公开(公告)号：CN106902611A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201610809452.3

申请日：2016-09-08

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 及川祐司 ,  秋山敏雄 ,  秋山保男

IPC: B01D53/00 ,  B01D53/86 ,  B01D53/96 ,  C01B3/50 ,  C01B3/58

CPC classification number: B01D53/00 ,  B01D53/86 ,  B01D53/96 ,  C01B3/50 ,  C01B3/58

Abstract: 本发明的课题在于提供一种气体提纯装置，其中，针对氢提纯装置以及于再生时采用氢的不活泼气体提纯装置具有耐爆结构，该结构用于在万一产生因氢而造成的爆炸的场合，使控制设备等的外设设备的损伤为最小限。一种气体提纯装置，其由多个金属制的单元构成，控制设备和提纯容器接纳于各自的单元中，接纳有提纯容器的单元由三重结构的壁构成，该壁从内侧朝向外侧，由非通气性金属壁、通过多个板状件或线状件形成的通气性壁与外壁构成，设置压力调节机构，该压力调节机构包括设置于该非通气性金属壁上的空气或不活泼气体的导入口和排出口。

公开(公告)号：CN103420398B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201310194035.9

申请日：2013-05-23

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 伊崎宽正 ,  岩城雅典 ,  秋山敏雄

IPC: C01C1/12 ,  C01B21/06

CPC classification number: F25J3/08 ,  C01C1/12 ,  Y02P20/129 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明涉及氨气的回收方法以及使用其的氨气的再利用方法，提供可从废气中高效且容易地将氨气回收并且再利用的方法,该废气由氮化镓类化合物半导体的制造工序排出，氨气含有率低。将废气进行过滤器过滤而去除该废气中所含的固体化合物，然后进行加压处理以及基于热泵的冷却处理，将该废气中所含的氨气液化而与氢气和氮气分离，将氨气回收。另外，将所回收的液氨气化，与和该氨气不同的粗氨气混合，然后将该混合气体进行精制而供给于氮化镓类化合物半导体的制造工序。

公开(公告)号：CN105715798A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510963520.7

申请日：2015-12-21

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 大森清 ,  恩地伸太郎

IPC: F16J15/28

CPC classification number: F16J15/28

Abstract: 本发明的课题在于提供一种密封垫圈，该密封垫圈安装于阀门、接头等构造物的金属法兰间，该构造物使从氢气、氨气以及不活泼气体中选出的一种以上的气体在高温下流过。该密封垫圈具有优异的气密性，可在不因高温气体的影响而产生劣化的情况下长期维持优异的气密性。本发明的解决方案是提供一种密封垫圈，作为其构成成分，以90wt％以上的含有率而包含银，或者通过以90wt％以上的含有率而包含银的金属层，来覆盖与金属法兰的接触面。

公开(公告)号：CN104925756A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510111657.X

申请日：2015-03-13

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 小宫由直 ,  荒川秩 ,  秋山敏雄 ,  佐藤保雄 ,  武政登

IPC: C01B3/50

CPC classification number: Y02P20/126

Abstract: 本发明涉及氢提纯装置及使用其的氢提纯系统，提供一种能在氢提纯装置中高效地加热被导入于盒的一次侧空间内且含杂质的原料氢的手段，在该氢提纯装置中，通过用一端被封住的钯合金细管和支撑该细管的开口端的管板，将盒的内部分隔为一次侧空间和二次侧空间，将含杂质的原料氢从一次侧空间导入，使其透过钯合金细管而从二次侧空间取出纯氢。以钯合金细管的长度为管板的直径的15倍以上的方式设定盒的形状为细长状，并且含杂质的原料氢的导入配管以通过盒的侧壁与用于将盒加热的加热器的间隙的方式而设定。

公开(公告)号：CN103031536A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210363669.8

申请日：2012-09-26

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 秋山敏雄 ,  森勇次

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B5/02 ,  C23C16/4405

Abstract: 本发明涉及一种气相生长装置的构成部件的清洗装置和清洗方法。其中，所述清洗装置内置有托盘，通过利用轴承的旋转机构，该托盘以可自由旋转的方式保持多个基板架，还包括：托盘与基板架的收纳部；使托盘旋转的机构和/或使基板架旋转的机构；加热器；清洗气体导入部；以及清洗气体排出部。所述清洗方法为在上述清洗装置中，收纳在气相生长中使用过的保持基板架的托盘，使托盘和/或基板架旋转的同时导入清洗气体，去除在气相生长时附着的附着物或堆积物。该清洗装置和清洗方法能高效地去除附着于气相生长后的基板架与托盘等的气相生长装置构成部件上的附着物或堆积物。

公开(公告)号：CN1542918A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410033968.0

申请日：2004-04-20

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 高松勇吉 ,  浅野彰良 ,  岩田充弘 ,  田山竜规

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明提供一种气化器，在即使减少随半导体制造(后简称：CVD)原料一同供给的载气供给量，或者在提高溶解在溶剂中的固体CVD原料浓度来进行气化供给的情况下，也能够防止固体CVD原料析出附着在气化室喷出口周围，并可长时间稳定CVD原料，以期望浓度和流量有效地提供气化供给。气化器构成如下：在CVD原料供给部具备外管的外壁直径朝气化室喷出口渐窄的具有锥形部或曲线部的双层结构的喷出管。

公开(公告)号：CN1532539A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410006984.0

申请日：2004-03-03

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 大塚健二 ,  名和洋二 ,  田山竜规

IPC: G01N21/78

CPC classification number: G01N31/223

Abstract: 本发明提供一种含有金属化合物的气体的检测剂及检测方法，可以不受伴随气体氨等的影响，高灵敏度且容易地检测出从半导体制造工序中排出的气体中含有的金属化合物。该检测剂在载体上作为变色成分载持有吡啶基偶氮化合物。另外，通过将含有金属化合物的气体与上述检测剂接触，检测该检测剂的变色，来检测金属化合物。

公开(公告)号：CN105090999B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201510232325.7

申请日：2015-05-08

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 荒川秩 ,  秋山敏雄 ,  及川祐司 ,  水野健太 ,  长井一贵

IPC: F23G7/06

Abstract: 本发明提供一种废气的燃烧式净化装置，可抑制或者防止通气性的侧面壁的裂纹、崩解、缺口等，该装置具有如下结构：为了防止固体颗粒状氧化物堆积于燃烧室内的侧面壁，因而将侧面壁设为具有通气性陶瓷壁的侧面壁，介由该通气性的侧面壁将含氧气体喷出到燃烧室。在如前述那样的废气的燃烧式净化装置中，设置用于对作为燃烧室的侧面壁的陶瓷壁从背后以及下方进行支撑的金属支撑体。或者，将燃烧室的侧面壁的上部设为通气性陶瓷壁，将燃烧室的侧面壁的下部设为通气性的金属壁。

公开(公告)号：CN105540541A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510683405.4

申请日：2015-10-20

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 小宫由直 ,  荒川秩 ,  秋山敏雄 ,  佐藤保雄 ,  武政登

IPC: C01B3/56

CPC classification number: C01B3/505 ,  B01D53/00 ,  B01D53/228 ,  B01D2256/16 ,  C01B2203/0233 ,  C01B2203/0405 ,  C01B2203/043 ,  C01B2203/046 ,  C01B2203/1211 ,  C01B2203/1223 ,  C01B2203/1241 ,  C01B2203/1247

Abstract: 本发明提供一种氢精制方法，其为基于氢精制装置而进行的氢精制方法，所述氢精制方法可减少包含未透过钯合金细管的杂质的气体的取出量，可从二次侧空间高效地取出纯氢，所述氢精制装置的结构如下，利用一端被封闭的钯合金细管与支撑该细管的开口端的管板，将单元的内部隔开为一次侧空间和二次侧空间，将包含杂质的氢从一次侧空间导入，透过钯合金细管从二次侧空间取出纯氢。使用杂质的浓度为1000ppm以下的氢作为原料氢，将包含未透过钯合金细管的杂质的气体以原料氢的导入流量的10％以下的流量从一次侧空间取出。或者，将包含未透过钯合金细管的杂质的气体按照与原料氢中所含杂质的含有率对应的流量从一次侧空间取出。

公开(公告)号：CN101924023A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010190520.5

申请日：2010-05-27

Applicant: 日本派欧尼株式会社

Inventor： 矶宪司 ,  石滨义康 ,  高木亮平 ,  高桥让

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/46 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38

CPC classification number: C23C16/301 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明的课题在于提供一种III族氮化物半导体的气相生长装置，其包括保持基板的托盘；该托盘的相对面；用于对该基板进行加热的加热器；由该托盘和该托盘的相对面的间隙形成的反应炉；将原料气体供给到该反应炉的原料气体导入部；反应气体排出部，可谋求半导体的膜厚分布的均匀性、反应速度的提高。原料气体导入部包括两个以上的混合气体的喷射口，该混合气体的喷射口可按照任意的比例喷射氨、有机金属化合物与载气。