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公开(公告)号：CN105247704B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201280057406.2
申请日：2012-11-21
发明人： M.M.埃尔-艾什莉 , O.托拜耳 , G.S.图勒夫斯基
摘要： 一种电极包括导电基板(102)和提供可压缩材料基体的多个导电结构(104)。活性材料(106)形成为与多个导电结构接触。活性材料包括在离子扩散期间膨胀的体积膨胀材料，使得多个导电结构为活性材料提供支撑且补偿活性材料的体积膨胀以防止对活性材料的损坏。
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公开(公告)号：CN104023993B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201280058371.4
申请日：2012-11-16
发明人： 阿里·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , 阿迈德·马鲁夫 , 格伦·J·马蒂纳 , 凯瑟琳·森格尔
CPC分类号： H01B1/04 , B32B3/00 , B32B3/12 , B32B9/007 , B32B9/041 , B32B15/20 , B32B2307/202 , B32B2307/206 , B32B2457/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C23F1/02 , H01L21/02527 , H01L21/042 , H01L21/324 , Y10T428/24545 , Y10T428/24851 , Y10T428/24909 , Y10T428/24917
摘要： 在衬底上形成图案化的石墨烯层的设备和方法。一种这样的方法包括：在衬底上形成碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构；在所述衬底上的所述碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构的顶上施加石墨烯层；在一环境中加热在所述碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构的顶上的所述石墨烯层，以去除在所述碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构附近的石墨烯区域；以及去除所述碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构，以在所述衬底上产生图案化的石墨烯层，其中所述衬底上的所述图案化的石墨烯层为电子器件提供载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN104303318B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201380025381.2
申请日：2013-04-29
IPC分类号： H01L31/0376
CPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/02165 , H01L31/02168 , Y02E10/52
摘要： 公开了一种光伏器件(10a?e)，包括：作为非晶半导体材料的光吸收材料(34、35)；以及具有给定阻带的带阻滤光器结构(20)，相对于光吸收材料设置结构以衰减到达光吸收材料并且具有在阻带内角频率ω*的电磁辐射，其中阻带对应于从非晶材料的价带尾(VBT)状态至非晶材料的导带尾(CBT)状态的电子激发
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公开(公告)号：CN104023993A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280058371.4
申请日：2012-11-16
发明人： 阿里·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , 阿迈德·马鲁夫 , 格伦·J·马蒂纳 , 凯瑟琳·森格尔
IPC分类号： B44C1/165
CPC分类号： H01B1/04 , B32B3/00 , B32B3/12 , B32B9/007 , B32B9/041 , B32B15/20 , B32B2307/202 , B32B2307/206 , B32B2457/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C23F1/02 , H01L21/02527 , H01L21/042 , H01L21/324 , Y10T428/24545 , Y10T428/24851 , Y10T428/24909 , Y10T428/24917
摘要： 在衬底上形成图案化的石墨烯层的设备和方法。一种这样的方法包括：在衬底上形成碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构；在所述衬底上的所述碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构的顶上施加石墨烯层；在一环境中加热在所述碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构的顶上的所述石墨烯层，以去除在所述碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构附近的石墨烯区域；以及去除所述碳化物形成金属或包含金属的合金的至少一个图案化结构，以在所述衬底上产生图案化的石墨烯层，其中所述衬底上的所述图案化的石墨烯层为电子器件提供载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN104221279B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201380018169.3
申请日：2013-03-08
CPC分类号： H02S40/44 , F24S10/502 , F24S10/55 , F24S20/20 , F24S23/70 , F24S2020/17 , H01L31/0521 , H01L31/0547 , H02S10/20 , H02S20/00 , H02S20/10 , Y02E10/41 , Y02E10/44 , Y02E10/52 , Y02E10/60
摘要： 本发明主要针对一种操作光伏热混合系统(10)的方法。这样的系统(10)包括：混合太阳能接收器(20)，具有操作地耦合到系统以对功率用户输送电输出功率(PO)的光伏模块(21)；以及与光伏模块不同的热收集器(22)。光伏模块和/或热收集器被可移动地安装在系统中。该系统进一步包括：收集器热量存储装置(42)，热连接到热收集器以存储在热收集器处收集的热量；以及定位装置(30)，被适配为移动光伏模块和/或热收集器。该方法包括指示(S30)定位装置移动光伏模块和/或热收集器，以改变在光伏模块处接收到(S10)的辐射的强度与在热收集器处接收到(S10)的辐射的强度的比率。
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公开(公告)号：CN103563091B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201280026863.5
申请日：2012-06-05
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/075 , H01L31/1812 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 光伏装置及用于制造光伏装置的方法包括以下步骤：在透射式衬底上形成吸收光的半导体结构，该半导体结构包括第一掺杂层；及在第一掺杂层上形成本征层，其中本征层包括非晶材料。用等离子体处理本征层以形成晶种位点。通过自晶种位点生长微晶在本征层上形成第一隧道结层。
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公开(公告)号：CN104303318A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025381.2
申请日：2013-04-29
IPC分类号： H01L31/0376
CPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/02165 , H01L31/02168 , Y02E10/52
摘要： 公开了一种光伏器件(10a-e)，包括：作为非晶半导体材料的光吸收材料(34、35)；以及具有给定阻带的带阻滤光器结构(20)，相对于光吸收材料设置结构以衰减到达光吸收材料并且具有在阻带内角频率ω*的电磁辐射，其中阻带对应于从非晶材料的价带尾(VBT)状态至非晶材料的导带尾(CBT)状态的电子激发
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公开(公告)号：CN104221279A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380018169.3
申请日：2013-03-08
CPC分类号： H02S40/44 , F24S10/502 , F24S10/55 , F24S20/20 , F24S23/70 , F24S2020/17 , H01L31/0521 , H01L31/0547 , H02S10/20 , H02S20/00 , H02S20/10 , Y02E10/41 , Y02E10/44 , Y02E10/52 , Y02E10/60
摘要： 本发明主要针对一种操作光伏热混合系统(10)的方法。这样的系统(10)包括：混合太阳能接收器(20)，具有操作地耦合到系统以对功率用户输送电输出功率(PO)的光伏模块(21)；以及与光伏模块不同的热收集器(22)。光伏模块和/或热收集器被可移动地安装在系统中。该系统进一步包括：收集器热量存储装置(42)，热连接到热收集器以存储在热收集器处收集的热量；以及定位装置(30)，被适配为移动光伏模块和/或热收集器。该方法包括指示(S30)定位装置移动光伏模块和/或热收集器，以改变在光伏模块处接收到(S10)的辐射的强度与在热收集器处接收到(S10)的辐射的强度的比率。
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