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公开(公告)号：CN101498036B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910095374.5
申请日：2009-01-12
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开的具有自动警示功能的外延生产用可控压力顶笔装置，包括顶笔头、笔身、滑杆、笔杆和压力调节和自动警示装置，压力调节和自动警示装置包括壳体、置于壳体中的两个弹簧座、钮扣电池和弹簧，两个弹簧座通过轴向孔滑动配合，弹簧位于两个弹簧座之间，处于压紧状态，两个弹簧座的轴向孔内壁和轴向杆上分别镶嵌有金属片，置于笔杆中的滑杆的一端与固定顶笔头的笔身连接，另一端与第一弹簧座伸出壳体端接触。当顶笔头受力，两个弹簧座的金属片接触，电路接通，警示灯亮，该顶笔装置能够保证操作者对置于基座中的衬底片进行顶压时所施加顶笔的压力一致，消除由于人为因素造成的顶片效果差别，提高外延片的电阻率一致性和厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN101498036A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910095374.5
申请日：2009-01-12
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开的具有自动警示功能的外延生产用可控压力顶笔装置，包括顶笔头、笔身、滑杆、笔杆和压力调节和自动警示装置，压力调节和自动警示装置包括壳体、置于壳体中的两个弹簧座、钮扣电池和弹簧，两个弹簧座通过轴向孔滑动配合，弹簧位于两个弹簧座之间，处于压紧状态，两个弹簧座的轴向孔内壁和轴向杆上分别镶嵌有金属片，置于笔杆中的滑杆的一端与固定顶笔头的笔身连接，另一端与第一弹簧座伸出壳体端接触。当顶笔头受力，两个弹簧座的金属片接触，电路接通，警示灯亮，该顶笔装置能够保证操作者对置于基座中的衬底片进行顶压时所施加顶笔的压力一致，消除由于人为因素造成的顶片效果差别，提高外延片的电阻率一致性和厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN101498035A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910095373.0
申请日：2009-01-12
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开的具有自锁定功能的外延生产用压力可控的顶笔装置，包括顶笔头、笔身、滑杆、弹簧、笔杆、预紧螺丝和环形圈，环形圈套在笔杆上构成旋转配合，置于笔杆中的滑杆外壁设有直角楔型“凸起”，环形圈的内壁有簧片，通过簧片与直角楔型“凸起”配合对滑杆起锁定作用。该顶笔装置能够保证操作者对置于基座中的衬底片进行顶压时所施加顶笔的压力一致，消除由于人为因素造成的顶片效果差别，提高外延片的电阻率一致性和厚度均匀性；能够有效避免顶笔装置在离开作用表面时由于顶笔头的复位而产生的表面划伤，提高装取衬底片的效率和成品率。
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公开(公告)号：CN101186082A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710160389.6
申请日：2007-12-21
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
IPC分类号： B28D1/22
摘要： 本发明公开了一种用多线切割机将多个薄硅片沿径向一次性分切的方法。包括如下步骤：1)将导线垫片与待分切薄硅片交替紧密叠放成一个整体工件，再将该整体工件粘合在树脂条上；2)将粘好的整体工件固定在多线切割机上，切割线对准相邻导线垫片之间的缝隙，沿着该缝隙进行切割将待切硅片一分为二。所述的导线垫片的两边设有导线台阶，剖面形状为工字形。本发明采用该导线垫片改变了多线切割机只能沿径向切割较长晶锭，而不能沿径向切割薄硅片的状况。在生产带重掺杂扩散层的硅抛光片的过程中，使用该发明的方法，可将每片的电耗降低约50％。
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公开(公告)号：CN1289722C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310117761.7
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗。用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂漏斗具有漏斗体、在漏斗体上端设有漏斗盖、挂钩。用掺杂漏斗掺杂方法的主要步骤为：1)将掺杂剂装在掺杂漏斗中；2)在多晶硅完全熔化后降下掺杂漏斗至单晶炉炉膛内掺杂。若掺入的是锑，则降掺杂漏斗至漏斗下部漏嘴离熔硅液面10至20mm高度，使受热熔化的锑滴入硅熔体内而被吸收；若掺入的是磷或砷则降低漏斗至漏斗下部的漏斗嘴浸入液面5至10mm深，使气化的掺杂剂通过漏嘴进入硅熔体并被吸收。本发明使用的掺杂漏斗掺杂，提高了磷、砷、锑的掺杂效率(磷、砷、锑被熔体吸收的比例)，减少了高纯掺杂剂的使用量和环境污染，其中磷、砷的掺杂效率约为90%，锑的掺杂效率接近100%。
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公开(公告)号：CN1556255A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310117761.7
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗。用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂漏斗具有漏斗体、在漏斗体上端设有漏斗盖、挂钩。用掺杂漏斗掺杂方法的主要步骤为：1)将掺杂剂装在如权利要求1所述的掺杂漏斗中；2)在多晶硅完全熔化后降下掺杂漏斗至单晶炉炉膛内掺杂。若掺入的是锑，则降掺杂漏斗至漏斗下部漏嘴离熔硅液面10至20mm高度，使受热熔化的锑滴入硅熔体内而被吸收；若掺入的是磷或砷则降低漏斗至漏斗下部的漏斗嘴浸入液面5至10mm深，使气化的掺杂剂通过漏嘴进入硅熔体并被吸收。本发明使用的掺杂漏斗掺杂，提高了磷、砷、锑的掺杂效率(磷、砷、锑被熔体吸收的比例)，减少了高纯掺杂剂的使用量和环境污染，其中磷、砷的掺杂效率约为90％，锑的掺杂效率接近100％。
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公开(公告)号：CN1289723C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310117762.1
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的熔体上部保温装置。它具有保温罩、在保温罩外侧设有上盖板并固定在保温罩上端、上盖板放置在支承筒上。保温罩为上、下两中空圆锥台连接件。本发明增强了熔体表面气流的吹扫作用，挥发产生的细小颗粒被有效地吹离熔体上部；本发明的熔体上部保温装置加强了对单晶的冷却作用，从而增大了固液界面处的温度梯度，使用本发明的熔体上部保温装置解决了在普通标准热场中不能生长六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的难题，使六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的生长变得与普通高电阻率直拉硅单晶一样容易。
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公开(公告)号：CN101463501A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910095375.X
申请日：2009-01-12
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开的压力可控的外延顶笔装置，包括顶笔头，笔身，滑杆，弹簧，筒状笔杆和预紧螺丝，顶笔头紧固在笔身的一端，笔身的另一端设有中心螺纹孔和导向槽，滑杆置于筒状笔杆中，滑杆的一端与笔身的中心螺纹孔螺纹连接，滑杆的另一端具有与笔杆中的环形面配合的凸台，预紧螺丝拧接在筒状笔杆末端的螺纹孔中，弹簧置于笔杆的螺纹孔中，其一端抵住预紧螺丝，另一端抵住滑杆凸台的端面，笔杆的顶端设有与导向槽匹配的突出部分。该装置能够将顶笔作用于衬底片上的压力控制在一定的范围内，消除由于人为因素造成的顶片效果差别，提高外延片的电阻率一致性和厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN1292102C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310117760.2
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于八英寸重掺砷硅单晶制造的熔体上部保温装置。它具有保温罩，保温罩内侧设有内导气筒，并固定在保温罩底部，保温罩外侧设有上盖板，与保温罩上部相接，并放置在支承筒上。保温罩为中空圆锥台。本发明增强了熔体表面气流的吹扫作用，使18英寸以上的大热场熔体表面挥发产生的细小颗粒被有效地吹离熔体上部；本发明的熔体上部保温装置采用保温罩加内导气筒的双层结构加强了对单晶的冷却作用，从而增大了用18英寸以上的大热场拉晶时固液界面处的温度梯度G。本发明解决了使用18英寸以上的普通大热场不能拉制八英寸重掺砷硅单晶的难题，取得了良好的效果。
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公开(公告)号：CN1556256A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310117760.2
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于八英寸重掺砷硅单晶制造的上部热场。它具有保温罩，保温罩内侧设有内导气筒，并固定在保温罩底部，保温罩外侧设有上盖板，与保温罩上部相接，并放置在支承筒上。保温罩为中空圆锥台。本发明增强了熔体表面气流的吹扫作用，使18英寸以上的大热场熔体表面挥发产生的细小颗粒被有效地吹离熔体上部；本发明的新型热场采用保温罩加内导气筒的双层结构加强了对单晶的冷却作用，从而增大了用18英寸以上的大热场拉晶时固液界面处的温度梯度G。本发明解决了使用18英寸以上的普通大热场不能拉制八英寸重掺砷硅单晶的难题，取得了良好的效果。
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