公开(公告)号：CN112133802B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202011005050.0

申请日：2020-09-23

申请人： 兰州大学

发明人： 赵桂娟 ,  邢树安 ,  刘贵鹏 ,  汤金金

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C28/04

摘要： 本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜，包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO2掩膜层，所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si3N4缓冲层，所述SiO2掩膜层和不参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有溅射SiO2膜；所述参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有GaN插入层，所述GaN插入层上生长有GaN薄膜层。本发明的GaN薄膜，通过在Si图形衬底上外延生长非极性GaN薄膜的方法制得，不仅成本低廉，且性能优良能够广泛地用于器件的制作中。

公开(公告)号：CN111574663B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202010091001.7

申请日：2020-02-13

申请人： AGC株式会社

发明人： 高木圭介 ,  佐佐木崇 ,  樱田智明

IPC分类号： C08F283/12 ,  C08F220/18 ,  C08F2/44 ,  C08F220/34 ,  C08F220/32 ,  C08K3/36 ,  C08K3/22 ,  C23C14/10 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08

摘要： 提供固化性组合物、固化物及层叠体。提供可得到固化性优异、并且耐热性优异、与无机基材、无机化合物层的密合性优异、即使长期暴露于高温高湿环境下也不易发生剥离的固化物的固化性组合物、使用了前述固化性组合物的固化物、及层叠体。一种固化性组合物，其包含：特定的金属氧化物微粒A、特定的(甲基)丙烯酸酯B、特定的抗氧化剂、有机聚硅氧烷、及自由基聚合引发剂，所述固化性组合物还任选包含特定的环氧(甲基)丙烯酸酯C，所述固化性组合物还任选包含特定的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯D。将前述固化性组合物固化而成的固化物、及具有前述固化物的层叠体。

公开(公告)号：CN114000119B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202111278937.1

申请日：2021-10-31

申请人： 东莞市齐品光学有限公司

发明人： 谢祥斌 ,  习锋

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/04 ,  C23C14/54 ,  C23C14/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10

摘要： 本发明涉及镀膜装置技术领域，具体是一种左右渐变色的镀膜装置和镀膜工艺，包括伞架机构，所述伞架机构包括驱动连接座、伞架固定片和伞架挡板，所述伞架固定片至少设置有八个，八个所述伞架固定片均匀分布在驱动连接座的四周，所述驱动连接座的下端面设置有若干个伞架挡板，所述伞架挡板与伞架固定片之间设置有渐变治具架，本发明设置有伞架机构，且通过多个伞架固定片组成伞状结构，这样伞架固定片一面设置的环形分布的产品位置与电子枪蒸发源的位置比较，使产品上的渐变色彩相近，增加镀膜的质量。

公开(公告)号：CN116500708A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310333584.3

申请日：2023-03-31

申请人： 浙江大学

发明人： 沈伟东 ,  王雨思 ,  杨陈楹 ,  郑婷婷 ,  袁文佳 ,  刘雨洁 ,  陈潇 ,  章岳光

IPC分类号： G02B1/115 ,  G02B27/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/10 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种硬质增韧减反射膜，包括依次设于基板上的内层匹配膜堆、纳米复合膜和外层匹配膜堆；所述纳米复合膜为由交替设置的高、低硬度薄膜层堆叠而成的复合膜；所述内层匹配膜堆和外层匹配膜堆均由交替设置的高、低折射率层膜层组成。本发明同时公开了上述硬质增韧减反射膜的制备方法。本发明基于氮化物材料的高硬度，结合纳米复合多层薄膜堆叠的层间增韧，构建了关键纳米复合膜层厚度可调结构，实现了高硬度、高韧性、角度不敏感的宽波段减反射性能，在性能上克服了目前商业化的氮化硅基减反膜的脆性断裂问题。

公开(公告)号：CN116497332A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310646427.8

申请日：2023-06-02

申请人： 安徽精卓光显技术有限责任公司

发明人： 梁高伟 ,  杨江涛 ,  严海军

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/10 ,  C23C14/18 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  G02B1/14 ,  C23C14/06

摘要： 本发明公开了一种硬质膜及其制作方法，属于镀膜领域，制作方法包括以下步骤：将基材进行等离子清洗；通过磁控溅射在基材表面依次沉积第一层SiO2/Si、碳基硬质层，所述碳基硬质层包括CSiN层和C/C3N4层，其中，所述C/C3N4层叠设在CSiN层上方或下方，方法还包括通过磁控溅射在碳基硬质层表面沉积第二层SiO2/Si，方法还包括在第二层SiO2/Si表面蒸发AF药丸，形成AF层。硬质膜包括：基材，以及叠设在所述基材表面的第一层SiO2/Si；其中，所述第一层SiO2/Si表面叠设碳基硬质层，所述第一层SiO2/Si、碳基硬质层、第二层SiO2/Si、AF层的总厚度为10‑230nm。本发明，通过使用超硬材料堆叠，更好的与防水AF药丸结合，抗划伤、耐碱汗、耐摩擦，且膜层结合牢固，AF膜层不易脱落。

公开(公告)号：CN116497320A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310548810.X

申请日：2023-05-15

申请人： 信利光电股份有限公司

发明人： 周伟杰 ,  王伟士 ,  王辉

IPC分类号： C23C14/30 ,  C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C23C14/12 ,  G02B5/28

摘要： 本发明公开了一种高效镀膜方法及红外截止滤光片，工艺包括步骤：以切入法在红外截止滤光片基材玻璃的A面镀制第一薄膜，第一薄膜为可见光范围内的低反射薄膜；以切入法在红外截止滤光片基材玻璃的B面镀制第二薄膜，第二薄膜为可见光高透、红外光截止的多层薄膜。本发明利用切入法进行薄膜镀制，在镀制低折射率材料时，对高折射率材料进行高温溶解，待低折射率材料镀制完成后，高折射率材料也已高温溶解完成备用，即可立即进行高折射率材料镀制，依此交替进行镀制，大大节约了工艺的时间，提高了工艺工作效率。

公开(公告)号：CN116496000A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310390146.0

申请日：2019-08-16

申请人： AGC株式会社

发明人： 山本浩史 ,  赤尾安彦 ,  藤原晃男 ,  今城信彦

IPC分类号： C03C17/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C03C3/091 ,  C03C17/23 ,  C03C3/087

摘要： 一种层叠体，具有玻璃板和涂层，上述涂层含有选自氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化铌、氧化锆、氧化铟锡、氧化硅、氟化镁和氟化钙中的1种以上的成分，玻璃板的厚度dg与涂层的厚度dc之比(dc/dg)在0.05×10－3～1.2×10－3的范围，上述层叠体的自重挠曲校正条件下的曲率半径r1为10m～150m。

公开(公告)号：CN114957762B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210443586.3

申请日：2022-04-25

申请人： 江苏日久光电股份有限公司

发明人： 严俊 ,  于佩强 ,  汪金铭 ,  胡业新 ,  刘世琴

IPC分类号： C08J7/044 ,  C08J7/046 ,  C09D133/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/61 ,  G02B1/16 ,  G09F9/30 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/35 ,  C08L67/02

摘要： 本发明公开了ITO抗静电复合膜、制备方法及显示设备，其中复合膜包括顺次设置的基材层、硬化层、打底层、ITO导电层以及抗静电涂层，抗静电涂层由抗静电涂布液形成，抗静电涂层满足：其表面的抗静电值达为106‑109Ω和折射率在1.60‑1.65，抗静电涂布液其组成包括，以重量份数计：丙烯酸类树脂15‑25份；非离子型抗静电剂1‑10份；光引发剂1‑5份；填料5‑10份；分散剂1‑5份；溶剂50‑70份。本发明方案的复合膜其通过优化ITO导电层与抗静电涂层，实现了良好的静电疏导性能，并且具有良好的匹配光学性能，实现消影的目的。

公开(公告)号：CN116479377A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310369443.7

申请日：2023-04-07

申请人： 中山吉联光电科技有限公司 ,  长春理工大学中山研究院

发明人： 潘永刚 ,  林兆文 ,  王奔 ,  付秀华

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14

摘要： 本发明属于光学薄膜技术领域，尤其是涉及一种改善塑胶表面光学薄膜在氙灯照射试验中的膜裂的方法。本发明采用原子层沉积技术(ALD)与物理气相沉积技术(PVD)组合的沉积方式，首先，在塑胶基底上采用ALD技术制备水汽阻隔粘结层，然后采用PVD技术制备减反射膜，实现塑胶基底表面沉积减反射膜，该方法沉积的减反射膜可以顺利通过氙灯+喷淋实验。

公开(公告)号：CN116105862B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310389091.1

申请日：2023-04-13

申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人： 胡长虹 ,  薛栋林 ,  薛旭成 ,  哈清华 ,  肖树林

IPC分类号： G01J3/28 ,  G01J3/02 ,  G02B5/08 ,  H01L27/146 ,  C23C14/46 ,  C23C14/04 ,  C23C14/30 ,  C23C16/04 ,  C23C16/50 ,  C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40

摘要： 基于靶面分割和像素级分光的光谱探测系统及其制备方法，涉及成像光谱仪领域，包括管壳、与管壳相连的底座、固定在底座上的光谱探测器、固定在管壳上的微透镜阵列；光谱探测器包括目标探测器和集成在目标探测器上的光谱滤光片；目标探测器的靶面被划分为n×n个大小相同的像元区域；微透镜阵列对准光谱滤光片，光谱滤光片具有像素级光谱分光功能；光谱滤光片包括由上至下依次设置的第二反射镜、介质层、第一反射镜和基底，第一反射镜的整个像元区域被划分为n×n个大小相同的子像元区域，第一反射镜上的子像元区域与目标探测器靶面上的像元区域一一对应。本发明提升了光谱探测器的性能，保证了像元通道的完整性。