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公开(公告)号：CN118854449A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411334564.9
申请日：2024-09-24
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有缓冲层的高质量AlN薄膜及其制备方法与应用，属于半导体材料制备领域，方法步骤包括：在衬底上形成卟啉类化合物涂层作为缓冲层；在缓冲层上物理气相沉积AlN种子层；在AlN种子层上化学气相沉积AlN外延层，得到具有缓冲层的高质量AlN薄膜。本发明首先在衬底制备卟啉类化合物缓冲层，该类化合物为二维层状结构且能与AlN分子的Al形成配位键，能够有效地缓解AlN薄膜与衬底之间的晶格失配与热适配；随后在卟啉类化合物缓冲层上通过PVD沉积AlN种子层，能够为后续AlN的生长提供较好的成核位点；最后通过MOCVD可生长晶体质量高的AlN薄膜。
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公开(公告)号：CN118444536B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410893139.7
申请日：2024-07-04
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种曝光设备及其控制方法，属于光刻技术领域，包括主动隔振台、两个标记识别装置和一个曝光装置，主动隔振台包括相互独立的两个分区，两个分区均用于放置晶圆；两个标记识别装置活动设置在主动隔振台的上方且每个标记识别装置均能够在对应的一个分区的范围内活动；标记识别装置用于识别晶圆上的标记；曝光装置活动设置在主动隔振台的上方且位于两个标记识别装置之间，曝光装置能够在两个分区的范围内活动且用于在标记识别装置识别其中一个分区内的晶圆上的标记时对另一个分区内的晶圆进行曝光。本发明的曝光设备能够有效提高曝光工艺的处理速度，大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118367890B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410785228.X
申请日：2024-06-18
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
摘要： 本申请涉及体声波谐振器技术领域，具体提供了一种调节声速的体声波谐振器、制备方法及声学滤波器，该谐振器包括：声速调节层，其具有至少两个围绕声反射镜边缘设置的声速调节结构组，每个声速调节结构组均包括多个间隔设置的声速调节块，声速调节层在俯视方向上的投影的外边界不超出声反射镜在俯视方向上的投影的外边界；相邻的声速调节结构组中的声速调节块相接或相邻的声速调节结构组的中心线的间距小于等于所述声速调节块的宽度且大于等于所述声速调节块的宽度的一半；该谐振器能够有效地解决由于体声波谐振器会产生RL模态，该RL模态中的能量被泄漏而导致无法通过减少RL模态的能量泄漏的方式提高体声波谐振器的性能的问题。
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公开(公告)号：CN118444536A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410893139.7
申请日：2024-07-04
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种曝光设备及其控制方法，属于光刻技术领域，包括主动隔振台、两个标记识别装置和一个曝光装置，主动隔振台包括相互独立的两个分区，两个分区均用于放置晶圆；两个标记识别装置活动设置在主动隔振台的上方且每个标记识别装置均能够在对应的一个分区的范围内活动；标记识别装置用于识别晶圆上的标记；曝光装置活动设置在主动隔振台的上方且位于两个标记识别装置之间，曝光装置能够在两个分区的范围内活动且用于在标记识别装置识别其中一个分区内的晶圆上的标记时对另一个分区内的晶圆进行曝光。本发明的曝光设备能够有效提高曝光工艺的处理速度，大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118179135B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410589714.4
申请日：2024-05-13
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明涉及半导体器件生产技术领域，具体公开了一种NMP废液的残余金属回收装置，该装置应用在半导体生产的NMP剥离机中，包括控制器以及依次通过管道连接的：NMP废液接收管，NMP废液接收管上设有第一流量计；缓冲罐，缓冲罐内具有液位计；粗过滤器；驱动泵；精过滤器，其输出端上设有第二流量计；控制器用于在液位信息在预设液位范围内时，基于功率曲线控制驱动泵驱动NMP废液流动，以及还用于在液位信息在超出预设液位范围后，基于PID控制策略根据第二流量信息和目标流量信息调节驱动泵的运行功率;该装置能避免缓冲罐内囤积过多NMP废液而反涌至NMP废液接收管中而影响NMP剥离机的NMP废液排放效率。
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公开(公告)号：CN118432578A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410789781.0
申请日：2024-06-19
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种温度补偿型体声波滤波器及其制备方法，涉及体声波滤波器设计技术领域。包括依次层叠的第一衬底、底电极、压电层和顶电极，压电层由单晶态氮化铝材料或多晶态氮化铝材料制成，还包括温补层，温补层位于压电层内且被压电层完全密封；温补层用于提高压电层的温度漂移系数。本发明的温度补偿型体声波滤波器能够有效控制体声波滤波器的谐振点漂移现象，有效降低环境温度变化对滤波器频率的影响，大大提高滤波器频率的稳定性。
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公开(公告)号：CN118157619A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410400048.5
申请日：2024-04-03
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
摘要： 本申请涉及体声波谐振器技术领域，具体提供了一种具有横波反射结构的体声波谐振器，其包括：由下至上依次连接的衬底、底电极、压电层和顶电极，衬底顶部设有声反射镜；横波反射层，位于衬底上方且与顶电极连接，用于反射横波，其在俯视方向上的投影的外边界不超出声反射镜在俯视方向上的投影的外边界；其能够尽可能地降低由于横波的传播会带走能量而导致体声波谐振器的品质因数衰减的影响，进而有效地提高体声波谐振器的品质因数和电性能。
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公开(公告)号：CN117660879B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311679219.4
申请日：2023-12-08
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本申请属于半导体材料制备技术领域，公开了一种AlN薄膜及其制备方法和应用，所述方法包括步骤：制备包括依次叠合的硅衬底、图形化AlN层、第一AlN层和第一SiO2层的第一外延片；制备包括依次叠合的蓝宝石衬底、GaN层、第二SiO2层的第二外延片；把第一SiO2层和第二SiO2层键合形成键合SiO2层，从而得到键合外延片；去除键合外延片的硅衬底；把键合外延片中的图形化AlN层去除；在第一AlN层远离键合SiO2层的一面生长第二AlN层；对键合外延片中的键合SiO2层进行剥离处理，以剥离出由第一AlN层和第二AlN层组成的AlN薄膜；从而能够得到大厚度高质量的AlN薄膜。
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公开(公告)号：CN117294277B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311583542.1
申请日：2023-11-24
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明提供了一种高功率高机电耦合系数的体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域。该高功率高机电耦合系数的体声波谐振器包括第一衬底、底电极、AlScN层、单晶AlN层和顶电极，第一衬底的底面设置有凹槽；底电极为第一衬底的下层并通过覆盖凹槽以构成空腔；AlScN层为底电极的下层；单晶AlN层为AlScN层的下层；顶电极为单晶AlN层的下层。本发明的高功率高机电耦合系数的体声波谐振器能够增加谐振器的散热效率，改善谐振器的自加热效应，进而提高谐振器的功率容量。
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公开(公告)号：CN117096067B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311342101.2
申请日：2023-10-17
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/66 , G03F7/42
摘要： 本发明涉及刻蚀处理技术领域，具体公开了一种干法刻蚀机台及干法刻蚀方法，其中，干法刻蚀机台包括：底架；承载组件，设置在底架上；转移机构，安装在底架上，用于驱动承载组件移动；干法刻蚀机台还包括安装在底架上方、具有向下开设的开口的且沿承载组件移动方向依次设置的刻蚀室、AOI检验室和去胶室；该干法刻蚀机台的晶圆在整个移动、刻蚀处理、AOI检验处理及去胶处理过程中均相对固定在承载组件的承托顶板上，无需在晶圆进入相应腔室时对晶圆的位姿状态进行检测及调整，并确保刻蚀处理、AOI检验处理及去胶处理能顺利、准确地进行。
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