变换为由式：MOSO2CFXCF2O(CFXCF2O)nCF(CF2Y)COOM1(2)(X、Y及n与前述同样意义，M及M1表示同一或不同也可以的碱金属原子或碱土金属原子。)所表示的化合物后，该化合物(2)在150～250℃热分解，之后，得到由式：ASO2CFXCF2O(CFXCF2O)nCF＝CF2(3)(式中X、A及n与前述同样意义，A：OM、OH或氟；M：碱或碱土金属)所表示的乙烯醚类磺酸衍生物。通过这种方法，不发生化合物(1)的环化反应，可以得到乙烯醚类磺酸衍生物(3)。

    一种优良复配性的耐温耐盐磺酸盐表面活性剂合成方法
    82.
    发明公开
    一种优良复配性的耐温耐盐磺酸盐表面活性剂合成方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118459373A

    公开(公告)日：2024-08-09

    申请号：CN202410570154.8

    申请日：2024-05-09

    申请人： 东北石油大学

    发明人： 王晨旭 ,  杨二龙 ,  董驰 ,  董淑祯 ,  杨宸

    IPC分类号： C07C303/32 ,  C07C309/10 ,  C09K8/584

    摘要： 本发明涉及石油化工领域，具体公开了一种优良复配性的耐温耐盐磺酸盐表面活性剂合成方法；本发明使用AEO‑9、氢氧化钠和2‑溴乙基磺酸钠三种原料制备FAPES膏状产物，加热融化AEO‑9与氢氧化钠混合反应，之后逐步加入2‑溴乙基磺酸钠与混合物进行反应，反应之后将生成物溶解在无水乙醇内部，去除未反应的2‑溴乙基磺酸钠，真空干燥可以得到FAPES膏状产物，合成方法简单，合成过程中副产物较少，而且合成产物在油田使用环境中耐温耐盐性较好，复配性能较好。

    一种压裂酸化起泡助排剂的制备工艺
    83.
    发明公开
    一种压裂酸化起泡助排剂的制备工艺 有权

    公开(公告)号：CN117487535A

    公开(公告)日：2024-02-02

    申请号：CN202311513454.4

    申请日：2023-11-11

    申请人： 荆州市吉通石油技术有限公司

    发明人： 兰争光 ,  白应芳

    IPC分类号： C09K8/60 ,  C09K8/74 ,  C07C303/32 ,  C07C309/10

    摘要： 本发明涉及石油勘探技术领域，且公开了一种压裂酸化起泡助排剂的制备工艺，含氟甜菜碱表面活性剂与制备的纳米微乳液复配后，纳米级乳液滴的表面活性剂体系通过减小表面张力、提高接触角，减弱了储层对压裂液的吸附作用，降低了孔隙毛细管力，促进压裂液从致密岩心中排出；同时能降低地层岩石与外来流体的界面张力，减少与管壁的摩擦阻力，有利于压裂液的高效返排，改善压裂酸化作业效果；选用生物降解性好的短氟碳链原料作为压裂酸化起泡助排剂的合成原料，避免长氟碳链的降解困难、持久性生物累积等问题，具有使用量少、助排率高、配伍性佳、热稳定性好的特点，对环境保护有一定的意义。

    一种半导体芯片清洗剂及其制备方法
    88.
    发明公开
    一种半导体芯片清洗剂及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116496851A

    公开(公告)日：2023-07-28

    申请号：CN202310446881.9

    申请日：2023-04-23

    申请人： 安徽应友光电科技有限公司

    发明人： 何桥 ,  黄开贵 ,  姚贤斌

    IPC分类号： C11D1/831 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/60 ,  C07C303/32 ,  C07C309/10 ,  C11D1/14 ,  C11D1/72 ,  C11D1/74

    摘要： 本发明公开了一种半导体芯片清洗剂及其制备方法，涉及半导体技术领域，由以下质量百分含量的原料组成：磺酸型含氟表面活性剂3～6％、非离子表面活性剂6～10％、络合剂0.2～1％、乙醇0～3％、二乙二醇单丁醚3～8％，余量为去离子水；其制备是将磺酸型含氟表面活性剂、非离子表面活性剂加入到去离子水中，搅拌，向其中加入乙醇和二乙二醇单丁醚，搅拌，再加入络合剂，搅拌，即得。本发明清洗剂有着卓越的清洗效果，能够有效去除半导体芯片上的锡膏、焊锡膏、助焊剂残留等，清洗后芯片表面残留物少，从而有效改善水性清洗剂对狭缝清洗不到位的现象，避免芯片表面变色，该清洗剂可适用于超声波清洗工艺或喷淋清洗工艺。