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公开(公告)号：CN114093951B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202111341785.5
申请日：2021-11-12
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L23/552 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了一种抗EMI的超结VDMOS器件及其制备方法，该器件在超结的漂移区中具有由氧化层(SiO2)‑半绝缘多晶硅层(SIPOS)‑氧化层(SiO2)组成的复合介质层。氧化层隔绝漂移区与SIPOS层，SIPOS层下方与器件漏极金属相接，上方与器件源极金属相接。在器件关断状态下，复合介质层辅助耗尽超结漂移区，从而可大幅提高漂移区掺杂浓度，也可以缓解由于超结P柱与N柱之间失配导致的耐压降低现象；在器件开关过程中，由于SIPOS直接连接器件的源极与漏极，极大地提高了器件的输出电容Coss，减少了开关震荡，从而减少了器件的电压震荡dV/dt失效可能性和EMI噪声。
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公开(公告)号：CN108682695A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810890739.2
申请日：2018-08-07
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0615 , H01L29/6606
摘要： 本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请还提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片的制备方法；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大版图面积在降低器件正向压降的同时增大器件反向漏电流，降低器件成品率，增加制造成本的不足。
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公开(公告)号：CN113611747B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202110894292.8
申请日：2021-08-04
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种集成势垒夹断二极管的SGT功率MOS器件及加工工艺，SGT功率MOS器件包括第一导电类型的漏极区和外延层，在外延层上设置开口向上的沟槽，在沟槽内上设置填充有第一多晶硅的厚氧化层，在第一多晶硅上方沟槽内设置有填充有第二多晶硅的栅氧化层，在外延层上部且位于所述沟槽的四周设置有第二导电类型的阱区层；在阱区层上方设置有源极区层，在源极区层和沟槽上方设置有绝缘介质层，在绝缘介质层上开设若干接触孔，所述接触孔与外延层、阱区层和源极区层相连接；在绝缘介质层上方敷设金属区层；所述接触孔内设置有金属。本发明提高了SGT功率MOS器件反向恢复速度；降低了SGT功率MOS器件正向导通功耗。
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公开(公告)号：CN109004023A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810915793.8
申请日：2018-08-13
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/16 , H01L21/329 , H01L29/872
摘要： 本申请提供了一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、衬底、外延层一、P型保护环、肖特基金属层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请还提供了一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片的制备方法；通过先在衬底上生长一层N型碳化硅材料的外延层一，然后在外延层一上再生长一层P型碳化硅材料的外延层二，然后将外延层二的未被光刻胶环所覆盖的部分全部给刻蚀除去，仅留下被光刻胶环覆盖的部分，然后去除光刻胶环，完成后制得P型保护环；从而实现了在不使用成本高的高能离子注入和高温激活退火的情况下制得了P型保护环，具有操作简单，生产效率高，可靠性好，成本低。
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公开(公告)号：CN108682695B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201810890739.2
申请日：2018-08-07
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请还提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片的制备方法；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大版图面积在降低器件正向压降的同时增大器件反向漏电流，降低器件成品率，增加制造成本的不足。
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公开(公告)号：CN208478345U
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201821269958.0
申请日：2018-08-07
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大版图面积在降低器件正向压降的同时增大器件反向漏电流，降低器件成品率，增加制造成本的不足。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208706656U
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201821301411.4
申请日：2018-08-13
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/16 , H01L21/329 , H01L29/872
摘要： 本申请提供了一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、衬底、外延层一、P型保护环、肖特基金属层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；通过先在衬底上生长一层N型碳化硅材料的外延层一，然后在外延层一上再生长一层P型碳化硅材料的外延层二，然后将外延层二的未被光刻胶环所覆盖的部分全部给刻蚀除去，仅留下被光刻胶环覆盖的部分，然后去除光刻胶环，完成后制得P型保护环；从而实现了在不使用成本高的高能离子注入和高温激活退火的情况下制得了P型保护环，具有操作简单，生产效率高，可靠性好，成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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