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公开(公告)号：CN115044842B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210733675.1
申请日：2022-06-24
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
IPC分类号： C22C47/12 , C22C47/02 , C22C49/06 , C22C49/14 , B22D18/02 , C22F1/04 , C25D5/44 , C25D3/12 , C23C18/32 , C23C28/02 , C22C101/14
摘要： 本发明提供一种制备高比刚度铝碳化硅结构件的生产系统，包括球磨装置、制粉装置、熔炼装置、热压振动装置和后处理装置，将碳化硅颗粒和碳化硅晶须按照比例进行配料，在碳化硅颗粒中添加一定量的碳化硅晶须，有效提高碳化硅生坯强度及韧性，含有碳化硅晶须的预制件浸渗铝合金溶液后成型的铝碳化硅复合材料铸件具有高比刚度、比强度以及耐磨性。
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公开(公告)号：CN116656991A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310637786.7
申请日：2023-05-31
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
摘要： 本发明提供的一种铝氮化硅基复合材料及其制备方法，该复合材料包括氮化硅基多孔陶瓷和铝合金，理化参数满足：氮化硅基多孔陶瓷：铝合金的体积百分比为(55～70):(30～45)，体积分数大于99.5％，密度小于3.05g/cm3，三点抗弯强度大于300MPa，导热系数大于180W/m·K，热膨胀系数小于9ppm/℃。其中，铝合金为ZL101系列或ZL102系列；氮化硅基多孔陶瓷的气孔率为55％～70％，氮化硅基多孔陶瓷的三点抗弯强度为2‑6MPa。与现有技术相比，本发明解决了现有氮化硅粉体无法形成可编辑的颗粒料，以制备满足真空压力浸渗法所需的多孔氮化硅陶瓷材料，提供了一种性价比高、性能稳定且可替代铝碳化硅复合材料的新型热管理复合材料。
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公开(公告)号：CN113564594A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110791851.2
申请日：2021-07-13
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
摘要： 本发明提出了一种铝碳化硅表面处理方法，包括以下步骤：采用碱性清洗液对铝碳化硅表面进行清洁及弱蚀，并进行沉锌工序处理铝碳化硅表面；对铝碳化硅表面依次进行电镀镍封孔、化学镀磷镍、化学镀镍硼；再进行后处理得最终表面处理的铝碳化硅。本发明相比于传统表面处理工艺，无须受铝碳化硅表面预留铝层限制，可直接在铝碳化硅复合材料表面进行金属化镀覆工艺；增强碳化硅表面润湿性，镀层厚度一致、表面色泽均一、镀层致密度高、镀层结合力强，可提高铝碳化硅产品在大功率电子元气件封装过程中的焊接性能和使用过程中的耐腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN111172433B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010006047.4
申请日：2020-01-03
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种高体积分数SiC/Cu颗粒增强Al基金属复合材料及其制备方法，将纳米级碳化硅粉体通过超声辅助搅拌分散在无水乙醇中，然后加入微米级Al粉进行滚动球磨，抽真空蒸发乙醇，进行真空干燥得到表面改性的铝粉；将得到的改性铝粉，与亚微米级碳化硅粉体和铜粉混合后进行干混；将混合均匀的粉体用冷等静压方法压制得到复合材料毛坯，之后进行真空煅烧得到致密的复合材料；保持真空或在氮气气氛下以1～3℃/min的冷却速率冷却至室温，得到SiC/Cu颗粒增强的Al基复合材料。本发明所得产品致密度、热导率高，方法简单易于工业化操作，具有很大的商业价值。
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公开(公告)号：CN113097153B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110354276.X
申请日：2021-03-31
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/373 , B22D23/04 , C04B35/565 , C04B35/634 , C04B35/636
摘要： 本发明提供一种铝碳化硅热沉基板制备方法，制备碳化硅粉料和胶体，将碳化硅粉料加至胶体中进行造粒，采用热等静压方式，对造粒粉施加设定压力和温度，经过设定保压烧结时间后得到碳化硅陶瓷预制体；采用真空压力溶渗法，将碳化硅陶瓷预制体放入浸渗炉中，在真空环境下施加高压惰性气体，在碳化硅陶瓷预制体表面浸渗铝合金溶液，得到铝碳化硅铸件；通过超声波振动切削进行机加，再表面金属化镀覆处理，得到铝碳化硅热沉基板。本发明还提供一种由上述铝碳化硅热沉基板制备方法制得的铝碳化硅热沉基板。本发明通过热等静压、真空压力溶渗、超声波振动切削机加、表面金属化镀覆处理，提高了铝碳化硅热沉基板的体积分数、致密度、热导率和稳定性。
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公开(公告)号：CN113800914A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111146696.5
申请日：2021-09-28
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622 , C04B41/88 , F28F21/00
摘要： 本发明一种高体分碳化硅增强铝基复合材料及其制备方法和应用，目的在于稳定地制造高致密度、高热导率的铝碳化硅复合材料，特别是适用于要求对复合材料进行精细加工且在其表面直接进行金属化镀层等各种功能化处理的铝碳化硅复合体。本发明制造方法是将铝为主要成分的金属液通过无压或者低压法浸渗在多孔碳化硅成形体中而获得复合体，该制造方法的特征在于，多孔碳化硅预制体是通过低温热处理后，再经多次酸碱处理后进行湿法沉积铜组分而获得；且铝液经过加入铈进行成分改性。本发明方法提高了陶瓷和金属相的润湿性，同时可以细化金属相晶粒，有益于提高材料的致密度、强度和热导率，材料可加工性提高。
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公开(公告)号：CN113549792A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110791856.5
申请日：2021-07-13
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
摘要： 本发明提出了一种铝碳化硅复合材料及方法和散热衬板，方法包括：进行配料、球磨混合、造粒，对原材料进行预处理；同时对模具进行预热；将预处理好的碳化硅颗粒混合均匀，然后填入模具中；将模具放入加热炉中，按照相应的升温速率均匀加热模具；再将铝合金放入熔铝炉内进行融化铸造；将加热好的模具移到热压机平台，并将熔铝炉内的铝合金溶液注入模具；将热压机进行热压；将脱模的铸件进行锻造；锻造后的铸件通过超声振动切削技术结合金刚石磨头对铝碳化硅复合材料进行机械加工，再进行表面金属化镀覆工艺处理，得到铝碳化硅复合材料。具有产品致密，性能优异，操作简单和成本低的优点，适用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN118771384A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410894414.7
申请日：2024-07-04
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
IPC分类号： C01B33/02 , C01B21/064
摘要： 本发明属于无机非金属材料设备技术领域，公开了一种用于生产气相硅的复合材料及其制备方法、装置及方法，用于生产气相硅的复合材料为核壳结构，其中，核壳结构的内核为硅颗粒，核壳结构的外壳采用氮化硼外壳。生产气相硅的方法，包括如下过程：将本发明如上所述的用于生产气相硅的复合材料于真空下加热至1700～1800℃，使氮化硼外壳，气相硅产生。本发明中，由于是氮化硼外壳破裂后，硅颗粒直接气化生成气相硅，因此可利用硅饱和气压与环境温度正相关关系调控气相硅的产生速率，因此本发明有效的避免了现有技术中气相硅的产生量和速率无法控制，过大会造成制品炸裂的问题。
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公开(公告)号：CN114438362A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210190641.2
申请日：2022-02-28
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
IPC分类号： C22C1/05 , C22C21/00 , C22C32/00 , C22C29/06 , C22C47/14 , C22C47/02 , C22C47/04 , C22C49/06 , C22C49/14 , B22F1/14 , B22F3/10 , C01B32/184 , C01B32/956 , C22C101/14
摘要： 本发明公开了一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法，采用高温碳热还原法去除碳化硅原料表层的SiO2氧化层，并通过真空环境下的高温退火工艺让SiC原料表层的Si原子逃逸出SiC原料表层，使得剩余的碳原子重新组合形成少层石墨烯，通过高温退火温度和时间工艺调控石墨烯层数，石墨烯能够阻止氧原子与内层碳化硅接触，防止高脆性、低热导率的SiO2氧化层形成，进而显著提高铝基碳化硅复合材料中碳化硅与铝合金的界面接触性能，获得综合物理性能优异的铝基碳化硅复合材料。本发明方法能够制备碳化硅体积百分比在30～70％范围内连续变化的铝基碳化硅复合材料，实现铝基碳化硅复合材料的密度、热导率和力学性能在较大范围内连续变化，适应多种应用需求。
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公开(公告)号：CN111992832B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010880961.1
申请日：2020-08-27
申请人： 珠海亿特立新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种铝碳化硅水冷齿板的制备方法，采用高压锻造法，在高温高压下将多孔碳化硅预制体浸透在铝合金的熔融金属中，控制浸渗压力和保压时间，冷却后脱模得到厚度3～7mm的铝碳化硅复合体；选用含镁元素的铝合金，控制铝水熔炼温度和模具温度，利用高压锻造法制备铝合金水冷齿板；采用焊接方式将制备的铝碳化硅复合体与制备的铝合金水冷齿板进行连接制成铝碳化硅水冷齿板。本发明通过焊接的方式将齿柱和铝碳化硅复合体平板底座连接，解决了传统工艺漏齿断齿的问题，焊接强度高，焊接孔洞率低，体现了本发明工艺的优越性。
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