一种台面芯片平坦化检测方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117672891A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311448893.1

    申请日:2023-11-02

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本申请涉及平坦化检测的领域,尤其是涉及一种台面芯片平坦化检测方法、装置、设备及存储介质。方法包括:获取芯片位置信息,对芯片位置信息进行分区组处理,得到至少两个芯片组级以及至少两个芯片组级的相对位置,基于相对位置确定至少两个芯片组级的检测次序,并根据检测次序生成检测移动指令,以控制拍摄装置进行拍摄,得到与至少两组芯片组级对应的芯片图像信息,对芯片图像信息进行分析处理,得到芯片图像地图点,基于芯片图像地图点确定芯片图像信息中每一个图像特征点对应的坐标信息,基于坐标信息对图像特征点中的描述子进行平坦化分析,确定台面芯片平坦度,本申请具有提高台面芯片的平台化检测效率的效果。

    一种半导体芯片晶圆原料加工系统及其加工工艺

    公开(公告)号:CN108995061B

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201810835206.4

    申请日:2018-07-26

    发明人: 吴丹

    IPC分类号: B28D5/02 B28D5/00 B28D7/00

    摘要: 本发明涉及一种半导体芯片晶圆原料加工系统及其加工工艺,包括底板,底板的上端中部安装有磨边装置,底板的前后两侧对称安装有移动电动滑块,移动电动滑块上安装有升降调节气缸,升降调节气缸的顶端通过法兰安装在升降从动板上,升降从动板上安装有切片装置,且切片装置位于磨边装置的正上方。本发明可以解决现有硅晶棒切片与磨边工艺过程中存在的需要人工控制现有设备对硅晶棒进行切片处理,需要人工将切割后的晶片输送到指定的位置进行磨边加工,人工控制硅晶棒切片加工不精确,无法保证晶片的规格统一,人工控制现有的切割设备容易因失误导致晶片破碎,切割后的晶片表面毛刺锋利,人工在输送的过程中容易误伤。

    一种晶圆载片台
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117457569B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202311394289.5

    申请日:2023-10-26

    发明人: 刘连发

    IPC分类号: H01L21/687 H01L21/68

    摘要: 本发明提供一种晶圆载片台,涉及晶圆加工领域,包括底座,底座顶部固定连接有立架,底座侧面螺纹连接有螺纹杆,螺纹杆底部固定连接有手轮,螺纹杆顶部转动连接有托板,底座顶部固定连接有传送带,通过控制电动伸缩杆D运转,可以使电热台向上插入半圆孔,可以对储片壳内侧的晶圆进行托起,通过程序控制电动伸缩杆C运转,可以使其带动开架向左右两侧平移,可以将左右两侧的储片壳向左右两侧分开,可以防止在对晶圆保护结构分开时对晶圆底部摩擦,可以使晶圆在载片台上定位更为稳定准确,解决了现有载片台在装载晶圆时晶圆底部容易与载片台发生水平方向的摩擦,会降低使晶圆在载片台上定位的稳定性和准确性的问题。

    一种用于火灾报警的气体检测方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN117030946A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311018503.7

    申请日:2023-08-14

    摘要: 本申请涉及火灾预警领域,尤其是涉及一种用于火灾报警的气体检测方法、装置、设备及介质,方法包括将探测烟雾浓度与预设烟雾浓度对比,当探测烟雾浓度高于预设烟雾浓度时,根据环境特征和区域模型,确定待检测区域对应的风力模拟图;从区域图像中识别探测设备的探测位置,并根据探测位置和风力模拟图,确定探测位置对应的风力影响值;基于探测烟雾浓度和风力影响值确定最终烟雾浓度,并根据最终烟雾浓度与预设烟雾浓度限值之间的浓度差值,确定待检测区域的第一权重;识别区域图像中的异常特征,并基于异常特征确定待检测区域的第二权重;基于第一权重和第二权重生成第一火灾报警信号。本申请能够提高火灾报警时的准确性。

    一种F-β-Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112186051B

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202011093170.0

    申请日:2020-10-14

    发明人: 冯云龙

    摘要: 本发明属于光探测器技术领域,具体涉及一种F‑β‑Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法,该制备方法的步骤包括:先用乙酸铜、硝酸镓和NaOH反应制得CuGaO2纳米片,然后以硝酸镓为Ga源,辅以NaF分别制备负载在CuGaO2纳米片上的F‑β‑Ga2O3/CuGaO2和纯的F‑β‑Ga2O3;然后将两张材料先后涂在叉指电极上并用热蒸发在薄膜上制备Au电极,得到F‑β‑Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器。本发明所述紫外光电探测器具备高的的光敏度和响应度,探测器响应速度快。

    一种晶圆超声清洗装置
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221282044U

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202322867824.6

    申请日:2023-10-25

    摘要: 本实用新型公开了一种晶圆超声清洗装置,包括清洗箱,所述清洗箱的一侧固定安装有固定板,且固定板的顶部固定安装有电机,所述电机的转轴一端固定连接有凸轮,且凸轮的一侧挤压设置有挤压板;所述挤压板的底部对称安装有复位弹簧,且挤压板的底部固定连接有移动杆,所述移动杆的底端固定连接有连接块。该晶圆超声清洗装置,通过电机带动凸轮进行旋转,从而将挤压板挤压复位弹簧,使得移动杆反复带动过滤篮进行上下移动,进而将清洗液的表层水不断进入过滤篮内部,然后将漂浮的杂质过滤储存在过滤篮内部,进而在将晶圆向上移出清洗箱内部后,避免漂浮的杂质重新沾附在晶圆表面,从而保证晶圆超声清洗装置的清洗使用效果。

    一种多晶元减薄工艺处理系统

    公开(公告)号:CN215616961U

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202121523398.9

    申请日:2021-07-06

    发明人: 耿林茹 高伦

    摘要: 本实用新型涉及晶元生产技术领域,尤其是一种多晶元减薄工艺处理系统,包括机架、多轴研磨机器人和研磨工位,机架内固定有调节电机,调节电机的输出端固定有调节环,研磨工位包括第一工件座、第二工件座和第三工件座,第一工件座、第二工件座和第三工件座的外壁均设有限位环,机架、第二工件座和第三工件座的内壁均设有限位槽,第一工件座、第二工件座和第三工件座的底部分别设有第一调节座、第二调节座和第三调节座,本实用新型可适配不同型号尺寸晶元的减薄作业,相比与传统的晶云减薄机,可实现一机多用,调节便捷,工作效率高,适配性强,具有市场前景,适合推广。

    一种半导体芯片分选载体传送装置

    公开(公告)号:CN215613263U

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202121090587.1

    申请日:2021-05-20

    发明人: 白晔茹 赵浩然

    IPC分类号: B07C5/00 B07C5/36 B07C5/38

    摘要: 本实用新型涉及半导体生产技术领域,尤其是一种半导体芯片分选载体传送装置,包括分选机器手和分选机架,两个分选机架对称设置在分选机器手的两侧,分选机架内固定设有两条对称设置的滑轨,滑轨上滑动连接设有滑座,滑轨底部设有驱动滑座平移的驱动单元,两个滑座相对的一侧均固定设有L型承载台,L型承载台上设有载体箱,分选机架的底部设有两个中转平台,两个中转平台对称设置在L型承载台的两侧,本实用新型结构简单,可快速分选收集废品芯片、良品芯片,相对于传统的水平分选方法,能避免载体内的晶元受重力影响发生形变,提升了中转保护性,具有市场前景,适合推广。