公开(公告)号：CN112366188B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202010855916.0

申请日：2020-08-24

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 唐和明 ,  郑明祥 ,  王琇如

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/06 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开一种具有散热齿片的半导体器件封装结构及封装方法，该封装结构包括：半导体器件，在其第一端设有正面电极，在其第二端设有背面电极；导电结合层；金属容器，其包括连接板和侧壁板，连接板包括连接本体和由连接本体延伸的若干散热齿片；侧壁板由连接本体延伸并弯折，以与连接本体围成封装空间；半导体器件设于封装空间内，第二端通过导电结合层与连接本体连接；侧壁板包括外引端，背面电极通过导电结合层、连接板与外引端电连接；基板，外引端、正面电极分别通过导电焊材层与基板焊接；该封装方法用于封装得到具有散热齿片的封装结构。本发明的封装结构，散热性能良好，本发明的封装方法能够得到散热良好的封装结构。

公开(公告)号：CN112164679B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202010855904.8

申请日：2020-08-24

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 王琇如 ,  唐和明

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/06 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开一种散热良好的半导体器件封装结构，包括：半导体器件，在其第一端上设有正面电极，在其第二端上设有背面电极，第一端与第二端相对；导电结合层；金属容器，其包括连接板和侧壁板；侧壁板由连接板延伸并弯折，以与连接板围成封装空间；半导体器件设于封装空间内，第二端通过导电结合层与连接板连接；侧壁板包括外引端，背面电极通过导电结合层、连接板与外引端电连接；石墨烯散热层，石墨烯散热层设于连接板远离半导体器件的一侧；基板，外引端、正面电极通过导电焊材层焊接于基板。该散热良好的半导体器件封装结构，具有良好的散热性能，可靠性高。

公开(公告)号：CN112786532A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110038664.7

申请日：2021-01-12

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 王琇如

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538

摘要： 本发明公开一种功率模组制造方法及功率模组封装结构，该功率模组制造方法包括：准备步骤、晶圆划片步骤、上载体步骤、第一互连步骤及第二互连步骤；该功率模组封装结构包括：载体；晶片堆叠体，其包括第一晶片，以及制备于第一晶片的顶部的第二晶片；第一晶片的顶部设有第一顶部电极，第二晶片的顶部设有第二顶部电极；第一晶片的底部固定于载体；第一电连接件，其将第一顶部电极与载体电连接；第二电连接件，其将第二顶部电极与第一顶部电极电连接。该功率模组制造方法，可缩短封装时间，提高封装效率，并且可缩小功率模组的封装尺寸；该功率模组封装结构，可缩小功率模组的封装尺寸，且第一晶片和第二晶片的平坦度可得到优化。

公开(公告)号：CN112701107A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011483410.8

申请日：2020-12-15

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 唐和明 ,  曹周 ,  黄源炜 ,  郑明祥

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开一种堆叠封装结构，包括GaN芯片以及控制芯片，GaN芯片非设置有电极的一侧布置有电路图形，控制芯片电连接于电路图形，电路图形与GaN芯片的栅极通过贯穿GaN芯片的导电金属电连接，通过金属导线与用于固定GaN芯片的引线框架电连接，同时本实施例中还公开了上述堆叠封装结构的加工工艺以及采用该堆叠封装结构的电子产品。本方案中通过将控制芯片堆叠设置在GaN芯片的背面，并通过设置在GaN芯片背面的电路图形以及贯穿GaN芯片的导电金属使得控制芯片的电极与GaN芯片的栅极能够实现电连接，由此可以把控制芯片和GaN芯片的电极之间的距离最小化，最大限度的降低电感、提升开关速度。

公开(公告)号：CN112701095A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011483309.2

申请日：2020-12-15

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 王琇如 ,  唐和明 ,  郑明祥 ,  黄源炜 ,  曹周

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L25/18

摘要： 本发明公开一种功率芯片堆叠封装结构，该功率芯片堆叠封装结构包括依次堆叠以形成堆叠结构的金属片、第一芯片、引线框架和第二芯片，以及包封堆叠结构的封装体；引线框架包括基岛、与基岛电连接的第一管脚、以及与基岛绝缘的第二管脚；第一芯片相对的两面设有第一电极和第二电极，第二芯片相对的两面设有第三电极和第四电极；金属片与第一电极、第二电极与基岛、基岛与第三电极分别通过导电结合层结合；第四电极与第二管脚电连接；金属片的正面、第一管脚的一部分、第二管脚的一部分露出封装体。该功率芯片堆叠封装结构，将两个芯片固定在引线框架相对的两侧进行堆叠封装，并且金属片外露，在缩小了封装结构的尺寸的同时，兼具更优的散热性能。

公开(公告)号：CN112701050A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011536517.4

申请日：2020-12-22

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 唐和明 ,  王琇如

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开一种内嵌元件的封装方法及封装结构，该内嵌元件的封装方法，包括：采用结合材料将半导体元件的背面与引线框架的正面结合，形成一级结构；将DAF材料覆盖并压合于一级结构的正面，形成DAF层；在DAF层加工出将引线框架的正面露出的导通孔；在导通孔内填充金属核球，金属核球之间结合形成导电柱；将引线框架刻出图案；该内嵌元件的封装结构包括：引线框架；半导体元件，其背面结合于导电部的正面；DAF层；半导体元件的正面电极接点由DAF层露出；DAF层设有导通孔；导电柱填充于导通孔，导电柱包括若干相互连接的金属核球。该内嵌元件的封装方法及封装结构，缩小了产品体积，简化了方法和结构，引线框架可用于散热，导电柱的导通性能好。

公开(公告)号：CN112164682A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202010855910.3

申请日：2020-08-24

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 王琇如 ,  唐和明

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/495 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，属于半导体的技术领域，该背面设有石墨烯层的裸芯封装结构包括封装基板，封装基板一侧表面形成有导电层；芯片本体，芯片本体相对的两侧表面分别形成连接面以及散热面，连接面朝向并固定于导电层；连接面上具有至少两个电极，电极均与导电层电连接；散热面上形成有石墨烯导热层。使芯片本体的封装过程相比传统封装方式能够节省多个制程，从而提高芯片产能；有效的降低芯片的热点值，从而让芯片更稳定的工作，提高芯片本体的散热性能，相比传统通过在芯片散热效果更好，产品整体厚度尺寸也可以做得更薄，更有利于晶片领域的发展。

公开(公告)号：CN107123606B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201710343686.8

申请日：2017-05-16

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 曹周 ,  黄源炜 ,  桑林波

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 本发明公开一种半导体生产方法，提供引线框架和具有定位孔的铜桥框架，于所述引线框架表面印刷结合材，在印刷结合材之后的所述引线框架上冲压形成能与所述定位孔插接配合的定位齿，将所述引线框架与所述铜桥框架进行组装，采用回流焊的方式焊接所述引线框架与所述铜桥框架。通过在引线框架印刷结合材后冲压定位齿，可以利用此定位齿与铜桥框架上的定位孔插接实现铜桥框架的焊接定位，有效防止后期对铜桥框架进行回流焊时产生位置偏移等缺陷，保证铜桥框架在回流焊过程中不受干扰，提高产品的良率，且由于在印刷结合材后才冲压的定位齿，可以降低生产难度。

公开(公告)号：CN111933595A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010686205.5

申请日：2020-07-16

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 王琇如

IPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开一种半导体封装结构及半导体封装结构的制造方法，该半导体封装结构包括：芯片载体；芯片，其固定于芯片载体；封装胶体，其包覆芯片和芯片载体；若干上散热通道，其横向地设置于半导体封装结构内，且上散热通道位于芯片的上方；若干下散热通道，其横向地设置于芯片载体内；竖向散热通道，其竖向地设置于半导体封装结构内；上开口，上散热通道通过上开口与外部连通；下开口，下散热通道通过下开口与外部连通；该制造方法包括芯片载体提供步骤、芯片结合步骤、金属侧框结合步骤、竖向金属管安装步骤和注塑步骤；该半导体封装结构具有良好的散热性能，该制造方法能够生产出具有良好散热性能的半导体封装结构。

公开(公告)号：CN111725181A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010550615.7

申请日：2020-06-16

申请人： 杰群电子科技(东莞)有限公司

发明人： 王琇如

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L23/495 ,  H01L21/603

摘要： 本申请实施例公开了一种半导体结合结构、控制方法及电子产品。本申请实施例提供的技术方案在引线框架上设置具有定位孔的定位膜，并且定位孔与锡球对应，使锡球焊接连接于引线框架时，将锡球限制在定位孔的范围，减少因引线框架和芯片之间的高低差而导致锡球与引线框架连接不良的情况，同时可通过定位孔改良锡球形状，提高产品质量。