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公开(公告)号：CN108772375A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810796254.7
申请日：2018-07-19
申请人： 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了清洗机的溢流喷淋装置及其应用，包括供水系统、喷淋系统和溢流收集系统，喷淋系统的水来源于供水系统或溢流收集系统，溢流收集系统的水来源于供水系统或喷淋系统；供水系统包括管网和供水管，喷淋系统包括喷淋管和水槽A，管网和喷淋管通过供水管连通；溢流收集系统包括水槽B、储水槽、及连通二者的溢流管，储水槽通过水泵分别与喷淋管和水槽B连接，管网和水槽B通过供水管连通。所述装置采用多路供水的模式实现喷淋条件的多变，以及达到清洗水的可循环利用；提高硅片的清洗效果，提升产品的品质；可以直接嫁接在清洗机上使用，实现在关键部位对水槽表面漂浮杂物进行喷淋除去，通过对溢流水的回用，实现内部循环供水和节约用水。
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公开(公告)号：CN104552638B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510021387.3
申请日：2015-01-15
申请人： 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公布了一种冷却喷淋自动启停机构，用包括设置在两个主辊上方的平衡框架，分别设置在两个主辊外侧的两块触发挡板，设置在冷却液喷管前方截流挡板；所述平衡框架在主辊轴向设置有枢轴，可绕枢轴左右摆动；所述触发挡板一端与平衡框架的一侧相连接，用于感受冷却液的冲击，并带动平衡框架绕枢轴倾斜；所述截流挡板固定在平衡框架的一侧，平衡框架向一侧倾斜时，同侧的截流挡板封住冷却液喷管的下沿，将冷却液导向非工作区。本发明结构简单可靠，在原有设备基础上进行简单改造加装即可使用，且不会对原有设备的电子、动力设备产生任何干扰，同时达到了消除未使用侧冷却液甩出飞溅的情况，减弱了冷却液富泡化的缺陷，使得切割加工稳定。
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公开(公告)号：CN103471899B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310383210.9
申请日：2013-08-28
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
摘要： 硅片加工装置，包括机台以及依次设置于机台的一个或多个加工部；加工部包括硅片安装机构和加工机构；硅片安装机构设置于机台上部，用于安装硅片并带动安装于其上的硅片沿第一方向转动；加工机构设置于机台下部，且具有与硅片安装机构相对设置的加工盘；加工盘可移动至靠近硅片安装机构处或远离硅片安装机构处；加工盘在靠近硅片安装机构处沿与第一方向相反的第二方向转动，对硅片进行加工。本发明实现了单晶硅硅片加工的自动化操作，不仅避免了现有技术对人体的伤害和对环境的污染，而且提高了产品质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN102975020B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210448121.3
申请日：2012-11-09
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
摘要： 一种切片机主辊的加工方法，包括步骤：提供车床与待加工的主辊，车床包括主轴、刀架及铣削机构，刀架与主轴相对设置，铣削机构固设于刀架，铣削机构包括铣刀；将待加工的主辊安装于主轴；以及使待加工的主辊沿第一方向转动，使铣刀沿与第一方向相反的第二方向转动，在待加工的主辊上形成线槽。本发明切片机主辊的加工方法简单，操作方便，加工过程不需要装卡，只需换刀即可，不仅提高了加工效率，而且提高了加工精度；不仅可加工出小角度线槽，而且线槽的形状易于掌控，突破了现有加工技术难以加工出线槽角度的瓶颈。
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公开(公告)号：CN102818439B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210315489.2
申请日：2012-08-30
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种高纯硅料烘干装置，包括箱体，箱体是一种带密封门的密封箱体，箱体的内腔中设有多层的烘盘支架，每层烘盘支架上设有齿轨，齿轨上设置有烘盘；箱体的侧壁开有两个破真空口；箱体的侧壁通过抽真空口与抽真空装置连通、通过真空验证孔与真空表连通、通过导热介质进口和导热介质出口同时与介质循环加热装置连通；抽真空装置及介质循环加热装置分别与控制装置通过信号连接。本发明还公开了一种高纯硅料烘干方法，将烘干的高纯硅料放置在密封的箱体内，使用真空泵抽真空，同时通过加热实现烘干，并实时检测烘干效果，直至符合技术要求，即成。本发明的装置及方法，结构简单，烘干效率高。
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公开(公告)号：CN103590113A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310576502.4
申请日：2013-11-18
申请人： 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶硅位错腐蚀剂，由氢氟酸、硝酸和缓释剂组成，所述缓释剂为硼酸溶液。该单晶硅位错腐蚀剂能腐蚀出低密度位错，且无刺激性气味，环境友好。本发明单晶硅位错检测方法为将待检测的单晶硅浸入单晶硅位错腐蚀剂中进行腐蚀，方法简单，检测效果好。
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公开(公告)号：CN103046128A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210563386.8
申请日：2012-12-21
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
IPC分类号： C30B15/26
摘要： 一种直拉单晶直径测量方法，包括利用一个CCD摄像头获取单晶生长图像以及对单晶生长图像进行处理，CCD摄像头的分辨率高于200万像素，对单晶生长图像进行处理包括步骤：提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓；将晶体轮廓进行拟合，获得椭圆边界；将椭圆边界校正成圆形边界；以及获得单晶直径。本发明直拉单晶直径测量方法测定结果精度高，且操作简单，无噪音干扰。本发明可用于测量引晶、放肩、转肩及等径过程的单晶直径的测量。
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公开(公告)号：CN102794281A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210232539.0
申请日：2012-07-06
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
IPC分类号： B08B7/00
摘要： 本发明公开了一种直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法，按照以下具体的操作步骤实施：安装石墨件；分别开启高温感应炉的炉体冷却水循环系统和电源冷却水循环系统；抽真空；加热，包括预热及升温过程，在1000℃之前升温过程中，按照每小时100℃的升温幅度进行，在1000-2000℃升温过程中，按照每小时50℃的升温幅度进行，在2000-2400℃升温过程中，按照每小时30℃的升温幅度进行；将高温感应炉内温度从2400℃均匀降温到80-100℃的出炉温度；石墨件出炉。本发明的方法，通过将SiC在高温下发生反应，延长石墨件的使用寿命15-30炉，适用于单晶炉中的各个石墨件的清洗。
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公开(公告)号：CN102139270A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010602443.X
申请日：2010-12-23
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开的硅片清洗烘干器，包括水箱内部设置有锥形过滤器，锥形过滤器出口依次通过阀门F2、管道泵与电动三通阀F4连通；电动三通阀F4另一个入口端与空气加热器连通，空气加热器的进气管上安装有阀门F6；喷淋槽内部设置有喷淋管，电动三通阀F4的出口端与喷淋管连通，电动三通阀F4与喷淋管之间的管路上安装有压力表和热电偶温度探头；管道泵、热电偶温度探头、空气加热器均与电气控制柜连接。本发明还公开了利用上述装置对多线切割中的断线硅片清洗烘干方法，依次进行对正定位、遮盖密封、喷淋清洗、加热烘干。本发明装置及方法提高了断线处理过程中的硅片清洗烘干的工作效率，提高了最终的成品率。
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公开(公告)号：CN103046128B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210563386.8
申请日：2012-12-21
申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
IPC分类号： C30B15/26
摘要： 一种直拉单晶直径测量方法，包括利用一个CCD摄像头获取单晶生长图像以及对单晶生长图像进行处理，CCD摄像头的分辨率高于200万像素，对单晶生长图像进行处理包括步骤：提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓；将晶体轮廓进行拟合，获得椭圆边界；将椭圆边界校正成圆形边界；以及获得单晶直径。本发明直拉单晶直径测量方法测定结果精度高，且操作简单，无噪音干扰。本发明可用于测量引晶、放肩、转肩及等径过程的单晶直径的测量。
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