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公开(公告)号：CN110313064A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012382.6
申请日：2018-03-15
摘要： 本发明提供一种陶瓷金属电路基板，其特征在于，其是在陶瓷基板的至少一个面上接合有多个金属电路板的陶瓷金属电路基板，其中，面积为100mm2以上的金属电路板中的至少1个在表面的1～70％的范围内具有深度为0.02mm以上的凹部，上述凹部形成于上述金属电路板的距离端部为3mm以上内侧。另外，设置有凹部的面积优选为一个金属电路板表面的3～70％。
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公开(公告)号：CN107408538A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680012836.0
申请日：2016-08-01
摘要： 本发明提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。
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公开(公告)号：CN115172290A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210831284.3
申请日：2017-07-14
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/367 , H01L23/373 , C04B37/02 , H05K1/02
摘要： 一种陶瓷电路基板，其具备：厚度为1.0mm以下的陶瓷基板，所述陶瓷基板具有第1面和第2面，第1面包含第1区域和第2区域；第1金属板，所述第1金属板与第1区域接合；和第2金属板，所述第2金属板与第2面接合。沿着第1面的第1边所测定的第2区域的第1波纹度曲线具有1个以下的极值。沿着第1面的第2边所测定的第2区域的第2波纹度曲线具有2个～3个极值。
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公开(公告)号：CN110690187A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911132791.2
申请日：2016-08-01
IPC分类号： H01L23/373 , H05K1/02 , H05K1/03 , H05K3/38 , H05K3/06
摘要： 本发明提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。
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公开(公告)号：CN107408538B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201680012836.0
申请日：2016-08-01
摘要： 本发明提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。
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公开(公告)号：CN107851617A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680039837.4
申请日：2016-06-01
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L21/4882 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/492 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L24/32 , H01L25/0655 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H05K3/38
摘要： 一种陶瓷金属电路基板，其特征在于，具备陶瓷基板、以及分别介由接合层与该陶瓷基板的两面接合的金属板，其中，在设置于所述陶瓷基板的一面的金属板的表面设置金属被膜，同时在设置于另一面的金属板的表面具有未设置金属被膜的部位。而且，接合层优选形成有从金属板的侧面露出的露出部。根据上述构成，可以提供一种与所接合的部件配合后的使用方便性优良、耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。
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公开(公告)号：CN103717552B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201280037799.0
申请日：2012-07-26
CPC分类号： H01L23/3735 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/06 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , F27B9/243 , H01L21/4871 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/202 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种氧化物系陶瓷电路基板的制造方法，其是通过在氧化物系陶瓷基板上配置铜板而形成层叠体的工序、以及加热所得到的层叠体的工序，从而将氧化物系陶瓷基板和铜板一体接合而成的氧化物系陶瓷电路基板的接合方法，其特征在于，所述加热的工序具有：在1065～1085℃之间有加热温度的极大值的第一加热区域对层叠体进行加热的工序，接着在1000～1050℃之间有加热温度的极小值的第二加热区域对层叠体进行加热的工序，进而在1065～1120℃之间有加热温度的极大值的第三加热区域对层叠体进行加热而形成接合体的工序；之后在冷却区域将该接合体冷却。根据所述构成，可以得到耐热循环（TCT）特性优良的氧化物系陶瓷电路基板。
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公开(公告)号：CN118098990A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410240737.4
申请日：2018-03-15
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/14 , H05K3/30 , H05K3/00
摘要： 本发明提供一种陶瓷金属电路基板的制造方法，其特征在于，其是在陶瓷基板的至少一个面上接合有多个金属电路板的陶瓷金属电路基板，其中，面积为100mm2以上的金属电路板中的至少1个在表面的1～70％的范围内具有深度为0.02mm以上的凹部，上述凹部形成于上述金属电路板的距离端部为3mm以上内侧。另外，设置有凹部的面积优选为一个金属电路板表面的3～70％。
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公开(公告)号：CN116830813A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202280012540.4
申请日：2022-02-10
IPC分类号： H05K3/38
摘要： 本发明提供一种经由接合层将陶瓷基板与金属板接合的陶瓷电路基板，当在由陶瓷电路基板的厚度方向和侧方向形成的剖面上观察陶瓷电路基板时，金属板的侧面具有倾斜形状，接合层具有从金属板的侧面和接合层相接的端部突出来20[μm]以上且150[μm]以下的接合层突出部。此外，控制金属板的侧面的形状及维氏硬度。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。
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