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公开(公告)号:CN1825476B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200610058210.1
申请日:2006-02-24
申请人: 株式会社东芝 , 大冢宽治 , 宇佐美保 , 冲电气工业株式会社 , 三洋电机株式会社 , 夏普株式会社 , 索尼株式会社 , 日本电气株式会社 , 富士通微电子株式会社 , 松下电器产业株式会社 , 株式会社瑞萨科技 , 罗姆股份有限公司
CPC分类号: H01L27/108 , G11C5/063 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C11/405 , G11C11/4094 , G11C11/4097
摘要: 本发明涉及一种半导体存储器装置,在该半导体存储器装置中,存储器单元(MC)包括配置为相互成对的用于转移栅极的nMOS晶体管(11a、11b),以及连接到所述nMOS晶体管(11a)的用于数据存储的一个电容器(12)。所述nMOS晶体管(11a)的栅极电极连接到字线WL,并且漏极连接到位线BL。所述nMOS晶体管(11b)的栅极电极连接到字线/WL,并且漏极和源极连接到地。所述电容器(12)连接在所述nMOS晶体管(11a)的源极和地之间。Y选择电路(13)连接在差分位线BL、/BL和差分数据线DL、/DL之间。所述Y选择电路(13)具有分别构成晶体管对的两对nMOS晶体管(14a、14b和15a、15b)。
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公开(公告)号:CN1825476A
公开(公告)日:2006-08-30
申请号:CN200610058210.1
申请日:2006-02-24
申请人: 株式会社东芝 , 大冢宽治 , 宇佐美保 , 冲电气工业株式会社 , 三洋电机株式会社 , 夏普株式会社 , 索尼株式会社 , 日本电气株式会社 , 富士通株式会社 , 松下电器产业株式会社 , 株式会社瑞萨科技 , 罗姆股份有限公司
CPC分类号: H01L27/108 , G11C5/063 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C11/405 , G11C11/4094 , G11C11/4097
摘要: 存储器单元(MC)包括配置为相互成对的用于转移栅极的nMOS晶体管(11a、11b),以及连接到所述nMOS晶体管(11a)的用于数据存储的一个电容器(12)。所述nMOS晶体管(11a)的栅极电极连接到字线WL,并且漏极连接到位线BL。所述nMOS晶体管(11b)的栅极电极连接到字线/WL,并且漏极和源极连接到地。所述电容器(12)连接在所述nMOS晶体管(11a)的源极和地之间。Y选择电路(13)连接在差分位线BL、/BL和差分数据线DL、/DL之间。所述Y选择电路(13)具有分别构成晶体管对的两对nMOS晶体管(14a、14b和15a、15b)。
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