-
公开(公告)号：CN118249774A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410632648.4
申请日：2024-05-21
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
摘要： 本申请涉及体声波谐振器技术领域，具体提供了一种体声波谐振器及其制备方法，该谐振器包括：由下至上依次连接的衬底、支撑层、底电极、三明治结构压电层和顶电极；三明治结构压电层包括多层压电薄膜和若干层极性反转缓冲层，压电薄膜和极性反转缓冲层交替设置且压电薄膜层数比极性反转缓冲层层数多一；在极性反转缓冲层的数量为多层时，相邻的极性反转缓冲层互斥；衬底顶部设有空气腔，空气腔基于贯穿支撑层、底电极、压电薄膜、极性反转缓冲层和顶电极的通孔连接顶电极外侧；该谐振器能够有效地解决由于需要通过对压电薄膜进行元素掺杂的方式使相邻的压电薄膜的极性相反而导致压电薄膜的质量下降的问题，从而有效地提高体声波谐振器的性能。
-
公开(公告)号：CN116131798A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211463336.2
申请日：2022-11-22
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明公开了一种固态体声波谐振器及其制作方法，涉及半导体器件制造技术领域，包括从上至下依次层叠设置的负载层、顶电极、压电薄膜、底电极、布拉格反射层、键合层以及支撑衬底，其中，所述负载层的中部镂空以使所述负载层呈环形，所述顶电极正对所述负载层的镂空处设置有槽结构，以使所述顶电极形成多层调整层。本发明的固态体声波谐振器通过单阶负载层抑制寄生电容的产生，再通过具有多层调整层的顶电极进一步减少寄生效应，同时还可以减少声波的泄露，对声波能量进行约束，进一步提升Q值，多层调整层还可以抑制多种杂波导致的寄生现象，在后续以此为基础制备的滤波器、双工器、传感器等相关器件具有更优异的性能。
-
公开(公告)号：CN115694387A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211317034.4
申请日：2022-10-26
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明涉及一种体声波滤波器及其制作方法。本发明所述的体声波滤波器的制作方法包括：在晶圆衬底上形成第1谐振器至第n谐振器的空气腔和第一键合支点；在第二衬底基片上依次形成第1谐振器至第n谐振器的压电层、底电极层和底电极键合支点，在第二衬底基片上形成第二键合支点；采用倒装键合工艺进行键合；移除第二衬底基片、第一键合支点和第二键合支点；采用Ar+离子束将第1谐振器至第n谐振器的压电层厚度修整至设计厚度；在修整后的第1谐振器至第n谐振器压电层上形成顶电极层，得到体声波滤波器。本发明所述的体声波滤波器的制作方法，其可以在同一晶圆上制作不同频率的滤波器，可以大大减小集成不同频率滤波器时芯片的面积。
-
公开(公告)号：CN115560895A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211100237.8
申请日：2022-09-09
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明涉及一种薄膜应力监测装置及其使用方法，薄膜应力监测装置，包括安装件、发射件、滤光件和接收件，安装件内形成有安装腔；发射件安装在安装腔的一侧内壁上，发射件用于发射激光，与发射件相对的另一侧内壁上用于设置待测件；滤光件设置在发射件和待测件之间，发射件发射的激光能够通过滤光件到待测件上，待测件能够反射激光至滤光件上，滤光件能够折射激光形成折射激光；接收件设置在安装有发射件的一侧内壁上，接收件能够接收折射激光。薄膜应力监测装置的结构简单，操作方便快捷，通过对激光信息进行比对得到应力信息，也更加准确可靠，避免了结构复杂带来的测量偏差。
-
公开(公告)号：CN115446535A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211296936.4
申请日：2022-10-21
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
IPC分类号： B23K37/04
摘要： 本发明涉及压焊夹具及压焊机，所述压焊夹具包括：底座，所述底座设有工作面，所述工作面用于放置工件；导向件，所述导向件设置于所述底座上；第一压板与第二压板，第一压板与第二压板相对设置于所述工作面的相对两端，且所述第一压板与所述第二压板分别与所述导向件导向配合，第一压板与第二压板能够相互靠近或远离移动，第一压板与所述第二压板用于将工件夹持于所述工作面上。由于第一压板与第二压板能够在底座上靠近或远离移动，因此能够改变第一压板与第二压板之间的距离，从而能够对不同尺寸的工件进行固定夹持，提高压焊夹具的兼容性，降低设备的成本，并且对不同尺寸的工件无需反复更换不同夹具，有利于提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN114389562A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111640341.1
申请日：2021-12-29
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明提供一种可提升功率的体声波谐振器及其制备方法，该谐振器按照从下向上的顺序依次包括衬底、第一金刚石薄膜层、压电层和第二金刚石薄膜层；第一金刚石薄膜层内形成有第一空腔；第一金刚石薄膜层上表面且位于压电层内设置有底电极，底电极部分暴露于第一空腔中；第二金刚石薄膜层内形成有第二空腔，第二空腔内且位于压电层上表面设置有顶电极；顶电极和底电极之间形成有第一通孔，第一通孔穿透顶电极和底电极，贯通第一空腔与第二空腔；第二金刚石薄膜层内还设有第二通孔，第二通孔贯通第二空腔与外部。本发明的谐振器可以极大地增强谐振器的散热性能，进而极大地降低谐振器的温度，最终提高谐振器的功率容量。
-
公开(公告)号：CN114070244A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111386561.6
申请日：2021-11-22
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明提供一种硅背刻蚀FBAR谐振器及其制备方法，该谐振器按照从下向上的顺序依次包括硅衬底、支撑层和压电层；所述支撑层下方形成有空腔，并且所述支撑层部分暴露在所述空腔中，所述空腔的侧壁由所述硅衬底形成；所述支撑层和所述压电层之间设有下电极层，所述压电层上方设有上电极层；所述谐振器还包括上负载层和下负载层；所述上负载层和所述下负载层分别沿所述上电极层和所述下电极层边沿包围设置，且所述下负载层穿透所述支撑层延伸至所述空腔内；所述上负载层和所述下负载层呈上下对称分布。本发明通过采用对称型负载层设计可以减少压电层中横向模式的声波能耗，有效降低FBAR谐振器在谐振峰位置的寄生波形，有利于构建低插损的优质体声波滤波器。
-
公开(公告)号：CN115870886A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211674839.4
申请日：2022-12-26
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明涉及一种输送结构及研磨设备，输送结构包括输送件，输送件上形成有输送通道，输送通道贯穿输送件的两侧形成有输入口和输出口，输送件上还开设有与输送通道相连通的流出口，流出口位于输入口和输出口之间，输送件的数量为至少两个，一输送件可拆卸地连接在另一输送件上，其中至少一输送件的输入口或流出口用于输入研磨液，输出口与另一输送件的输入口相连通，另一流出口用于输出研磨液。输送件之间可拆卸使得输送结构整体的长度可调节，使得流出口能够对应晶圆的不同位置，由此将研磨液输送至晶圆上的不同位置或者使输送结构能够适用于不同尺寸的晶圆。进一步提高了输送结构的应用范围、实用性和可靠性，由此也降低了企业使用成本。
-
公开(公告)号：CN115242216A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210785076.4
申请日：2022-06-29
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明公开了一种FBAR滤波器及多阶梯型滤波器，所述FEAR滤波器包括串联谐振器与并联谐振器、第一电感、第二电感，所述串联谐振器与并联谐振器级联；所述串联谐振器两端并联第一电感，所述并联谐振器一端连接第二电感，所述并联谐振器的另一端接地。所述一种多阶梯型滤波器包括多个如上所述的一种FBAR滤波器，且多个所述FBAR滤波器串联。本发明适用于现有的谐振器，实现超宽带薄膜体声波滤波器的设计，满足目前超宽才滤波器的市场需求。
-
公开(公告)号：CN115182031A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210578932.9
申请日：2022-05-25
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
摘要： 本发明涉及到晶圆的电镀冶具领域，公开了一种新的电镀冶具及其使用方法，包括有冶具主体，所述冶具主体包括有装片台及连接部；所述装片台用于装载固定晶圆，所述连接部用于支撑和连接所述装片台并用于传递电流至装片台；本发明可以更好的对晶圆进行拾取，在避免对晶圆损伤的同时还能大大提高晶圆拾取及安装放置的效率，降低装片和下片的难度，提高晶圆电镀的加工效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
42 条记录 (耗时 0.05 秒)
