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公开(公告)号：CN116396076B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310352885.0
申请日：2023-04-04
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司
发明人： 朱伟
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , C04B35/645 , C23C14/08 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种导电铌酸锂靶材的制备方法，涉及溅射靶材领域，旨在提供一种铌酸锂靶材，其技术方案要点是：S1：配置C粉、Nb2O5粉末、Li2CO3粉末；S2：将粉末称重后加入到去离子水中形成浆液，进行砂磨破碎，离心喷雾造粒；S3：进行预烧结；S4：将预烧后的还原粉末与Li2CO3粉末称重后加入到去离子水中形成浆液，进行砂磨破碎，进行离心喷雾造粒；S5：对造粒后的粉末再次进行预烧结，得到还原粉末；S6：破碎后筛分；S7：预压，进行烧结；S8：真空退火；S9：退火完成后进行机加工完成产品所需要求。本发明的一种导电铌酸锂靶材的制备方法可制备出高致密度、高纯度、细晶、近化学计量比的铌酸锂导电靶材。
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公开(公告)号：CN117817569A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311861752.2
申请日：2023-12-29
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司
发明人： 张剑
摘要： 本发明公开了一种用于降低镀膜掉渣率的NiCr靶材表面处理方法，涉及溅射镀膜领域，旨在解决NiCr靶材镀膜掉渣率高的问题，其技术方案要点是：一种用于降低镀膜掉渣率的NiCr靶材表面处理方法，包括以下步骤：S1、靶材准备：准备表面未处理的NiCr靶材成品；S2、抛光处理：将上述靶材的溅射面与非溅射面的上下两面进行抛光处理；S3、遮护：将靶材的溅射区域部分进行遮护；S4、一次喷砂粗化：将所述靶材的溅射区进行第一次喷砂粗化处理；S5、二次喷砂粗化：将所述靶材的溅射区进行第二次喷砂粗化处理。本发明的一种用于降低镀膜掉渣率的NiCr靶材表面处理方法能够有效降低镀膜掉渣率。
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公开(公告)号：CN114574822B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210202295.5
申请日：2022-03-02
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司
发明人： 顾宗慧
摘要： 本发明涉及一种银合金靶材制备工艺及应用，其中，制备工艺包括：根据预成型成品的尺寸选取对应规格的AgIn合金锭作为制备原材备用；将制备原材于450‑600℃的温度条件下预热1‑2h至其呈半熔融状态，作为挤压原材备用；将挤压原材注入挤压成型设备中，通过预装的成型模具将挤压原材挤压成板材加工体；待板材加工体冷却至常温后，于搅拌摩擦焊机上按照预置的加工参数及运行路径对板材加工体进行搅拌摩擦焊处理，得到靶材半成品；根据预成型成品的加工参数对所述靶材半成品进行机加工以最终得到银合金靶材成品。通过上述制备工艺加工的银合金靶材在工作时组织稳定，能够满足大尺寸显示器靶材的应用需求，且降低了烧结能耗和加工成本。
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公开(公告)号：CN117328062A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311044478.X
申请日：2023-08-18
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司
发明人： 张剑
摘要： 本发明公开了一种增强锂电池复合集流体膜基结合力的方法，涉及镀膜领域，旨在解决锂电池膜基结合力的问题，其技术方案要点是：一种增强锂电池复合集流体膜基结合力的方法，S1、基材的准备：准备PP基材；S2、将PP基材进行等离子清洗；S3、将PP基材的两面进行第一层薄膜沉积形成过渡层打底；沉积靶材为NiXY多元合金靶材，其中X,Y元素为Cu、Ti、Y、Cr、Mo的任意两种；S4、在S3步骤的基础上在其两面进行第二层薄膜沉积，沉积靶材为Cu靶；S5、在S4步骤的基础上在其两面进行第三次薄膜沉积，沉积靶材为Cu膜。本发明的一种增强锂电池复合集流体膜基结合力的方法能够有效增强锂电池复合集流体膜基结合力。
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公开(公告)号：CN116752104A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310720615.0
申请日：2023-06-16
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司
发明人： 张剑
摘要： 本发明公开了一种半导体用的高纯低氧细晶Ag旋转管靶的制作方法，其技术方案要点是：包括以下步骤：S1、备料：准备纯度大于99.999％的Ag原料备用；S2、熔炼：将Ag原料置于熔炼炉中，进行熔炼，得到Ag铸锭；S3、除氧：铸锭浇铸前，进行燃烧咬氧的除氧工艺；S4、水淬：将铸锭进行水冷；S5、去除气孔层外皮：将气孔层外皮车掉；S6、挤型：将铸锭加热至300‑800℃，进行保温，保温时间为10‑60min，然后一次挤型，剂型比80‑95％得到Ag旋转管胚；S7、加工：将Ag旋转管胚进行加工至需求尺寸，得到Ag旋转管靶。本工艺方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN116532639A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310582585.1
申请日：2023-05-23
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司
发明人： 朱伟
摘要： 本发明公开了一种铜锡合金靶材的制备方法，涉及半导体加工领域，旨在解决目前制备铜锡合金存在成分偏析空隙的缺陷，其技术方案要点是：A、按照Cu：Sn＝40：60‑70：30的质量比进行均匀混合；B、混合后的原料进行球磨；C、在球磨过程中对球磨罐进行抽真空操作，真空度低于200Pa；D、将球磨破碎完成的CuSn复合粉末通过40‑100目筛网进行筛分，然后按照产品尺寸计算所需重量，装入热压石墨模具中；E、将石墨模具置于真空热压炉的压头正下方，并对模具进行预压0.5MPa‑5MPa，设定烧结参数进行烧结进行各种机加工至所需产品要求。本发明的一种铜锡合金靶材的制备方法能够制备均一分散的铜锡合金靶材。
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公开(公告)号：CN116120056A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310030079.1
申请日：2023-01-09
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体蚀刻机导轨的制备方法，涉及半导体设备制备领域，其技术方案要点是：一种半导体蚀刻机导轨的制备方法，包括以下步骤：S1、备料：选用纯度为99.9％的氧化锆造粒粉料；S2、填充粉料：先制备模具，模具采用敞开式水平模具，将粉料填充到模具中，启动振动平台进行水平振动，振动之后进行塑封成型；S3、冷等静压：将成型好的生坯移至冷等静压作业区域进行压制，设置最高压力为200兆帕；S4、烧结：将压制后的坯件进行烧结，烧结时将坯件呈倾斜放置，其坡度夹角为15‑30°。本发明的一种半导体蚀刻机导轨的制备方法，能够制取组织结构均匀的半导体蚀刻机的导轨。
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公开(公告)号：CN115677356A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211291261.4
申请日：2022-10-20
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/622 , B28B3/00
摘要： 本发明公开了一种高性能氮化硅陶瓷基板的制备方法，涉及半导体陶瓷基板加工领域，旨在解决生坯压制密度不均匀的问题，其技术方案要点是：S1：Si3N4粉体和添加剂、烧结助剂预混合，助剂的含量为4％wt，充分球磨混料，减少超细氮化硅颗粒的团聚，现实其与助剂的均匀混合；S2：对混合料进行造粒处理，形成符合要求的粒径分布，待用；S3：以上制备的粉料充填到冷等静压CIP包套中，包套真空封装，缸体压力200MPa；S4：密度达到理论值55％以上，进入烧结制程；S5：采用热等静压工艺进行烧结处理。S6：机加工得到符合要求的氮化硅陶瓷生坯，密度均匀性小于0.4％；硬度梯度小于1％；抗弯强度大于800MPa。本发明的一种高性能氮化硅陶瓷基板的制备方法生坯压制密度均匀，厚度薄。
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公开(公告)号：CN115595540A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211291263.3
申请日：2022-10-21
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司(CN)
IPC分类号： C23C14/34 , B21B3/00 , B22F1/065 , B22F1/14 , B22F3/04 , B22F3/10 , C22C1/02 , C22C1/04 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/06 , C23C14/14
摘要： 本发明公开了一种铝钪合金靶材的制备工艺，涉及半导体靶材制备领域，旨在解决目前钪合金靶材的制备质量不够高的问题，其技术方案要点是：选用纯度为99.999％的金属铝和纯度为99.99％的金属钪，将铝钪原料投入真空熔炼炉中，将真空熔炼炉加热，使熔炼炉中的铝钪合金原料熔化；向真空熔炼炉中通入惰性气体，去除气体杂质最终得到合金；在真空状态下进行浇铸，冷却定型得到合金铸锭，使用热轧机进行轧制操作；在300℃～500℃条件下对校平后的高纯铝钪合金靶材进行退火处理；使用扩散焊接法使其贴合于背板上，获得高纯低氧铝钪合金靶材。本发明的一种铝钪合金靶材的制备工艺其工艺简单成熟，最终制品钪含量高、参数可控。
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公开(公告)号：CN113716953A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111074675.7
申请日：2021-09-14
申请人： 基迈克材料科技(苏州)有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08
摘要： 本发明涉及材料加工技术领域，特别是涉及一种氧化铈掺杂IZO粉体、靶材及制备方法。本发明通过选用金属铈作为掺杂剂，与金属铟和金属锌性质匹配，能在800℃～850℃下形成液态合金，对该液态合金进行气雾化处理后，能得到三种金属分散高度均匀的合金颗粒，同时，雾化时施加氧气，能使得合金颗粒在800℃～850℃的温度下迅速被氧化成合金氧化物颗粒，从而获得以机械研磨方式难以达到的均匀程度的氧化铈掺杂IZO粉体，能进一步制成较纯IZO靶材电阻更低，较传统掺杂技术更均匀、性能更好的氧化铈掺杂IZO靶材，而且制备过程中不涉及酸、氨水等试剂的使用，因此不会产生废水废气污染环境，更绿色环保。
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