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公开(公告)号：CN113745173B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111076072.0
申请日：2021-09-14
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/861 , H01L21/56 , H01L21/329
摘要： 本发明属于光阻GPP芯片技术领域，提供了一种复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件。其中，该芯片包括由内及外依次设置的半绝缘掺氧多晶硅膜、玻璃和低温氧化膜，所述低温氧化膜上设有氧化铝膜，所述半绝缘掺氧多晶硅膜上设有氮化硅膜。其在传统光阻GPP芯片钝化层设计的基础上，在玻璃表面增加Al2O3膜，在Sipos膜表面增加氮化硅膜，有这两层钝化层的保护，可完全避免可动离子移动到硅表面，加上Sipos膜对可动离子电场的中和作用，可确保产品高温反偏通过150℃/80％反压/1000小时的考核。
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公开(公告)号：CN117491834A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311464505.9
申请日：2023-11-03
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及半导体器件结到壳的热阻测试领域，具体为一种表面贴装器件Rth(j‑c)测试结构及测试方法。首先将铜板底面涂上导热硅脂后固定在测试设备的控温冷板上。然后在定位板上安装被试器件。之后将定位板套设在凸台上，凸台插入定位孔后与被试器件的散热片紧密贴合。最后连接测试设备对被试器件进行加热表征测试获取两条热阻抗曲线。本发明不再测量被试器件的外壳温度或者外壳接触界面温度，提高了Rth(j‑c)测量数据的准确性。同时本发明具有结构简单，操作简便，制作成本低的有益效果。
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公开(公告)号：CN116913787A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310935624.1
申请日：2023-07-28
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/48 , H01L29/861
摘要： 本申请提供了一种SOT‑227封装的二极管阵列的烧结模具，包括：基座、芯片定位块、覆铜陶瓷基板定位块和盖板；基座为左右两端开口的U型槽体，其顶部开设有烧结槽，烧结槽侧壁设置有若干组用于定位芯片定位块、覆铜陶瓷基板定位块的定位槽组，烧结槽底部设有若干左右一字排列的引线基板定位销，烧结槽两侧顶部对称设有引线定位销；覆铜陶瓷基板定位块用于定位固定覆铜陶瓷基板；芯片定位块顶部开设有芯片定位孔，用于定位固定芯片；盖板覆设于烧结槽顶部，其为三级阶梯结构。本申请可以在烧结过程中精准定位各组件，可操作性高。
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公开(公告)号：CN115508685A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211284009.0
申请日：2022-10-20
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
摘要： 本发明公开一种适用于条装二极管的测试工装，包括导轨、电极固定块、挡料销、第一传动机构、二极管电极定位柱、第二传动机构、测试电极定位柱、第三传动机构以及动力源；电极固定块上固定有位于待测二极管电极的正下方的正极测试电极和负极测试电极，正极测试电极和负极测试电极均连接至二极管测试仪；导轨上开有竖直的导轨槽，挡料销穿过导轨并抵在待测二极管上，挡料销与第一传动机构相连，二极管电极定位柱与第二传动机构相连，测试电极定位柱与第三传动机构相连，第一传动机构、第二传动机构、第三传动机构均由动力源驱动。本发明替代人工手动测量二极管参数，不需要人工干预，测量一致性好，操作人员工作强度低。
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公开(公告)号：CN109300815A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811186456.6
申请日：2018-10-12
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开一种圆柱形无脚器件引线自动装填机，包括模具、承载模具的模具夹具以及带动模具夹具运动的电机，模具夹具包括定位模具的护栏以及与护栏滑动连接的竖轴，模具位于护栏内，并且模具上开有多个用于装填圆柱形无脚器件引线的圆孔，护栏两端与竖轴滑动连接。本发明替代现有的人工装配圆柱形无脚器件引线方式，操作简单，运行安全稳定。
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公开(公告)号：CN104064501B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410327219.2
申请日：2014-07-10
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
摘要： 本发明提供一种大直径钉头引线装填设备包括钉头引线排序板、封堵件和钉头引线装填条，钉头引线排序板包括板体，板体上具有N道互相平行且等间距设置的钉头引线滑道，钉头引线滑道两侧形成凸脊，每个钉头引线滑道包括位于中部的沟槽和位于沟槽两侧的承托部，板体斜置，每个钉头引线滑道下端均设置一个厚度方向贯穿板体的下料圆孔，封堵件用于启闭下料圆孔，钉头引线装填条上等间距设置N个缺口，缺口用于接纳由下料圆孔落下的钉头引线并且使得钉头引线悬挂于钉头引线装填条上，钉头引线滑道的间距与烧结石墨盘上钉头引线孔位的行间距或列间距相同，N≥3。本发明能够自动实现钉头引线的排序，一次能够实现N个钉头引线的装填，生产效率高。
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公开(公告)号：CN114093951B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202111341785.5
申请日：2021-11-12
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L23/552 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了一种抗EMI的超结VDMOS器件及其制备方法，该器件在超结的漂移区中具有由氧化层(SiO2)‑半绝缘多晶硅层(SIPOS)‑氧化层(SiO2)组成的复合介质层。氧化层隔绝漂移区与SIPOS层，SIPOS层下方与器件漏极金属相接，上方与器件源极金属相接。在器件关断状态下，复合介质层辅助耗尽超结漂移区，从而可大幅提高漂移区掺杂浓度，也可以缓解由于超结P柱与N柱之间失配导致的耐压降低现象；在器件开关过程中，由于SIPOS直接连接器件的源极与漏极，极大地提高了器件的输出电容Coss，减少了开关震荡，从而减少了器件的电压震荡dV/dt失效可能性和EMI噪声。
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公开(公告)号：CN112271166B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011313131.7
申请日：2020-11-20
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L29/861 , H02S40/34
摘要： 本发明提供了一种利于二极管光伏模块封装的电极结构，主要包括左电极、右电极和塑封体。左电极包括左端部、中间部、右端部，右端部与中间部连接处有左槽孔，右端部上下两侧边为波浪形，左槽孔右侧依次有槽孔、半包围凹槽，左电极右端部槽孔上、下两侧设置芯片。右电极包括左端部、右端部，右电极左端部与右端部连接处设置有右槽孔，右电极左端部左侧有双侧波浪形凸块，右电极左端部双侧波浪形凸块上、下两侧设置有连接条。塑封体经过左电极右端部的右槽孔和右电极的左槽孔包裹左电极右端部和右电极左端部。其采用的波浪形卡位结构可有效地增加塑封体在电极上的粘附力和粘合强度，从而解决电极与塑封体的分层与分离现象。
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公开(公告)号：CN118425605A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410319376.2
申请日：2024-03-20
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： G01R21/02 , G06F30/20 , G06F119/08
摘要： 本发明涉及半导体器件可靠性试验领域，尤其涉及一种功率MOSFET器件间歇功率试验系统及试验方法。本发明试验方法在获取试验条件时，首先在自由空气和强迫风冷两种单一环境条件下对DUT进行热表征测量得到瞬态热响应数据并分别建立两种单一环境条件下的动态热模型。然后基于构建的动态热模型，在相同的耗散功率Pd条件下，计算在自由空气试验环境下的加热时间ton1和冷却时间toff1，强迫风冷试验环境下的加热时间ton2和冷却时间toff2，并确定实际试验中的试验条件加热时间ton＝ton1，冷却时间toff＝toff2。应用本方法可以减小在实验过程中的测量误差。
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公开(公告)号：CN107796703B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201711143871.9
申请日：2017-11-17
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
摘要： 本发明公开一种轴向引线器件的引出端及密封处强度检测装置及方法，包括两块平行设置的左侧板和右侧板，左侧板和右侧板之间形成检测空间，左侧板上设有穿过左侧板进入检测空间的左侧轴，右侧板上设有穿过右侧板进入检测空间的右侧轴，左侧轴位于检测空间内的端部设有用于夹紧轴向器件引线或者管壳的紧固腔，左侧轴与左侧板转动连接，右侧轴连接有驱动其进行直线运动的驱动组件。本发明解决了手动操作老虎钳或力矩扳手时出现的无法使器件静止而达不到铅垂要求，且无其他冲击等不利器件引出端及密封处强度检测的问题，大大提升了可操作性。
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