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公开(公告)号：CN116947022A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210387364.4
申请日：2022-04-14
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种本征型半导体碳纳米管材料的制备方法。通过使用可降解共轭聚合物替代常用的分离聚合物，可实现半导体碳纳米管的分离提纯及表面聚合物的去除。本发明使用的聚合物在保证了半导体碳纳米管的分离产率和高纯度的基础上，在弱酸条件下即可快速降解，分解为小分子，从碳纳米管表面去除，使半导体碳纳米管表现其本征性能。因此，采用本发明的方法可制备得到具有其本征性能的半导体碳纳米管材料，且工艺简单，条件温和，稳定高效，可广泛应用于碳基电子领域。
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公开(公告)号：CN116947026A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210387265.6
申请日：2022-04-14
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
IPC分类号： C01B32/168 , C01B32/17 , C08G73/06
摘要： 本发明公开了一种基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法。采用含有可降解基团的共轭聚合物分离制备高纯度半导体碳纳米管溶液，并基于此溶液采用微流道两相限域自组装法同时在两片衬底上制备高密度碳纳米管阵列，随后使用弱酸性溶剂将碳纳米管表面包裹的可降解聚合物分解为小分子，经过后续清洗、退火等工序，使其完全从碳纳米管表面去除，得到高半导体纯度、高密度和表面无聚合物包裹的本征碳纳米管阵列，为实现碳纳米管的极限性能奠定了材料基础，有利于碳纳米管电子技术的早日应用。
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公开(公告)号：CN116925306A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210354231.7
申请日：2022-04-06
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 , 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
IPC分类号： C08G12/08 , C01B32/159 , C01B32/17
摘要： 本发明公开了一种可降解共轭聚合物、制备方法及应用。通过分子结构和合成工艺设计，通过在聚合物主链中引入亚胺键(C＝N)直接与芳杂环连接可保证聚合物主链的共轭结构，保证了半导体碳纳米管的分离产率和高纯度；C＝N键在弱酸条件下可快速降解，使聚合物分解为小分子，从碳纳米管表面去除。采用本发明制备的聚合物可高效分离半导体碳纳米管，并在弱酸性条件下快速从碳纳米管表面去除，得到具有其本征性能的半导体碳纳米管材料，相较于常用的分离半导体碳纳米管用共轭聚合物，不仅能够实现半导体碳纳米管的分离提纯，还能够实现包裹在碳纳米管表面聚合物的去除，工艺简单，可广泛应用于碳基电子领域。
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公开(公告)号：CN115050835A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210633284.2
申请日：2022-06-06
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/10
摘要： 本公开提供了一种半导体晶体管及其制备方法。本公开的一些实施例中，半导体晶体管，包括：衬底层、沟道层、源极、漏极和栅叠层结构，栅叠层结构包括栅介质层和位于栅介质层之上的栅极，栅介质层形成于沟道层之上，半导体晶体管还包括：低k侧墙，低k侧墙形成于沟道层之上的栅叠层结构两侧；源极与栅叠层结构一侧的低k侧墙接触并同时与沟道层的端部和顶部接触；漏极与栅叠层结构另一侧的低k侧墙接触并同时与沟道层的端部和顶部接触；其中，源极与沟道层顶部的接触长度和漏极与沟道层顶部的接触长度相同。本公开的半导体晶体管具有基于全面接触方式的自对准结构，沟道层、栅叠层结构和源漏极的接触区域高精度对准，能够在缩减接触长度的同时降低接触电阻。
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公开(公告)号：CN114899315A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210481275.6
申请日：2022-05-05
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
摘要： 本公开提供了一种去除碳纳米管材料的表面聚合物的方法，包括：对碳纳米管材料进行退火处理，以使碳纳米管材料的表面聚合物转化为包括无定形碳在内的物质；将退火步骤处理之后的碳纳米管材料置于聚合物的良溶剂之中，以进行聚合物二次去除；以及对进行了聚合物二次去除的碳纳米管材料进行清洗处理，获得清洗处理之后的碳纳米管材料。本公开还提供了一种CMOS器件、CMOS反相器的制备方法。
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公开(公告)号：CN114843402A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210482553.X
申请日：2022-05-05
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
摘要： 本公开提供了一种基于纳米材料的N型晶体管，包括：衬底层；半导体材料层，半导体材料层设置在衬底层上，以用于形成半导体沟道区；第一金属电极，第一金属电极设置在半导体材料层上以形成源电极；以及第二金属电极，第二金属电极设置在半导体材料层上以形成漏电极；其中，半导体材料层由纳米材料形成，金属电极的底部与半导体材料层接触，衬底层与半导体材料层之间设置有疏水性材料层，以避免金属电极的底部被氧化。本公开还提供一种集成电路器件及一种晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN114824086A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447049.6
申请日：2022-04-26
申请人： 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
摘要： 本公开提供一种晶体管，其包括：衬底层；半导体沟道区，半导体沟道区形成于衬底层的上方；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成于半导体沟道区，并且第一电极和第二电极之间间隔预设距离；栅介质层，栅介质层至少形成于第一电极和第二电极的相对的表面；以及栅电极，栅电极设置于第一电极和第二电极之间，并使得栅电极与第一电极之间，以及栅电极与第二电极之间均存在栅介质层；其中，衬底层形成有凹陷部，凹陷部具有底表面，半导体沟道区的下表面与凹陷部的底表面之间具有预设距离，或者半导体沟道区的部分与凹陷部的底表面接触。本公开还提供一种晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN118506736A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410746430.1
申请日：2024-06-11
申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院
IPC分类号： G09G3/3258 , G09G3/3266
摘要： 本申请公开了一种碳基有源矩阵Micro‑LED的驱动系统及显示器，属于显示控制领域，包括FPGA控制器、供电与通信接口模块、电源管理电路、电压调节电路以及控制电平运放电路，其中：供电与通信接口模块，用于连接外部电源以及上位机；FPGA控制器，通过供电与通信接口模块连接上位机，用于进行碳基P型有源矩阵Micro‑LED的显示控制；电源管理电路，连接供电与通信接口模块，用于将外部电源转换为+5V电源、‑5V电源以及为各个模块供电；电压调节电路，用于对+5V电源和‑5V电源进行调节控制，可为VDD端供电，并输出0.5V～+5V和‑1.2V～‑5V的线性电压；控制电平运放电路，为DATA端和SCAN端供电。本驱动系统能够对碳基P型有源矩阵Micro‑LED进行驱动控制，实现亮度调节以及文字、图片的显示。
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公开(公告)号：CN118147479A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410322563.6
申请日：2024-03-20
申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院 , 太原理工大学
摘要： 本发明涉及一种用于源漏电极的高功函数合金及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述合金包括：原子百分比为30at.％‑45at.％的钯；原子百分比为35at.％‑65at.％的铂；以及原子百分比为5at.％‑20at.％的的微调元素，其中，所述微调元素为镍、钴、金、钌、铑、铱中的一种或多种。本申请提供的用于源漏电极的高功函数合金及其制备方法，相较单元素金属具有更高的功函数，有利于和小直径碳纳米管价带对准、降低接触势垒，并且保持了和小直径碳纳米管接触的浸润性，提升开态电流；此外，由于提供的合金具有更高的功函数，对大直径碳纳米管也展示出较现有技术方案更优异的开态电流。
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公开(公告)号：CN118159040A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410322558.5
申请日：2024-03-20
申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院 , 太原理工大学
IPC分类号： H10K10/84 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C1/02 , C22F1/18 , C22F1/02 , H10K10/46 , H10K85/20 , H10K10/88 , H10K71/60
摘要： 本发明涉及一种基于低功函数合金的源漏结构、N型晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述结构包括：低功函数合金层，其中，低功函数合金层的材料包括：原子百分比为32at％‑80at％的钪；原子百分比为20at％‑60at％的钇；以及原子百分比为0‑8at％的微调元素，微调元素为锆、镍、铪、钛、硅、钕中的一种或多种；设置在低功函数合金层上方的金属钝化层，其中，金属钝化层的材料为铝、钯、钛、铬、金等中的一种或多种；以及设置在金属钝化层上方的非金属钝化层，其中，非金属钝化层为氧化物钝化层或氮化物钝化层。本申请提供的基于低功函数合金的源漏结构、N型晶体管及其制备方法，有利于降低N型晶体管的接触电阻、提高N型晶体管的电学性能。
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