微波电浆发生装置及其操作方法

    公开(公告)号:CN104380429B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201380032280.8

    申请日:2013-04-16

    发明人: J·迈 H·施勒姆

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 本发明涉及一种具有电浆室的微波电浆发生装置。在所述电浆室外部设有至少一个微波发生装置,并且所述微波发生装置的微波被至少一个微波接入装置接入到所述电浆室中。所述微波接入装置具有穿过所述电浆室的至少一个室壁而伸入所述电浆室中的内导体、包围所述内导体并且将所述内导体与所述电浆室的内腔间隔开的绝缘管、和至少一个穿过所述至少一个室壁而伸入所述电浆室中的外导体,所述外导体与所述内导体同轴地布置但并不包围所述内导体的整个圆周。所述外导体在所述电浆室中具有至少一个外导体末端。所述内导体与所述外导体形成微波导线,其中在所述电浆室中,微波可以从所述微波导线中外泄出,以便在所述电浆室的内腔中产生微波电浆。根据本发明,在所述电浆室的内腔中设有至少一个与所述内导体同轴布置且与所述室壁电绝缘的电浆电极,该电浆电极可被施加有直流电压、低频电压或高频电压,所述微波电浆可与该电浆电极电接触,使得所述微波电浆可以至少部分地承担所述外导体的作用。本发明还涉及一种操作该微波电浆发生装置的方法。

    用于硅表面的纹理化的方法和装置

    公开(公告)号:CN106252429A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610405068.7

    申请日:2016-06-08

    摘要: 本发明涉及用于硅表面的纹理化的方法和装置。涉及通过用氟气蚀刻衬底表面将至少一个晶体硅衬底的至少一个衬底表面纹理化的方法,硅衬底的蚀刻在等离子体中完成,该等离子体在等离子体蚀刻室内产生。涉及将至少一个晶体硅衬底的至少一个衬底表面纹理化的装置,其具有等离子体蚀刻室,该等离子体蚀刻室具有与氟气源相连的气体供应装置并具有至少一个等离子体源。因此本发明的任务是提出用于硅表面纹理化的方法和装置,其中可节省材料且环保地实现高质量的硅表面纹理化。该任务一方面通过以下方法完成,其中除了氟气外还给等离子体蚀刻室供应至少气态的硫氧化物,另一方面该任务通过以下装置完成,其中该气体供应装置还与至少一个硫氧化物源相连。

    太阳能电池
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106663715A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201580035451.1

    申请日:2015-06-30

    IPC分类号: H01L31/0747

    摘要: 本发明涉及一种太阳能电池,其具有用于光入射的正面和与该正面相反的背面,所述太阳能电池包括:第一导电类型或与该第一导电类型相反的第二导电类型的晶体半导体基板;正面钝化区域,其由至少一个钝化层和第一导电类型的至少一个导电层形成;背面钝化区域,其由至少一个钝化层和第二导电类型的至少一个导电层形成;正面接触件,其由仅一种正面导电材料和由在该正面导电材料顶部上形成的正面电接触件形成;至少一个正面光耦合层,其在太阳能电池的正面上;背面接触件,其与正面接触件相反并且由背面导电材料和该背面导电材料上形成的至少一个背面电接触件形成。本发明的目的是提供一种上述类型的太阳能电池,在其正面具有较低的光吸收和较好的防反射特性。该目的由上述类型的太阳能电池实现,其中,正面导电材料在正面电接触件之间和/或旁边的区域中比在正面电接触件下方的区域中薄。

    卸载区域中的至少一个基片盒转载到至少一个基片处理系统 承载装置上,在基片盒中,基片能够布置在该基

    公开(公告)号:CN104115264B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201380008076.2

    申请日:2013-01-17

    发明人: J·迈 M·克尔

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/677

    摘要: 片盒的不同的水平盒平面中,承载装置用于将至本发明涉及一种基片处理系统,该基片处理 少一个基片保持在水平的承载平面中。基片转载系统包括:至少一个基片加载和卸载区域,其用 区域能够相对于基片加载和卸载区域以及相对于将至少一个基片加载到该基片处理设备以及 于载体运输区域以气密的方式封闭。从该基片处理设备卸载至少一个基片;至少一个可抽真空的处理室;至少一个承载装置,利用该承载装置,能够借助于至少一个载体运输区域中的载体运输装置将至少一个基片运输到至少一个处理室;所述基片处理系统还包括位于至少一个处理室与载体运输区域之间的至少一个气密式封闭装置以及位于基片加载和卸载区域与载体运输区域之间的至少一个气密式封闭装置。本发明的目的在于提出一种基片处理系统,该系统由于高的处理纯度而能够进行高质量的基片加工,并且还由于大的基片输送量而适合于大规模生产。该目的通过以上所提及的类型的基片处理系统得以实现,其特征在于,基片加载和卸载区域与载体运输区域之间设置有基片转载区域,该基片转载区域具有基片转载装置,该基片转载装置用于将至少一个基片从可设置在基片加载和(56)对比文件CN 102244025 A,2011.11.16,CN 102290486 A,2011.12.21,CN 1650416 A,2005.08.03,CN 1912178 A,2007.02.14,CN 102473671 A,2012.05.23,US 5788448 A,1998.08.04,

    池。异质触点太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN104380475B

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201380025565.9

    申请日:2013-05-06

    IPC分类号: H01L31/0224 H01L31/0747

    摘要: 本发明涉及一种异质触点太阳能电池,在其正面中设置有太阳光线的入射部,该异质触点太阳能电池具有由第一传导类型的晶体半导体材料组成的吸收体;设置在该异质触点太阳能电池正面的、比该吸收体高的、掺杂的、第一传导类型的非晶半导体层;在该第一传导类型的掺杂的非晶半导体层的正面设置的、导电的、透明的正面传导层;位于该异质触点太阳能电池正面上、具有彼此间隔开的多个触点结构的正面接触部;在该异质触点太阳能电池背面设置的、与该第一传导类型相反的第二传导类型的发射体;以及设置在该异质触点太阳能电池的背面上的背面接触部。本发明还涉及一种用于制造此类异质触点太阳能电池的方法。本发明目的在于,提供一种异质触点太阳能电池概念以及用于制造此类太阳能电池的技术,通过它们可以消除由发射体导致的、在该异质触点太阳能电池中的吸收损失并且进一步采用标准技术来制造异质触点太阳能电

    处理模块
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104106130B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201380007950.0

    申请日:2013-01-17

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/677

    摘要: 本发明涉及一种处理模块,该处理模块具有至少一个位于该处理模块内的可抽真空的处理室,以及至少一个水平穿过该处理模块、能够沿至少一个基片运输方向移动的承载装置,该承载装置用于分别容纳至少一个需要在该处理室内进行加工的面状基片。本发明的目的在于,提出上述类型的处理模块,该处理模块使得能够在大的生产速度下,以尽可能低的设备成本实现所有基片的均匀且高质量的加工。该目的通过上述类型的处理模块得以实现,其中该至少一个处理室能够被承载装置相对于该处理模块以物理方式封闭,所述承载装置的位置能够在至少一个横向于基片运输方向的关闭方向上进行改变,其中该至少一个承载装置构成该至少一个处理室的底部。