-
公开(公告)号：CN116178886B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202211458735.X
申请日：2022-11-17
申请人： 湘潭大学 , 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
摘要： 本发明提供一种利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法，以具有偶氮苯结构的聚合物缠绕包裹半导体碳纳米管，通过聚合物的作用，使半导体碳纳米管稳定均匀的分散，之后在特定波长光源的的照射下，加快半导体碳纳米管在衬底上的沉积，得到的致密、均匀的半导体碳纳米管薄膜。本发明的方法操作容易，实验限制条件宽松，可重复率高，大大提高了碳纳米管网络沉积的密度、效率以及均匀性，为其他材料和方法的研究提供了指导。
-
公开(公告)号：CN113671167B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010407958.8
申请日：2020-05-14
申请人： 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
摘要： 本公开提供了一种生物电子器件，包括：基片；第一电极，第一电极位于基片上；第二电极，第二电极位于基片上，并且与第一电极间隔设置；以及自组装核酸超结构，自组装核酸超结构位于第一电极和第二电极之间，其中自组装核酸超结构由特定数量、特定序列和特定取向的单链核酸构筑，并且通过施加至第一电极和第二电极之间的电场的调控，来实现双链核酸与单链核酸在特定数量、特定序列和特定取向上的可控转化。本公开还提供了一种生物电子器件的制备方法及可控转化方法。
-
公开(公告)号：CN113690300B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110793111.2
申请日：2021-07-14
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/8238
摘要： 本发明涉及一种局域底栅的晶体管及其制作方法，该晶体管包括衬底、低维半导体层、源极、漏极和局部底栅，局部底栅位于上述衬底上，局部底栅上具有一栅介质层，低维半导体层位于上述栅介质层上作为晶体管器件的沟道，源极和漏极位于低维半导体沟道的相对两侧，并分别与上述低维半导体层一个或多个部分接触；在上述源极、上述漏极以及所述沟道层上具有一过渡层和一静电掺杂层，该静电掺杂层中具有固定电荷，从而对其对应的低维半导体沟道层进行静电掺杂从而形成NMOS器件，同时还提出了上述晶体管的制作方法。本发明的晶体管具有热稳定性好、阈值电压精确可控，同时工艺具有兼容性，能够满足大规模碳基集成电路生产的要求。
-
公开(公告)号：CN116947026A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210387265.6
申请日：2022-04-14
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
IPC分类号： C01B32/168 , C01B32/17 , C08G73/06
摘要： 本发明公开了一种基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法。采用含有可降解基团的共轭聚合物分离制备高纯度半导体碳纳米管溶液，并基于此溶液采用微流道两相限域自组装法同时在两片衬底上制备高密度碳纳米管阵列，随后使用弱酸性溶剂将碳纳米管表面包裹的可降解聚合物分解为小分子，经过后续清洗、退火等工序，使其完全从碳纳米管表面去除，得到高半导体纯度、高密度和表面无聚合物包裹的本征碳纳米管阵列，为实现碳纳米管的极限性能奠定了材料基础，有利于碳纳米管电子技术的早日应用。
-
公开(公告)号：CN116534844A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310571505.2
申请日：2023-05-19
申请人： 湘潭大学 , 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： C01B32/168 , C01B32/17
摘要： 本发明提供一种局部有序的半导体型碳纳米管薄膜及其制备方法，通过采用含有偶氮苯结构的共轭聚合物提纯半导体型碳纳米管，在此基础上，结合有机溶剂形成的气氛下进行薄膜的沉积，控制形成局部有序、高密度、均匀的薄膜，再将半导体碳纳米管上包裹的聚合物去除，去除聚合物前后薄膜形貌保持一致，解决碳纳米管薄膜沉积过程、聚合物去除过程导致的碳纳米管薄膜不均匀，低密度的问题。
-
公开(公告)号：CN116178886A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211458735.X
申请日：2022-11-17
申请人： 湘潭大学 , 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
摘要： 本发明提供一种利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法，以具有偶氮苯结构的聚合物缠绕包裹半导体碳纳米管，通过聚合物的作用，使半导体碳纳米管稳定均匀的分散，之后在特定波长光源的的照射下，加快半导体碳纳米管在衬底上的沉积，得到的致密、均匀的半导体碳纳米管薄膜。本发明的方法操作容易，实验限制条件宽松，可重复率高，大大提高了碳纳米管网络沉积的密度、效率以及均匀性，为其他材料和方法的研究提供了指导。
-
公开(公告)号：CN110683508B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910992764.6
申请日：2019-10-18
申请人： 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： B81B7/04 , B81C1/00 , C01B32/166
摘要： 本申请公开了一种碳纳米管平行阵列的制备方法，该方法通过将第一衬底倒置在第二衬底上方，使得第一衬底的凸起结构朝向第二衬底的沉积平面设置，并在第一衬底与第二衬底之间引入碳纳米管溶液，以使碳纳米管溶液在凸起结构的顶部与第二衬底之间形成毛细桥，此时第一衬底的凸起结构对由碳纳米管溶液形成的毛细桥产生钉扎作用，使得碳纳米管溶液蒸发时在第一衬底和第二衬底上均沉积碳纳米管平行阵列，在碳纳米管溶液完全蒸发后，通过平行沉积平面移动第一衬底并重新引入碳纳米管溶液即可实现大面积制备碳纳米管平行阵列的目的，并且制备的碳纳米管平行阵列的覆盖面积可控，可以实现有效区域的完全覆盖。
-
公开(公告)号：CN115513375A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211159467.1
申请日：2022-09-22
申请人： 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L51/05 , H01L27/28 , H03K19/0948
摘要： 本公开提供了一种CMOS反相器和电子器件。本公开的CMOS反相器可以包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管与所述PMOS晶体管均采用背面双栅结构，NMOS晶体管和PMOS晶体管通过电连接形成所述CMOS反相器。本公开实施例的CMOS反相器能够大幅度降低碳纳米管数字电路的关态电流和静态功耗。
-
公开(公告)号：CN115440831A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110617774.9
申请日：2021-06-03
申请人： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/113 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种光电探测器，包括一衬底、位于衬底上的低维半导体层、第一电极、第二电极和局域栅极，其中第一电极和第二电极分别位于低维半导体层两端，在第一电极与第二电极之间形成一沟道区，局域栅极位于沟道区中，并与所述第一电极和所述第二电极具有一间距，在局域栅极与低维半导体层之间具有局域栅介质，局域栅介质的宽度大于或等于局域栅极的宽度。本发明通过局域栅极的静电掺杂作用在沟道中引入局域的能带弯曲，形成局域势垒，抑制载流子的隧穿，减小暗电流，从而提高了光电探测性能。
-
公开(公告)号：CN115421053A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211060413.X
申请日：2022-08-31
申请人： 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
发明人： 魏楠
IPC分类号： G01R31/382
摘要： 本公开提供了一种主从系统及其电量监测方法、电子设备、存储介质。本公开的主从系统包括：主系统、从系统以及电池组件，电池组件直接为主系统和从系统供电，主系统包括第一电量计，从系统包括第二电量计；主系统还包括：第一通信单元和第一电量确定单元；和/或，从系统还包括：第二通信单元和第二电量确定单元，其中，第一通信单元用于接收来自从系统的当前时刻的第二电量变化量；第二通信单元用于接收来自主系统的当前时刻的第一电量变化量；第一电量确定单元与第二电量确定单元均用于确定电池组件的当前时刻剩余电量。本公开实施例能够让主系统、从系统能同时准确地确定电池的剩余电量，从系统添加到主系统或从主系统上移除等均不影响电量监测的准确性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
151 条记录 (耗时 0.059 秒)
