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公开(公告)号：CN113990762A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111261081.7
申请日：2021-10-28
申请人： 四川矽芯微科技有限公司
发明人： 李晶
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种基于先进中道制程的功率半导体封装结构及工艺，属于功率半导体封装技术领域，解决了功率器件封装可靠性差的问题，本发明包括：在晶圆上化学镀出芯片电极上凸块后划片；经划片后将芯粒按固定位置贴装在玻璃基板上；对玻璃基板用环氧树脂做注模，表面平坦化处理，正面研磨暴露出镍凸块面；对玻璃基板整体表面蒸镀铝层；通过黄光刻蚀铝技术制作出再布线层；采用丝网印刷液态环氧树脂，露出封装体上焊盘位置并固化；在封装体焊盘位置化学镀镍金凸块；剥离玻璃基板，从玻璃基板背面开始研磨露出芯粒背面；芯粒的背面注环氧树脂黑膜；环氧树脂注模后的背面进行激光打标；切割分离封装好的芯片。本发明用于功率半导体的封装制造。
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公开(公告)号：CN117423639A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311265485.2
申请日：2023-09-27
申请人： 四川矽芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆表面建模缺陷检测系统，属于晶圆检测技术领域，包括：晶圆采集模块、信息处理模块、缺陷检测模块、智能管控模块和数据建模模块。本发明解决了现有的不能对晶圆表面进行有效的缺陷检测，导致晶圆表面缺陷检测效率低下，且晶圆表面缺陷检测效果差的问题，本发明实时采集晶圆表面数字化信息且进行处理，确定晶圆表面特征数据，将晶圆表面特征数据输入到晶圆表面检测模型中，对晶圆表面进行缺陷检测，确定晶圆表面缺陷检测结果及晶圆智能管控方法，基于晶圆智能管控方法对待检测的晶圆进行智能管控，可对晶圆表面进行有效的缺陷检测，提升晶圆表面缺陷检测效率及晶圆表面缺陷检测效果。
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公开(公告)号：CN110098131A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910310859.5
申请日：2019-04-18
申请人： 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L25/18 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种功率MOS型器件与集成电路晶圆级重构封装方法，包括依次进行的以下步骤：一、制作正面保护层；二、晶圆蓝膜切片；三、制作背面及侧面保护层；四、器件分割。本发明为功率MOS型器件以及集成电路芯片的正面、侧面及背面添加环氧树脂钝化立体保护层，避免了切片过程以及后期封装流程中对半导体芯片四周暴露部份的损伤，且该方法无需考虑封装步骤以前的工艺流程；确保无引线裸芯片封装工艺不会对产品电学参数、芯片良率及可靠性产生影响，有极强的市场需求适用性。本发明适用于阳极短路的IGBT器件以及管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装技术领域，同样适用于所有管脚位于同一平面内的集成电路封装技术领域。
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公开(公告)号：CN104538374B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510008568.2
申请日：2015-01-08
申请人： 四川矽芯微科技有限公司 , 四川洪芯微科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 电子科技大学 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 本发明提供了一种芯片尺寸封装的PIN二极管及其制作方法，其中PIN二极管的制作方法为：（一）PIN二极管芯片制作；（二）将步骤（一）中制成的含多个PIN二极管晶圆进行一体化封装钝化；（三）分割包装：将步骤（二）中封装钝化好的含有多个PIN二极管的晶圆进行切割，形成芯片尺寸封装的单个PIN二极管。本发明在现有的PIN 二极管工艺生产线上实现多层金属化工艺以及光敏聚酰亚胺封装工艺的整合，实现芯片尺寸小、硅片利用率高、性能良好的芯片尺寸封装PIN二极管的制造，能广泛运用于手机通讯、平板电脑、蓝牙通讯天线的发送和接收开关电路等领域中。本发明适用于制作芯片式封装的PIN二极管。
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公开(公告)号：CN110061722B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910310814.8
申请日：2019-04-18
申请人： 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
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公开(公告)号：CN110061722A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910310814.8
申请日：2019-04-18
申请人： 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
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公开(公告)号：CN219780509U
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202320597947.X
申请日：2023-03-24
申请人： 四川矽芯微科技有限公司
发明人： 李晶
IPC分类号： H05K1/03
摘要： 本实用新型公开了一种陶瓷线路板，包括陶瓷基层板，所述陶瓷基层板的下方设置有安装底板，所述安装底板的上端设置有绝缘导热层，所述绝缘导热层的上端与陶瓷基层板的下端贴合设置，所述绝缘导热层的下方设置有石墨烯散热层，所述石墨烯散热层同样与绝缘导热层贴合设置，通过采用陶瓷基体，提高了线路板的散热性能和高频性能，降低信号的损耗，同时设置墨烯散热涂层具有高热传导率，可将金属基板层传递的热量快速传递至空气中，进一步提高陶瓷线路板的热传导率。
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公开(公告)号：CN218730805U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222799443.4
申请日：2022-10-24
申请人： 四川矽芯微科技有限公司
发明人： 李晶
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/687
摘要： 本实用新型涉及半导体封装检测技术领域，公开了一种碳化硅半导体封装检测装置，包括支撑架；所述支撑架一侧内壁的上方中部通过阻尼轴承转动连接有第一转动杆，所述第一转动杆的一端与固定架一侧的中部固定连接，所述第一转动杆的另一端固定安装有旋钮，所述固定架另一侧的中部水平贯穿安装有第二转动杆。本实用新型通过把手能够拉动滑杆连接的夹块往右移动，方便把半导体封装插入第一夹槽内，松开把手，经弹簧的弹力，能够推动夹块往左移动，经第二夹槽能够对半导体封装的另一侧进行夹固，能对不同尺寸的半导体封装进行夹固，通过旋钮能够带动固定架在支撑架内转动，方便调整半导体封装的检测位置。
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公开(公告)号：CN210426116U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921998167.6
申请日：2019-11-18
申请人： 四川矽芯微科技有限公司
IPC分类号： F27D3/00 , F27D1/00 , F27D11/02 , F27D27/00 , C01B32/956
摘要： 本申请公开了一种用于新能源汽车碳化硅的冶炼炉，炉体下端设有电箱，炉体一侧设有进料口，炉体一侧还第一安装板，第一安装板上安装有第二安装板，第二安装板上安装有从动轴，第一安装板下端安装有第二电机，第二电机上安装有驱动轴，驱动轴与从动轴之间连接有传动带，从动轴上安装有传送带，炉体下端安装有出料管，炉体内设有冶炼腔，绝缘导热层内设有第一环形导热丝和第二环形导热丝，第一环形导热丝的电阻大于第二环形导热丝，第一环形导热丝位于冶炼腔的上方，第二环形导热丝位于冶炼腔的下方，炉体内贯穿有第二环形导热丝电连接的导电杆，导电杆与电箱电连接。本实用新型可以有效降低炉体能耗，提高碳化硅的冶炼效率。
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公开(公告)号：CN210410894U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921998274.9
申请日：2019-11-18
申请人： 四川矽芯微科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种碳化硅半导体生产用粉碎装置，第一电机上安装有传送带，安装座上端安装有第一安装板，第一安装板上相对于传送带对称设有第二电机，第二转轴的外周安装有第一研磨辊，第三转轴的外周安装有第二研磨辊，传送带上且位于传送带的下方设有第一进料漏斗，第一进料漏斗的下方设有研磨箱，研磨箱内设有研磨腔，研磨腔内设有第三研磨辊，第三研磨辊的上端安装有第一转轴，第一转轴上安装有第三电机，第三电机上安装有第四安装板，第四安装板上安装有固定在研磨箱上的第三安装板，第一进料漏斗的下方设有进料管，研磨腔的上端设有与研磨腔连通的第二进料漏斗。本实用新型可以有效提高碳化硅半导体研磨粉碎的效率和质量。
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