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公开(公告)号：CN110098131A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910310859.5
申请日：2019-04-18
申请人： 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L25/18 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种功率MOS型器件与集成电路晶圆级重构封装方法，包括依次进行的以下步骤：一、制作正面保护层；二、晶圆蓝膜切片；三、制作背面及侧面保护层；四、器件分割。本发明为功率MOS型器件以及集成电路芯片的正面、侧面及背面添加环氧树脂钝化立体保护层，避免了切片过程以及后期封装流程中对半导体芯片四周暴露部份的损伤，且该方法无需考虑封装步骤以前的工艺流程；确保无引线裸芯片封装工艺不会对产品电学参数、芯片良率及可靠性产生影响，有极强的市场需求适用性。本发明适用于阳极短路的IGBT器件以及管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装技术领域，同样适用于所有管脚位于同一平面内的集成电路封装技术领域。
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公开(公告)号：CN110061722B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910310814.8
申请日：2019-04-18
申请人： 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
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公开(公告)号：CN110061722A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910310814.8
申请日：2019-04-18
申请人： 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
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公开(公告)号：CN110491967A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910823544.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/173 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110473792B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910823826.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法，包括如下步骤：（1）原芯片重新布局布线工艺；（2）重新布局布线层表面做钝化处理；（3）芯片倒置后填涂第一塑封层；（4）芯片外接引脚淀积金属外延层；（5）执行第一次切割工艺；（6）填充第二塑封层；（7）进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面；（8）在金属外延层焊接表面生成金属焊球；（9）执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题，无须使用高成本模具，大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN110473792A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910823826.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广东气派科技有限公司 , 广安职业技术学院 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法，包括如下步骤：（1）原芯片重新布局布线工艺；（2）重新布局布线层表面做钝化处理；（3）芯片倒置后填涂第一塑封层；（4）芯片外接引脚淀积金属外延层；（5）执行第一次切割工艺；（6）填充第二塑封层；（7）进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面；（8）在金属外延层焊接表面生成金属焊球；（9）执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题，无须使用高成本模具，大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN110517966A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910823778.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/78 , H01L23/485
摘要： 本发明公开了一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，包括依次进行的以下步骤：一、制作正面保护层；二、蓝膜切割和裂片；三、制作背面及侧面保护层；四、形成扇出结构。本发明为高密度集成电路芯片的正面、侧面及背面添加环氧树脂钝，在环氧树脂层上形成扇出结构，避免了切片过程以及后期封装流程中对半导体芯片四周暴露部份的损伤，且该方法无需考虑封装步骤以前的工艺流程。本发明适用于半导体器件封装技术领域。
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公开(公告)号：CN110416250B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910823552.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110518032B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201910824277.9
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川上特科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法，并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上，多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110635008B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910932154.7
申请日：2019-09-29
申请人： 电子科技大学 , 四川晶辉半导体有限公司 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。
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