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公开(公告)号：CN116100169B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310319649.9
申请日：2023-03-29
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/70
摘要： 本发明涉及切割机技术领域，具体涉及一种金刚石激光切割机，包括控制模块、激光头、直线模组、桁架、治具、锁定件；治具具有若干杆，用于承载金刚石，所述若干治具沿Y轴方向依次设置，且所述治具均能够相对桁架在避让位置和切割位置间活动；切割位置下，所述治具位于切割路径中，避让位置下，所述治具偏离所述切割路径；控制模块包括检测单元和控制器，所述检测单元用于检测治具上的金刚石是否完全切断，当金刚石被完全切断时，所述检测单元向控制器发出解锁信号，控制器根据解锁信号控制锁定件解锁；由于在避让位置下治具是偏离激光头的切割路径的，从而该治具不会被激光头的激光所作用切割到，从而对治具起到一定的防护作用。
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公开(公告)号：CN113430500A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110710115.X
申请日：2021-06-25
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石晶格的半导体材料，涉及半导体技术领域。所述半导体材料为在所述衬底表面均匀铺设含有锂元素的粉末，以含碳和含氮的混合气体作为气体源，采用化学气相沉积法在衬底上生长出的薄膜，另外，本发明还提出一种相应的制造设备。本发明能够阻止锂原子掺入金刚石后扩散聚集成锂团簇，保证了锂原子在晶格中的活性状态。
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公开(公告)号：CN113290926A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110454221.6
申请日：2021-04-26
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
摘要： 本发明公开了一种金刚石半导体的制备装置，属于半导体制备领域，包括六个顶压单元，每个顶压单元包括顶压锤和驱动顶压锤的驱动油缸，六个顶压单元中，至少两个相互对立侧的所述顶压单元内部设置有导电元件，导电元件与各自的顶压锤之间形成电接触，相互对立侧的两个顶压锤与被挤压在该两个顶压锤端面之间的金刚石半导体形成电性通路，两个相互对立侧的顶压单元内的导电元件相互串联至电路检测器上，以对挤压在两个顶压锤端面之间的金刚石半导体进行导电检测。本发明还公开了一种金刚石半导体的制备工艺。本发明的优点在于可以一次性完成成品制备，同时可以提高成品的良品率，而且大大降低金刚石半导体的制作成本。
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公开(公告)号：CN113265643A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110524071.1
申请日：2021-05-13
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
摘要： 本发明涉及金刚石技术领域，特别地，涉及一种金刚石的加工设备，包括气相沉积炉，以及设于气相沉积炉内的热丝机构，所述热丝机构包括承载架，以及若干设于承载架上的热丝，所述承载架包括平行设置的第一安装梁和第二安装梁，所述第一安装梁上设有若干供热丝绕过的卡夹，其中所述卡夹沿垂直于第一安装梁的长度方向滑动安装在第一安装梁上；所述第一安装梁与卡夹之间设有弹性件，通过所述弹性件使卡夹始终保持向第一安装梁外侧滑动的趋势；所述热丝机构还包括设于第一安装梁或卡夹上的检测件，当弹性件恢复初始位置时，检测件被触发，并向控制中心进行信号反馈。本发明可以在热丝被熔断时起到提醒效果。
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公开(公告)号：CN110724930A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911076437.2
申请日：2019-11-06
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
摘要： 本发明公开了一种金刚石薄膜的制备方法，属于金刚石制备技术领域。该制备方法包括如下步骤：将预处理过的多孔金属基体置于热丝化学气相沉积装置的反应室中，向反应室中充入反应气体，令反应气体在多孔金属基体表面生长形成金刚石/碳化硅/金属复合薄膜；腐蚀获得的金刚石/碳化硅/金属复合薄膜，除去其中的金属相和碳化硅相，得到金刚石薄膜；在含氧氛围内煅烧金刚石薄膜，得到具有多级孔结构的成品金刚石薄膜。该方法能够制备出具有多级孔结构的金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN116555735A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310595480.X
申请日：2023-05-25
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种等离子化学气相沉积系统，包括微波系统和等离子反应腔，所述等离子反应腔包括：腔体，腔体上设置有进气口和出气口；第一遮挡板，设置于腔体的中部，所述第一遮挡板的中部设置有用于衬底材料露出的第一通孔，边缘设置有第二通孔，所述第二通孔的底部经管道连接至出气口；第二遮挡板，设置于腔体底部可升降的基片台的顶部，当基片台上升至第一高度时，第二遮挡板和第一遮挡板相贴合，将腔体分隔成两部分；扣合机构，在第二遮挡板和第一遮挡板相贴合时，扣合第二遮挡板和第一遮挡板；放料口，开设于第一遮挡板下方的腔体侧壁上。本发明提升了等离子化学气相沉积过程中反应气体的利用率。
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公开(公告)号：CN114540791B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210207787.3
申请日：2022-03-04
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
摘要： 本发明涉及金刚石制备领域，具体涉及一种人造金刚石制备工艺及其设备，一种人造金刚石制备工艺，包括如下步骤：对衬底进行处理，具体如下：对衬底进行清洗干燥；制备金刚石微粉浆料，并将该浆料涂覆于衬底表面，烘干后得到复合衬底；将所述复合衬底至于氧气环境下，并在600‑800℃下进行加热，得到所需衬底，备用；采用热丝化学气相沉积法在所述所需衬底上生长得到金刚石薄膜。在600‑800℃这个温度区间加热，氧气会把石墨中的碳元素氧化成二氧化碳，进而排出，如此一来削减了石墨结构，二来二氧化碳排出后，金刚石微粉涂层中会形成少许微米级的微孔。
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公开(公告)号：CN114540791A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210207787.3
申请日：2022-03-04
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
摘要： 本发明涉及金刚石制备领域，具体涉及一种人造金刚石制备工艺及其设备，一种人造金刚石制备工艺，包括如下步骤：对衬底进行处理，具体如下：对衬底进行清洗干燥；制备金刚石微粉浆料，并将该浆料涂覆于衬底表面，烘干后得到复合衬底；将所述复合衬底至于氧气环境下，并在600‑800℃下进行加热，得到所需衬底，备用；采用热丝化学气相沉积法在所述所需衬底上生长得到金刚石薄膜。在600‑800℃这个温度区间加热，氧气会把石墨中的碳元素氧化成二氧化碳，进而排出，如此一来削减了石墨结构，二来二氧化碳排出后，金刚石微粉涂层中会形成少许微米级的微孔。
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公开(公告)号：CN113265643B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110524071.1
申请日：2021-05-13
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
摘要： 本发明涉及金刚石技术领域，特别地，涉及一种金刚石的加工设备，包括气相沉积炉，以及设于气相沉积炉内的热丝机构，所述热丝机构包括承载架，以及若干设于承载架上的热丝，所述承载架包括平行设置的第一安装梁和第二安装梁，所述第一安装梁上设有若干供热丝绕过的卡夹，其中所述卡夹沿垂直于第一安装梁的长度方向滑动安装在第一安装梁上；所述第一安装梁与卡夹之间设有弹性件，通过所述弹性件使卡夹始终保持向第一安装梁外侧滑动的趋势；所述热丝机构还包括设于第一安装梁或卡夹上的检测件，当弹性件恢复初始位置时，检测件被触发，并向控制中心进行信号反馈。本发明可以在热丝被熔断时起到提醒效果。
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公开(公告)号：CN118639322A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410885794.8
申请日：2024-07-03
申请人： 杭州超然金刚石有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶金刚石横向生长辅助装置，涉及金刚石生产技术领域。包括：等离子反应腔，用于产生等离子体球；基台腔，与所述等离子反应腔相连通；基台腔内设置有基台，基台腔的内壁于第一高度设置有柔性薄膜，所述柔性薄膜的中部密封连接有一安装环，安装环与基台可拆卸连接；安装环与基台连接时，所述柔性薄膜、安装环、基台将基台腔分隔成上下两部分；三轴驱动机构，用于驱动所述基台运动；以实现基台相对/背离安装环运动和基台与等离子体球的横向运动。本发明在金刚石生长过程中，使得衬底材料可相对等离子体球横向运动，形成金刚石材料沿横向生长的效果。
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