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公开(公告)号：CN100400215C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN01817957.6
申请日：2001-10-26
申请人： 埃克赛尔技术有限公司
IPC分类号： B23K26/40
CPC分类号： B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50
摘要： 本发明提供了一种紫外线激光束用于加工半导体。激光束的强度(IB)是从一个数值范围内精选出来的，在该数值范围内材料去除率随着强度(IB)的增加呈线性增加。一个细长的结构，如水槽或狭缝，可以通过在z方向上每取一个z_intgegr值时，各进行n次横向偏移的扫描来形成。
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公开(公告)号：CN100369235C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN02819370.9
申请日：2002-10-01
申请人： 埃克赛尔技术有限公司
CPC分类号： H01L21/67092 , B23K26/123 , B23K26/142 , B23K26/18 , B23K26/382 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/304 , H01L21/76898 , H01L21/78 , Y10S438/977
摘要： 通过紫外线或可见光辐射激光在衬底的第一表面中加工出一种具有小于衬底总深度的预定深度的结构(3)；以及从与第一表面相反的该衬底的第二表面去除预定深度的材料(5)，该预定深度是从第一表面到与该结构相通。材料可以通过例如研磨抛光、化学蚀刻、等离子体蚀刻或激光切除的方法除去。本发明适用于，例如切割半导体晶片或在晶片中形成金属化通孔。
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公开(公告)号：CN1473088A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN01817957.6
申请日：2001-10-26
申请人： 埃克赛尔技术有限公司
IPC分类号： B23K26/40
CPC分类号： B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50
摘要： 本发明提供了一种紫外线激光束用于加工半导体。激光束的强度(IB)是从一个数值范围内精选出来的，在该数值范围内材料去除率随着强度(IB)的增加呈线性增加。一个细长的结构，如水槽或狭缝，可以通过在z方向上每取一个Z－integer值时，各进行n次横向偏移的扫描来形成。
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公开(公告)号：CN1620713A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02819370.9
申请日：2002-10-01
申请人： 埃克赛尔技术有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/78 , B23K26/00 , H01L21/304 , H01L21/98
CPC分类号： H01L21/67092 , B23K26/123 , B23K26/142 , B23K26/18 , B23K26/382 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/304 , H01L21/76898 , H01L21/78 , Y10S438/977
摘要： 通过紫外线或可见光辐射激光在衬底的第一表面中加工出一种具有小于衬底总深度的预定深度的结构(3)；以及从与第一表面相反的该衬底的第二表面去除预定深度的材料(5)，该预定深度是从第一表面到与该结构相通。材料可以通过例如研磨抛光、化学蚀刻、等离子体蚀刻或激光切除的方法除去。本发明适用于，例如切割半导体晶片或在晶片中形成金属化通孔。
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公开(公告)号：CN1257038C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN01820693.X
申请日：2001-10-26
申请人： 埃克赛尔技术有限公司
发明人： 爱德里安·鲍耶尔
CPC分类号： H01L21/3043 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/78
摘要： 半导体是通过沿切割线引导高功率的绿色激光束，然后是UV激光束而切割的。第一光束以较粗糙的边缘和较高的材料去除速度进行切割，而第二光束以较低的材料去除量在所需精加工的边缘处完成切割。
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公开(公告)号：CN1481290A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN01820693.X
申请日：2001-10-26
申请人： 埃克赛尔技术有限公司
发明人： 爱德里安·鲍耶尔
CPC分类号： H01L21/3043 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/78
摘要： 半导体是通过沿切割线引导高功率的绿色激光束，然后是UV激光束而切割的。第一光束以较粗糙的边缘和较高的材料去除速度进行切割，而第二光束以较低的材料去除量在所需精加工的边缘处完成切割。
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公开(公告)号：CN1287945C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02808891.3
申请日：2002-03-22
申请人： 埃克赛尔技术有限公司
CPC分类号： B23K26/073 , B23K26/0622 , B23K26/12 , B23K26/123 , B23K26/125 , B23K26/127 , B23K26/142 , B23K26/1462 , B23K26/16 , B23K26/384 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/12 , B23K2103/172 , H05K3/0026 , Y10S438/94
摘要： 基片(16)加工形成例如孔。基片位于气体环境受到控制的腔室(15)内。传输控制参数，比如激光脉冲参数的加工激光束(13)，以获得所需的效果。气体环境可以得到控制，以控制孔的绝缘衬里的整体生长，从而不再需要后续的蚀刻和氧化物生长步骤。而且，可以以多道工序进行加工，以使热损伤最小，且获得其他所需的效果，比如特定的孔的几何形状。
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公开(公告)号：CN1561277A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02808891.3
申请日：2002-03-22
申请人： 埃克赛尔技术有限公司
CPC分类号： B23K26/073 , B23K26/0622 , B23K26/12 , B23K26/123 , B23K26/125 , B23K26/127 , B23K26/142 , B23K26/1462 , B23K26/16 , B23K26/384 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/12 , B23K2103/172 , H05K3/0026 , Y10S438/94
摘要： 基片(16)加工形成例如孔。基片位于气体环境受到控制的腔室(15)内。传输控制参数，比如激光脉冲参数的加工激光束(13)，以获得所需的效果。气体环境可以得到控制，以控制孔的绝缘衬里的整体生长，从而不再需要后续的蚀刻和氧化物生长步骤。而且，可以以多道工序进行加工，以使热损伤最小，且获得其它所需的效果，比如特定的孔的几何形状。
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