IGBT功率模块
    81.
    发明公开
    IGBT功率模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN117334684A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311528142.0

    申请日:2023-11-15

    摘要: 本发明涉及功率半导体电气元件组件的制造技术领域,特别涉及一种IGBT功率模块。IGBT功率模块包括散热板、多个IGBT芯片、包塑铜排组件以及驱动板;散热板的一侧为安装面;多个IGBT芯片包括间隔设于安装面的上桥芯片组和下桥芯片组,上桥芯片组和下桥芯片组相向的一侧设有多个芯片引脚;包塑铜排组件包括注塑本体和多个铜排,注塑本体罩设于散热板,以密封IGBT芯片,每一铜排的一端显露于注塑本体的侧面,另一端设于注塑本体内,并与芯片引脚电连接;驱动板设于注塑本体远离散热板的一侧,芯片引脚以及铜排的另一端均朝向驱动板弯折伸出注塑本体,并与驱动板电连接。本发明解决了现有功率模块的集成度较低的问题,提高了IGBT功率模块的小型化程度。

    一种立体芯片封装结构及方法
    82.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117316918A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311263695.8

    申请日:2023-09-27

    发明人: 唐荣烨 高朕

    摘要: 本发明提供一种立体芯片封装结构及方法,封装结构包括:晶圆承载体,晶圆承载体用以承载裸晶圆;裸晶圆,包括焊球裸晶圆和非焊球裸晶圆,焊球裸晶圆焊接贴装于晶圆承载体表面,非焊球裸晶圆粘接贴装于焊球裸晶圆表面或者粘接贴装于晶圆承载体表面;晶圆承载体两侧表面均设置有功能焊盘,焊球裸晶圆具有第一侧和第二侧,焊球裸晶圆的第一侧设置有晶圆焊球,晶圆焊球适于与功能焊盘焊接贴装;非焊球裸晶圆具有第三侧和第四侧,非焊球裸晶圆的第三侧设置有第一晶圆焊盘,第一晶圆焊盘适于通过金属引线与功能焊盘焊接连接;非焊球裸晶圆的第四侧粘接贴装于焊球裸晶圆的第二侧或者贴装于晶圆承载体表面。本发明减小裸晶圆占用面积,提高芯片集成度。

    一种V型的引脚排布结构及高速差分信号芯片

    公开(公告)号:CN117293111A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311577621.1

    申请日:2023-11-24

    发明人: 宗太平 张文海

    IPC分类号: H01L23/49 H01L23/66

    摘要: 本申请涉及一种V型的引脚排布结构及高速差分信号芯片,相邻两行引脚中,上一行各个引脚与下一行各个引脚交错分布;所有引脚中至少有一部分为回流地引脚,至少有一部分为差分信号引脚;所有差分信号引脚中,至少有一部分为P型引脚,至少有一部分为N型引脚;一个P型引脚和一个N型引脚组成一个差分信号引脚对,差分信号引脚对的两个差分信号引脚分布在相邻两行中;至少有一部分为第一差分信号引脚对以及对应的第二差分信号引脚对;引脚排布结构包括V型构造,V型构造包括回流地引脚、第一差分信号引脚对、第二差分信号引脚对,回流地引脚构成V型构造的尖部。本申请可以解决回流地引脚因为芯片设计原因不能对称分布,影响信号完整性的问题。

    一种引脚排布结构及高速差分信号芯片

    公开(公告)号:CN117293110A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311577617.5

    申请日:2023-11-24

    发明人: 宗太平 张文海

    IPC分类号: H01L23/49 H01L23/66

    摘要: 本申请涉及一种引脚排布结构及高速差分信号芯片,相邻两行引脚中上一行的各个引脚与下一行对应的各个引脚之间交错分布;所有引脚中至少有一部分为回流地引脚和差分信号引脚;所有差分信号引脚中至少有一部分为P型引脚和N型引脚;一个P型引脚和一个N型引脚组成一个差分信号引脚对;所有差分信号引脚对中至少有一部分为第一差分信号引脚对和第二差分信号引脚对;引脚排布结构包括菱形构造,菱形构造包括四个回流地引脚、第一差分信号引脚对以及第二差分信号引脚对,四个回流地引脚构成角部,一个差分信号引脚位于菱形构造的中心,其余三个分设于连续分布的三行中。本申请回流地引脚即使不满足对称分布也可以满足高速差分信号的信号完整性。

    一种主控芯片结构及封装方法、闪存盘

    公开(公告)号:CN117293108A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311245086.X

    申请日:2023-09-22

    发明人: 张治强

    IPC分类号: H01L23/49 H01L21/60 H10B80/00

    摘要: 本发明提供了一种主控芯片结构,包括芯片主体,所述芯片主体包括具有主控电路的基板和芯体,所述基板上一侧设置有若干连接端,所述芯体安装在所述基板上,且位于与所述连接端相对的一侧,所述芯体具有若干脚位,分别通过所述基板的主控电路与相对应的所述连接端连接。本发明通过将芯体的脚位经过主控电路转接至相应的连接端,达到可将不同型号芯体的脚位定义位置统一化的目的,在更换U盘上不同型号的主控芯体时,不需要重新绘制U盘主板,使得U盘的组装更加简单快捷,有效的提高了生产效率。

    一种低静态损耗的MOS晶体管组件
    86.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117276206A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311167991.8

    申请日:2023-09-12

    发明人: 许卫林

    摘要: 本发明公开了一种低静态损耗的MOS晶体管组件,包括壳体,所述壳体内部的两侧均设置有P型衬底,所述P型衬底的内部设置有N型半导体,所述N型半导体的顶端安装有漏极引脚,另一个所述N型半导体的顶端安装有源极引脚,所述壳体的前端设置有限位板,所述限位板的内部均设置有预留口,所述限位板的两侧均固定有卡板,所述壳体内侧的底部均设置有卡槽。本发明通过设置有限位板,可将限位板内部的预留口套在漏极引脚、栅极引脚和源极引脚上,之后将限位板与壳体的前端贴合,将卡板卡入到卡槽的内部,此时限位板会固定在壳体的前端,通过限位板起到对漏极引脚、栅极引脚和源极引脚加固的作用,进而提高其使用时的牢固性。

    一种半导体结构及其形成方法
    87.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117219602A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202210601574.9

    申请日:2022-05-30

    发明人: 周刘涛 潘烁

    IPC分类号: H01L23/49 H10B12/00

    摘要: 本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法,其中,所述方法包括:提供叠层结构,所述叠层结构形成于具有阵列区域和外围区域的基底表面;在所述叠层结构上依次形成缓冲层和掩膜层;其中,位于所述阵列区域的掩膜层具有第一图案;通过所述掩膜层依次刻蚀所述缓冲层和所述叠层结构,以将所述第一图案转移至所述叠层结构中;刻蚀去除所述掩膜层,直至暴露出所述外围区域表面的缓冲层,以形成所述半导体结构。本公开实施例中,缓冲层在去除掩膜层时能够作为刻蚀停止层,可以改善阵列区域和外围区域之间由于刻蚀负载效应产生的台阶差,避免叠层结构的损伤和掩膜层的残留,提高了半导体结构的制备良率。

    一种超短距光伏专用插件二极管
    88.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117199039A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310995807.2

    申请日:2023-08-08

    摘要: 本发明涉及二极管生产加工技术领域,尤其涉及一种超短距光伏专用插件二极管。本发明采用的技术方案是:超短距光伏专用插件二极管通过二极管塑封模具一体生产加工而成,二极管塑封模具由模座1和成型座架2组成,成型座架2均匀分布在所述模座1上,模座1的正面位于所述成型座架2之间的成型位置设有成型避位安全槽3,成型避位安全槽3的位置设有与所述成型座架2连接在一起的插件二极管成型模腔座,插件二极管成型模腔座上设有均匀分布的插件二极管成型配合槽。本发明的优点是:能够满足超短距型光伏插件二极管的生产加工,生产出来的超短距型光伏插件二极管具有引脚质量更高,精准性更好,焊接时,焊点位置的连接精密性更好。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN117199038A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202211675501.0

    申请日:2022-12-26

    发明人: 田靡京

    IPC分类号: H01L23/49 H01L21/60

    摘要: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有底座部、半导体元件及连接器。半导体元件具有与底座部电连接的第一电极、以及设置于在第一方向上与所述第一电极对置的面上的第二电极。连接器具有第一连接部以及引线部,该第一连接部具有与第二电极电连接的第一面,并且第一面在从第一面的端部朝向中央的方向上倾斜,该引线部与第一连接部电连接,并且与底座部分离地设置。

    一种可学习芯片的集成方法、芯片集及智能产品

    公开(公告)号:CN117194318A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311191942.8

    申请日:2023-09-15

    发明人: 朱宝

    摘要: 本发明属于人工智能技术领域,尤其涉及一种可学习芯片的集成方法、芯片集及智能产品。一种可学习芯片的集成方法,可学习芯片包括内部封装着可学习模型的芯片主体,环绕着芯片主体各边固定设置的若干信号输入引脚、状态输入引脚、信号输出引脚,以及设置在所述芯片主体上的若干状态稳定点输入引脚;信号输出引脚与外设硬件相连接,用于控制外设硬件动作;或信号输出引脚与其他可学习芯片的信号输入引脚、状态输入引脚以及状态稳定点输入引脚相连接,用于向其他可学习芯片输出芯片输出信号;各可学习芯片通过内部封装的可学习模型的训练,获得所需要的通信协议;可学习芯片基于通信协议,接收不同来源的输入信号以实现灵活多样的集成。