-
公开(公告)号：CN116480772B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202310404140.4
申请日：2023-04-17
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了纯电动重卡开关磁阻电驱动的无冲击换挡系统及换挡方法，包括开关磁阻电机，所述开关磁阻电机连接一不对称半桥功率变换器，还包括转速外环控制加转矩内环控制的双闭环控制系统，双闭环控制系统由转速宽频带自抗扰控制器、开通角/关断角动态优化器以及直接瞬时转矩控制器三部分构成。三步法无冲击换挡过程按照以下步骤进行：卸载摘挡→同步挂挡→加载驱动。通过在以上三步法的换挡过程中选择合适的闭环控制系统，实现不同的控制策略与变速器系统的控制协调匹配，从而最终实现开关磁阻电驱动系统驱动下的纯电动重卡无冲击换挡，以保障车辆换挡过程的平顺性与快速性。
-
公开(公告)号：CN119907002A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510077275.3
申请日：2025-01-17
Applicant: 电子科技大学 , 江西省通讯终端产业技术研究院有限公司 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院汕尾分院
IPC: H04W12/121 , H04W12/00
Abstract: 一种车载自组网中抗攻击的节点密度适应性事件验证方法，用于解决现有事件验证方法存在的事件消息可信度缺乏评估依据、事件真实性推理缺乏说服力、过于依赖理想环境等问题。本发明将声誉作为事件消息真实性的重要评估因素，在多维度下对车辆节点发送事件消息的可信度进行表征与评估，综合性地考虑与事件真实性相关的各种因素，并使用合理的证据融合方式，最终对事件的真实性做出推断，从而降低恶意攻击的影响，提高事件验证的性能，保障事件验证方案在节点密度小或恶意节点多等非理想环境下的性能。
-
公开(公告)号：CN119890468A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510094940.X
申请日：2025-01-21
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院汕尾分院 , 电子科技大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种电芯挤压装置，涉及挤压设备技术领域，包括机座、机头、挤压头、挤压模具和传送设备，所述传送设备上固定设置有一组支架，所述挤压模具转动安装于两个支架之间；所述机头与挤压模具之间设置有翻转定位机构，在所述机头完成一次挤压动作后，驱动所述挤压模具翻转180°，本发明通过挤压模具的翻转设计，解决了端盖与模腔内壁摩擦损伤的问题，从而保证了产品的形状和尺寸的一致性，端盖在挤压完成后可以快速、顺利地出料，无需额外的操作和调整，保证产品质量，并且翻转设计的挤压模具，挤压过程与端盖的出料分别进行，有利于提高连续生产连续性，从而大大缩短了生产周期，提高了生产效率。
-
公开(公告)号：CN118578379B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410663444.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于机器人系统控制技术领域，具体为一种基于多点人机交互参数优化的外骨骼自适应阻抗控制方法，该方法基于单点期望模型和单点交互环境动力学模型，设计针对多点人机交互阻抗指标函数和优化问题，求得外骨骼关节空间最优阻抗模型。通过引入过程变量，将原始阻抗控制问题转化为非线性系统最优控制问题。通过设计基于评价神经网络的智能学习控制方法，保证外骨骼系统的最优控制性能。通过设计基于动态回归扩展与混合技术的权重参数更新算法，提升了神经网络参数学习过程的瞬态性能，松弛了对传统持续激励条件的要求，最终实现人机交互过程中对穿戴者的适应性和柔顺性。
-
公开(公告)号：CN119835975A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411890356.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层、N型阱区、P型体区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、栅氧化层、第一氧化层、多晶硅控制栅电极、多晶硅分离嵌入栅电极、单层浮空场板；源极金属覆盖在第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区表面，漏极金属覆盖在第二N型重掺杂区表面。本发明通过在基于STI工艺的隔离氧化层上引入等间距的单层浮空场板，平滑表面电场分布，降低STI拐角以及分离嵌入栅引入的高峰值电场和强碰撞电离率，改善器件热载流子效应，同时浮空场板可以辅助耗尽，使电流路径远离器件表面，减少了器件表面产生的载流子数目，器件可靠性得以提升。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119793164A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411912870.6
申请日：2024-12-23
Applicant: 广东德隆裕鑫环境科技有限公司 , 汕尾市创新工业设计研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院汕尾分院
Abstract: 本申请公开了一种等离子体原位耦合铁电性催化剂高效脱除VOCs的方法，属于等离子体催化技术和气体污染物净化技术领域。包括如下步骤：向等离子体区内通入VOCs气体，使VOCs气体与置于等离子体区内的铁电性催化剂接触；等离子体区由等离子体发生器通过介质阻挡放电方式提供，等离子体发生器的供能电源为脉冲电源或交流电源；所述铁电性催化剂包括具有铁电性质的多孔金属氧化物。本申请采用具有铁电性质的催化剂来增强催化剂对放电电场的响应，并通过多孔结构来增加铁电性质催化剂的比表面积与活性位点，并将设计合成的催化剂原位置于等离子体区内，借助等离子体与催化剂间的高效耦合作用实现对难降解VOCs的高效脱除。
-
公开(公告)号：CN119761278A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411818918.7
申请日：2024-12-11
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G06F30/333 , H01L21/66 , G06F30/367
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法。本发明通过对整片晶圆进行Mapping测试，获得不同尺寸器件的各种电学参数的中位数，并根据电学参数与对应中位数的误差绝对值对每颗晶片计分，最终分值最高的晶片为中心晶片。本发明未遗漏任何一颗晶片，克服了由工艺波动带来的中心晶片电学参数偏离中位数的问题，赋分筛选更具有典型性；避免了现有方法筛选得到的中心晶片中某些尺寸器件和/或电学参数较大地偏离Mapping数据的中位数值的问题，提高了利用中心晶片电学性能建立TCAD仿真模型的准确性。
-
公开(公告)号：CN119545840A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411256929.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件。本发明在PGaN栅增强型GaN HEMT器件结构的基础上在AlGaN势垒层表面增加多列岛，并且由偏置电路控制多列岛。器件正常的导通与关断与PGaN栅增强型GaN HEMT无异，并且由于P岛的存在，可以有效扩展耗尽区，从而提升器件耐压，使得本发明相较于传统PGaN栅增强型GaN HEMT器件在耐压上有提升。通过陷阱与电子和空穴的密度或浓度动态变化来控制偏置电路，由数字化偏置控制的多列岛可以向器件注入载流子，通过可控制的载流子注入、陷阱俘获来实现器件工作中的电荷动态补偿，从而达到实现抑制动态导通电阻退化的效果。
-
公开(公告)号：CN119165317A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256926.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种GaN高电子迁移率晶体管的动态导通电阻测试电路。本发明的电路包括UIS测试电路、DPT测试电路、钳位电路、驱动电路，特点是两个半导体开关可以选通UIS测试电路和DPT测试电路，可以在不移动器件的情况下进行UIS测试与随后的DPT测试，引入的钳位电路可以间接测试被测器件的导通压降。本发明可用于封装级器件产品测试，为GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估提供依据，对比传统测试电路，本发明将UIS和DPT测试电路集成在一起，提高了测试效率，同时减小了因施加电压力后到DPT测试时间过长、转移器件时过程与环境对结果的影响所造成的误差。
-
公开(公告)号：CN119133240A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411200503.3
申请日：2024-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供一种高栅氧可靠性的SiC超结器件，包括：源电极、多晶硅栅、P‑body区、N+接触区、栅极沟槽氧化物、P+栅氧保护区、P柱区、N柱区、N型衬底、漏电极；本发明所提出的高栅氧可靠性SiC超结器件通过沟槽刻蚀后的外延回填和离子注入分别形成电荷平衡的P柱结构和电荷高度不平衡的P+栅氧保护区结构，从而可在不增加额外版次的条件下兼顾低栅氧电场和低导通电阻，解决如何同时实现SiC超结器件高性能、高栅氧可靠性的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
471
records
(took 0.103 seconds)
